提供了芯片封装结构。芯片封装结构包括载体衬底。芯片封装结构包括位于载体衬底上方的芯片结构。芯片结构包括半导体衬底和器件层，半导体衬底具有正面和与正面相对的背面，正面面向载体衬底，并且器件层位于正面和载体衬底之间。芯片封装结构包括位于半导...

半导体结构包括：外延部件，设置在有源区域中；前侧接触件，直接设置在外延部件之上并且与外延部件电耦接；金属栅极堆叠件；内部间隔件，介于金属栅极堆叠件和外延部件之间；以及背侧接触件，与金属栅极堆叠件的底部部分物理接触并且与前侧接触件的底部部...

形成半导体封装件的方法，该方法包括：用模塑材料围绕管芯；以及在模塑材料上方形成再分布结构(RDS)，并且RDS电耦接到管芯，形成RDS包括：在模塑材料上方沉积第一介电层；图案化第一介电层以在第一介电层中形成第一开口；执行第一清除浮渣工艺...

本公开提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。该方法包括通过形成源极/漏极开口而在衬底上形成纳米结构沟道堆叠件。该方法还包括在源极/漏极开口中形成牺牲源极/漏极。该方法还包括通过用锗浓度超过牺牲源极/漏极的替换源极/漏极来替换牺牲源...

提供了一种半导体装置，以及提供用于为高功耗半导体装置实现散热多层且减小热边界电阻的方法。半导体装置包含第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管及位于第一晶体管与第二晶体管之间的散热多层。散热多层包括一第一层、一第二层及位于该第一层与该...

本揭示内容描述一种影像感测器装置。在一些实施例中，装置包括：基板；接触衬垫结构，自接触衬垫区延伸至黑色位准校正区；介电层，设置于黑色位准校正区中的基板上方；及光阻断结构，设置于黑色位准校正区中的介电层上且穿过介电层。接触衬垫结构的设置于...

一种存储器中计算(CIM)电路，包括：输入电路，用于接收N个第一和N个第二输入；N个求和电路，被配置为组合N个输入对中的一个的第一指数和第二指数，以生成N个指数和中的一个；选择器电路，用于选择最大指数和；N个减法器电路，被配置为计算N个...

本发明的实施例提供了一种电路包括信号源、多个开关、多路复用器和模数转换器(ADC)，信号源被配置为基于解码信号向多个导电结构中的至少一个提供测试信号，多个开关被配置为根据解码信号将信号源分别连接到多个导电机构，多路复用器被配置为依据解码...

根据本公开实施例的半导体结构包括：衬底；第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件，设置在衬底上方；以及多个纳米结构，在第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间延伸。第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件的每个包括与多个纳米结构的侧壁接触...

一种存储器中计算电路(CIM)电路，包括输入电路，其被配置为接收N个第一输入和N个第二输入；N个乘法器电路，每个乘法器电路被配置为将相应的输入对相乘以生成N个乘积中的相应一个；移位电路，被配置为根据最大指数和对齐N个乘积，以生成N个对齐...

本发明提供了一种半导体装置，包括第一布局图案，所述第一布局图案包括第一标准单元，所述第一标准单元包括：多条第一信号线，设置为相互平行并且每条第一信号线的中心位于相应的第一布线轨道上；以及两条第一电源线，平行地设置在所述多条第一信号线的相...

一种极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围为0.87至1.02、消光系数范围为0.065至0.085、以及厚度范围为33.5nm至43.5nm。另一种极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围为0.87至1.02、消光系数范围为0.085至...

在一实施例中，一种堆叠式晶体管包括下部半导体纳米结构、隔离结构、上部半导体纳米结构及栅极介电质。下部半导体纳米结构位于基板上方。隔离结构位于下部半导体纳米结构上。上部半导体纳米结构位于隔离结构上。栅极介电质分别环绕隔离结构、下部半导体纳...

本公开的各个实施例涉及具有氢吸收层的薄膜晶体管(TFT)及其形成方法。TFT包括堆叠的半导体沟道、栅电极和栅极介电层，其中栅极介电层将栅电极与半导体沟道分隔开。第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极分别位于半导体沟道的不同部分上。此外，...

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：多个第一纳米结构，形成在第一堆叠件中。该器件还包括：多个第二纳米结构，形成在第二堆叠件中。该器件还包括：第一源极/漏极结构，邻近多个第一纳米结构，第一源极/漏极结构包括具有...

一种极紫外线辐射源模块，包含一目标液滴产生器，配置于产生复数个目标液滴；一第一激光光源，配置于产生复数个第一激光脉冲，第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团；一第二激光光源，配置于产生复数个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标云雾...

提供一种半导体装置及其制造方法，上述方法包括形成第一栅极于第一鳍部上及形成第一间隙壁层于第一栅极的侧壁上，以及形成第二栅极于第二鳍部上及形成第二间隙壁层于第二栅极的侧壁上。将第一鳍部内第二组成的外延层取代为设置于第一栅极下方的一次性中介...

本申请的实施例公开了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一单元区、第二单元区以及第一和第二组导体，第一单元区包括具有第一尺寸的第一组晶体管，第二单元区包括具有第二尺寸的第二组晶体管。第一和第二单元区具有第一高度。第一组和第二组晶体管包括...

一种半导体装置包含：第一区域以及第二区域。第一区域包括：第一主动区域的第一区段和含金属的栅极结构。在截面侧视图中含金属的栅极结构在垂直方向设置在主动区域的第一区段上方。第二区域包括：主动区域的第二区段和介电质结构。介电质结构在截面侧视图...

一个示例半导体结构包括从基板形成并沿一方向纵向延伸的鳍片结构、在基板上方和鳍片结构周围的隔离特征、包裹鳍片结构的通道区域的栅极结构、沿栅极结构侧壁延伸的第一栅极间隔物、在第一栅极间隔物上方的第二栅极间隔物、在第二栅极间隔物上方的填料介电...