半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、通常，存储器器件包括一个或多个存储器阵列，存储器阵列包括存储器单元，以及(用于执行诸如寻址存储器单元、将数据储存在存储器单元中以及从存储器单元检索数据的功能的)外围电路。存储器阵列可以是任何合适类型的存储器，诸如动态随机存取存储器(dram)或静态随机存取存储器。

2、dram是一种随机存取存储器，其将数据的每个位储存在存储器单元(也称为位单元)中。存储器单元通常由一个晶体管和一个电容器组成。电容器通过晶体管充电到高电压电平或放电到低电压电平，以储存数据的位。电容器的高电压电平和低电压电平表示二进制值1和0。通常，存储器阵列中的存储器单元按行和列布置，其中每个存储器单元耦接到存储器阵列的对应行和列中的字线wl和位线bl/blb。例如，每个存储器单元具有连接到对应字线wl的晶体管栅极端子和连接到对应位线bl/blb的一个源极/漏极(s/d)端子。另一个s/d端子连接到存储器单元的电容器。通常，如本文所使用的，根据上下文，s/d端子可以单独地或共同地指代源极或漏极。</p>

3、感测本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储器阵列具有阵列占位，所述阵列占位具有中间部分和占位边界，并且所述第一字线驱动器位于所述阵列占位的中间部分，所述第一感测放大器位于所述阵列占位的所述占位边界附近。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一存储器阵列具有阵列占位，所述阵列占位具有中间部分和占位边界，所述第一感测放大器位于所述阵列占位的所述中间部分，所述第一字线驱动器位于所述阵列占位的所述占位边界附近。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储器阵列的所述第一位线位于所述第一存储器阵列的沿着...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储器阵列具有阵列占位，所述阵列占位具有中间部分和占位边界，并且所述第一字线驱动器位于所述阵列占位的中间部分，所述第一感测放大器位于所述阵列占位的所述占位边界附近。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一存储器阵列具有阵列占位，所述阵列占位具有中间部分和占位边界，所述第一感测放大器位于所述阵列占位的所述中间部分，所述第一字线驱动器位于所述阵列占位的所述占位边界附近。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一存储器阵列的所述第一位线位于所述第一存储器阵列的沿着x轴的所述x方向上，并且所述第一存储器阵列的所述第一字线位于所述第一存储器阵列的沿着y轴的所述y方向上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一位线通过沿着所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李婕，黄家恩，李俊颖，刘逸青，王奕，曾晓梅，杨耀仁，张琮永，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：