本公开提出了光学器件及其制造方法，其中在第一光学组件的第一有源层上形成金属化层，穿过金属化层形成第一开口，在金属化层上接合第一半导体管芯，在金属层上接合激光管芯，其中在接合激光管芯之后，位于激光管芯内的第一反射镜通过第一开口与第二反射镜...

封装件包括：第一管芯，位于封装组件的第一侧上方并且接合至封装组件的第一侧，其中，第一管芯和封装组件之间的第一接合包括第一管芯的第一接合层和封装组件上的第二接合层之间的电介质至电介质接合，并且第一管芯和封装组件之间的第二接合包括第一管芯的...

本技术提供一种集成芯片包括在参考磁性层之上的参考磁性层和阻障层。第一自由磁性层在阻障层之上。第二自由磁性层在第一自由磁性层之上。间隔件层介于第一自由磁性层和第二自由磁性层之间。间隔件层包含镁和过渡金属。镁与过渡金属的原子比在15％至80...

一种驱动电路，包括驱动级和第一子电路。驱动级包括被配置为驱动功率器件的第一驱动器件和第二驱动器件。第一子电路电连接到驱动级。第一子电路包括第一预充电电路和第一预驱动电路。第一预驱动电路电连接到第一预充电电路和第一驱动器件。第一预充电电路...

在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳...

半导体器件包括：第一沟道区域，设置在衬底上方的第一器件区域中；第一栅极介电层，设置在第一沟道区域上方；第二栅极介电层，设置在第二沟道区域上方；以及栅电极，设置在第一栅极介电层上方。第一栅极介电层包括第一偶极掺杂剂，并且第二栅极介电层包括...

一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延...

本发明的各个实施例针对半导体器件，半导体器件包括设置在第一衬底上的介电结构。边缘耦接器设置在介电结构内并且包括多个光学芯段。偏转器结构设置在介电结构内并且横向地邻近边缘耦接器。偏转器结构配置为将沿着第一方向行进的光学信号重定向为朝向边缘...

本发明的实施例提供了一种存储器电路包括：第一位线和第二位线，耦合至一组存储器单元；局部输入输出电路，包括第一数据线和第二数据线；第一控制电路，被配置为生成第一感测放大器信号和第二感测放大器信号；第二控制电路，被配置为响应于至少第二控制信...

根据本申请的实施例，提供了一种用于形成封装件的方法包括形成第一封装组件，形成第一封装组件包括形成具有第一顶表面的第一介电层，以及形成第一导电部件。第一导电部件包括嵌入在第一介电层中的通孔，以及具有高于第一介电层的第一顶表面的第二顶表面的...

本发明的实施例提供了一种存储器驱动器、存储系统和操作方法。存储器驱动器包括字线驱动电路、参考电路和偏置电路。字线驱动电路与字线连接，并且被配置为根据输入信号有选择地从参考节点向字线提供参考电压。参考电路具有连接至参考节点的电容器。参考电...

半导体结构包括隔离层；位于隔离层上方的第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极(S/D)金属电极；横向地设置在第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极之间的金属栅极；位于金属栅极的底表面和侧壁表面上的铁电层；以及氧化物半导体层。氧化...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及在栅极结构中形成隔离结构以防止电流通过源极/漏极区域(EPI)、晶体管和硅衬底泄漏。隔离结构被布置成具有与短隔离结构相邻的长隔离结构的图案。隔离结构可以在替换栅极顺序之前或之后形成...

本技术的各种实施例是关于一种存储器单元及集成装置，存储器单元包括设置在基底之上且沿着垂直方向延伸的通道层。浮置栅极设置在基底之上且沿着第一侧向通过栅极介电质与通道层分离。控制栅极沿第一侧向设置于浮置栅极及通道层的一侧，且通过穿隧介电质与...

一些实施例涉及一种集成器件，包括：衬底，包含至少一种有源组件；互连结构，设置在衬底上；接合层，设置在互连结构上方；载体衬底，设置在互连结构上方；散热模块，设置在载体衬底上方；以及第一热控制层，设置在载体衬底和散热模块、接合层和互连结构、...

半导体封装件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中介层。半导体器件位于中介层的第一侧上，并且光学器件位于中介层的第一侧上并且紧邻半导体器件。第一密封剂层包括第一部分和第二部分。第一密封剂层的第一部分位于中介层的第一侧上并且沿半导体器件...

提供一种形成半导体装置的方法和光阻剂组成分。此方法包括在基板上方形成光阻剂层。光阻剂层包括聚合物和光酸产生剂(PAG)。聚合物包括聚合物主链、化学性键合到聚合物主链的抗蚀刻促进基团、和化学性键合到抗蚀刻促进基团的酸不稳定基团(ALG)。...

方法包括：在第一复合层上形成延伸穿过第一复合层的第一导电元件；在第一复合层上形成第一聚合物层；形成延伸穿过第一聚合物层的第一金属化图案；在第一聚合物层上方形成第二聚合物层，其中，第二聚合物层薄于第一聚合物层；在第二聚合物层上形成延伸穿过...

本技术实施例提供一种光学模块，包括衬底；上覆在衬底的第一光栅耦合器；以及上覆在第一光栅耦合器的第二光栅耦合器，其中第二光栅耦合器被配置为接收输入光学讯号的第一横向模式，而将输入光学讯号的第二横向模式传递到第一光栅耦合器，并且其中第一光栅...

本申请公开了横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制造方法。一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括第一栅极。LDMOS晶体管还包括位于第一栅极的第一侧的第一源极区域。LDMOS晶体管还包括位于第一栅极的第二侧的漏...