【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及用于形成封装件的方法以及封装件结构。
技术介绍
1、在集成电路的形成中，在晶圆中的半导体衬底的表面处形成封装组件(诸如晶体管)。可以在晶圆的表面上形成金属凸块。在封装工艺中，通过焊料区域，顶部管芯可以接合到底部晶圆。然后可以将底部晶圆锯切成管芯。该形成工艺可能会因金属凸块的节距的减小而产生困难。例如，随着节距的减小，相邻金属凸块上焊料桥接的可能性增加。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例，提供了一种用于形成封装件的方法包括形成第一封装组件，形成第一封装组件包括：形成包括第一顶表面的第一介电层；形成第一导电部件。其中第一导电部件包括：延伸到第一介电层中的通孔；以及包括高于第一介电层的第一顶表面的第二顶表面的金属凸块。形成第一封装组件还包括：分配光敏层，其中光敏层覆盖金属凸块；以及执行光刻工艺以在光敏层中形成凹槽，其中金属凸块暴露于凹槽，并且其中光敏层包括高于金属凸块的第三顶表面。用于形成封装件的方法还包括接合第二封装组件到第一封装组件，其中焊料区域延伸到凹槽中以将金属凸块...
【技术保护点】
1.一种用于形成封装件的方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述光刻工艺包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹槽横向延伸超过所述金属凸块的边缘，并且其中所述光敏层的部分在所述凹槽的正下面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属凸块的侧壁暴露于所述凹槽，并且其中所述焊料区域延伸到低于所述金属凸块的所述第二顶表面的水平以接触所述金属凸块的所述侧壁。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一介电层包括另外的光敏层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述凹槽延伸到第一介电层的所述...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成封装件的方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述光刻工艺包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹槽横向延伸超过所述金属凸块的边缘，并且其中所述光敏层的部分在所述凹槽的正下面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属凸块的侧壁暴露于所述凹槽，并且其中所述焊料区域延伸到低于所述金属凸块的所述第二顶表面的水平以接触所述金属凸块的所述侧壁。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴志伟，施应庆，邱文智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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