本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一芯片，该第一芯片包括多个光敏器件，其中多个光敏器件形成为第一阵列。所述半导体器件包括与所述第一芯片接合的第二芯片，所述第二芯片包括：多个像素晶体管组，其中多个像素晶体管组形成...

光子器件和用于形成光子器件的相关方法。在一些实施例中，制造光子器件的方法包括在衬底上方形成层堆叠件。在一些情况下，层堆叠件包括下部包覆层、设置在下部包覆层上方的芯层和设置在芯层上方的上部包覆层。在一些示例中，该方法还包括图案化层堆叠件以...

本申请的实施例公开了一种形成存储器器件的方法。根据本公开的方法包括在第一晶圆中形成多个晶体管并在第二晶圆中形成存储器阵列。第一晶圆的第一表面包括电耦接到晶体管的第一多个接合焊盘。存储器阵列包括多个铁电隧道结(FTJ)堆叠件。第二晶圆的第...

描述了铁电器件及其形成方法。在一些实施例中，形成半导体器件结构的方法包括在层上沉积掺杂二氧化铪层，并且掺杂二氧化铪层具有第一氧空位浓度。该方法还包括对掺杂二氧化铪层执行超高真空退火工艺以将第一氧空位浓度增加到第二氧空位浓度以及对掺杂二氧...

本文提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，其中，在导电接触件上方选择性地沉积蚀刻停止层。在蚀刻停止层上方形成介电层，并且形成穿过介电层和蚀刻停止层的开口以暴露导电接触件。然后沉积导电材料以填充开口。

本发明提供一种用于检查设计中的标准单元间隔品质的方法及系统。所述方法包括提供第一标准单元。确定第一标准单元的单元环境，并基于单元环境，在第一标准单元的第一边界和第一邻近单元的边界之间确定第一可行距离。基于单元环境，在第一标准单元的第二边...

一种封装结构，包括具有第一表面和第二表面的基底。第二表面相对于第一表面。此封装结构包括形成在基底中的多个基底通孔(TSV)结构。基底通孔结构的宽度从第一表面向第二表面逐渐缩小。封装结构包括接合至基底的第一表面的芯片。封装结构亦包括接合到...

一种半导体装置结构。在一些实施例中，半导体装置结构包含互连结构、多个有源装置、第一基板层及冷却基板层。多个有源装置设置于互连结构之上，其中第一基板层包含具有第一热导率的半导体材料；第一基板层设置于互连结构之上；冷却基板层设置于第一基板层...

一种半导体装置，为了减少蚀刻开口中的应力集中区的发生率，沉积了更薄的聚酰亚胺层以最小化其中所形成的间隙，并增加显示层的表面的角度。以这种方式减小应力，降低了后来形成的金属接触开裂的发生率，提高了如此制造的半导体装置的整体合格率。

本技术提供一种光刻系统包括：顶部部分；设置在所述顶部部分的掩膜台；底部部分；位于所述底部部分的护膜台；以及安装于所述掩膜台的第二光学检测器，所述第二光学检测器面向所述护膜台。光刻系统可以经由光学检测器侦测粒子，这降低了重工并提高了利用率。

一种封装结构，包含第一芯片结构及互连结构，互连结构位于第一芯片结构的上方。封装结构也包含介电接合结构及金属接合结构，介电接合结构位于互连结构的上方，金属接合结构被介电接合结构侧向围绕。金属接合结构的顶表面与介电接合结构的顶表面实质上共平...

本技术提供一种微型装置及微机电系统驱动的梳状物。所述微型装置，包括第一基座、与第一基座平行的第二基座，第二基座包括位于其顶表面上的第一突起。所述装置还包括共形介电层和形成在共形介电层的部分上方的金属结构。金属结构包括环绕第一突起的第一部...

在实施例中，方法包括：形成第一集成电路管芯，第一集成电路管芯包括：第一有源器件，沿第一衬底；第一静电放电阱，沿第一衬底；第一接合焊盘，位于第一衬底上方并且电连接至第一有源器件；以及第一避雷导体，位于第一衬底上方并且电连接至第一静电放电阱...

本技术提供一种半导体封装。实施例中介层可包括：多个第一重布线层，其包括嵌置于第一介电材料中的具有第一线宽及第一线间距的第一电性内联结构；以及多个第二重布线层，其包括嵌置于第二介电材料中的具有第二线宽及第二线间距的第二电性内联结构，使得第...

一种封装结构，包含芯片结构、互连介电层、互连导电结构、传输线以及磁性结构。通过电介质对电介质接合及金属对金属接合来接合至基底；互连介电层形成于芯片结构上方。封装结构还包含互连导电结构，形成于互连介电层中；传输线形成于互连介电层中。封装结...

本公开提出一种半导体装置，所述装置包括基底、多个通道层，垂直堆叠且悬置(suspended)在基底之上以及栅极结构，包绕通道层的每一个，其中栅极结构在通道层的最顶通道层的顶表面之上的高度测量具有第一栅极临界尺寸、在通道层的最顶通道层的边...

本技术的各种实施例是关于一种闪存单元及包括其的积体组件，所述积体组件包括：位于基底之上的控制闸极，控制闸极具有第一长度；位于控制闸极上的穿隧介电质；具有第二长度且位于穿隧介电质上的浮置闸极，穿隧介电质分隔控制闸极与浮置闸极；位于浮置闸极...

本发明提供一种测试系统和测试方法。在一些实施例中，用于测试集成电路封装的系统包括装置测试仪。此装置测试仪包括插座、可与插座接合的气压缸盖单元以及压力调节器。此插座包括配置为接合集成电路封装的第一区的第一压力缸和配置为接合集成电路封装的第...

提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器；以及在第一MIM电容器上方形成第二MIM电容器。形成第一MIM电容器包括：在衬底上方形成第一导体板，第一导体板包括第一金属元素；在第一导...

一种半导体装置及其制备方法，方法包含：在一基板上方形成包括金属材料的重分布层；在重分布层的多个侧壁上形成金属材料的氧化层；及在重分布层及氧化层上方沉积钝化层，其中氧化层形成于重分布层与钝化层之间；其中氧化层增强重分布层与钝化层之间的接合...