半导体器件及其形成方法技术

在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明专利技术的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、将半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

2、半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断改善各个电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的额外问题。

技术实现思路

1、本专利技术的一些实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一纳米结构；第一源极/漏极区域，与第一纳米结构相邻，第一源极/漏极区域的顶表面在第一纳米结构的顶表面之上延伸，第一源极/漏极区域接触第一数量的第一纳米结构；第二纳米结构，第二纳米结构具有与第一纳米结构相同的尺寸；以及第二源极/漏极区域，与第二纳米结构相邻，第二源极/漏极区域的顶表面在第二纳米结构的顶表面之上延伸，第二源极/漏极区域接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区域具有第一高度，所述第二源极/漏极区域具有第二高度，并且所述第二高度大于所述第一高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区域接触所述第一纳米结构的子集，并且所述第二源极/漏极区域接触每个所述第二纳米结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区域接触所述第一纳米结构的第一子集，并且所述第二源极/漏极区域接触所述第二纳米结构的第二子集。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区域具有第一高度，所述第二源极/漏极区域具有第二高度，并且所述第二高度大于所述第一高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区域接触所述第一纳米结构的子集，并且所述第二源极/漏极区域接触每个所述第二纳米结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极区域接触所述第一纳米结构的第一子集，并且所述第二源极/漏极区域接触所述第二纳米结构的第二子集。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：庄宗翰，林志昌，陈仕承，张荣宏，姚茜甯，庄凯麟，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：