本技术提供一种封装模块及封装结构，所述封装模块包括：中介层；多个半导体晶粒，位于中介层上且包括半导体晶粒上表面；上部模制材料层，位于所述多个半导体晶粒上且包括自半导体晶粒上表面凹陷的凹陷上表面；以及背面金属层，位于上部模制材料层的凹陷上...

一种半导体处理工具及加热模块。半导体处理工具包括：处理腔室；支撑件，用于固定装载至腔室工具中的晶圆；入口，将第一气体引入至腔室中以用于处理晶圆；及排气系统，该排气系统排出来自该腔室的气体。该排气系统包括：第一管线，第一管线耦接至腔室以排...

IC结构包括：前侧互连结构，位于器件层的前侧上，前侧互连结构包括通过IMD层彼此隔离并且嵌入在IMD层中的第一金属部件和第二金属部件，第一金属部件电连接至晶体管器件，并且第二金属部件与晶体管器件电隔离；背侧互连结构，位于器件层的背侧上，...

一种半导体结构包括基板、鳍片、栅极结构及多个栅极间隔物。鳍片位于基板上并沿着第一方向纵向延伸。栅极结构位于鳍片上方，并沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。多个栅极间隔物位于栅极结构的多个侧壁上。鳍片具有第一部分与第二部分，第一部分位于...

本公开涉及源极/漏极结构掺杂剂集群设计。本公开描述了一种具有带掺杂剂集群的源极/漏极结构的半导体器件。该半导体器件包括衬底上的沟道结构、以及衬底上并临近沟道结构的源极/漏极结构。源极/漏极结构包括衬底上的第一外延层、沟道结构的侧壁和第一...

本揭露提供一种集成电路。集成电路包括各自使用至少一个强主动区结构中的强晶体管来实施的第一时控转发开关及第二时控转发开关。所述集成电路亦包括各自使用至少一个弱主动区结构中的弱晶体管来实施的第一时控反相器及第二时控反相器。所述集成电路更包括...

本公开的实施例涉及集成电路(IC)结构及半导体器件的制造方法。IC结构包括形成在衬底上的晶体管器件，其中晶体管器件具有源极/漏极(S/D)区域和栅极结构。在衬底上形成包括嵌入在金属间介电(IMD)层中的金属线和金属通孔的多层互连(MLI...

提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括半导体主体和晶体管。晶体管包括位于半导体主体中的漏极区域、位于漏极区域中的第一掺杂区域、位于半导体主体中的源极区域、与源极区域相邻的第二掺杂区域以及位于第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的第三掺杂...

本技术实施例涉及一种半导体结构，其包含光学裸片、第一边缘耦合器，以及反射层。所述光学裸片具有顶面及边缘。所述第一边缘耦合器放置于所述光学裸片中且邻近于所述光学裸片的所述边缘。所述反射层放置于所述光学裸片中且邻近于所述光学裸片的所述边缘。...

本揭露关于一种光电装置，包含光波滤波器结构、第一光电二极管、第二光电二极管以及偏振遮罩结构。第一光电二极管位于光波滤波器结构下方的第一装置区域中。第二光电二极管位于第一光电二极管下方的第二装置区域中。偏振遮罩结构位于第一光电二极管与第二...

本揭露的一些实施例描述半导体结构，半导体结构具有包围通道结构的倾斜的部分的隔离层。半导体结构包括通道结构，通道结构具有在基板上的第一部分、第二部分及第三部分。第一部分具有第一宽度。第二部分具有小于第一宽度的第二宽度。第三部分具有小于第二...

公开了一种用于执行一工艺的半导体制造装置。一种电浆处理装置包含配置用以接收用于蚀刻工艺的晶圆的腔室；设置于腔室内并且配置用以聚焦电场以控制蚀刻工艺的蚀刻方向的导电聚焦环；以及设置于腔室内的绝缘盖环。绝缘盖环配置用以改变电场。绝缘盖环具有...

一种半导体装置，包括设置于鳍片上方的晶体管的第一通道区，鳍片可包括在第一方向上延伸的半导体材料。栅极结构衬垫第一通道区并在垂直于第一方向的第二方向上在隔离区上方延伸，栅极结构的第一部分向下延伸至隔离区的上表面中一凹痕中。装置亦包括嵌入鳍...

在实施例中，方法包括沿着第一衬底形成器件区域；在器件区域和第一衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成金属柱，形成金属柱包括：在互连结构上方形成基底层；在基底层上方形成中间层；和在中间层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成焊料区域；以及执行...

本公开实施例提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括衬底和栅电极。栅电极靠近衬底的第一侧设置。栅电极包括第一栅极部分、第二栅极部分和第三栅极部分。第一栅极部分设置在衬底的第一侧上方。第二栅极部分设置在衬底内并且连接至第一栅极部分。第...

本公开涉及具有高消光系数吸收体的光刻掩模及相关系统和方法。提供了一种极紫外(EUV)掩模和形成EUV掩模的方法。该方法包括：在半导体晶片上形成掩模层；通过光刻曝光系统产生极紫外(EUV)光；通过由掩模对EUV光进行图案化来形成经图案化的...

本技术提供一种半导体结构。可借由使用成分调变式顶盖层而为薄膜晶体管提供降低的界面缺陷密度及低接触电阻。可在基底之上形成堆叠，所述堆叠包括栅极、栅极介电层、包括半导体金属氧化物材料的主动层、及包括介电金属氧化物材料的工艺中顶盖层。可形成介...

本技术提供一种封装，包括：第一晶粒及第二晶粒，位于包封体层中；以及虚设条，位于包封体层中且与第一晶粒和第二晶粒之间的间隙相邻。一种形成封装的方法，所述方法包括：将第一晶粒及第二晶粒贴合至表面；与第一晶粒和第二晶粒之间的间隙相邻地将虚设条...

本技术提供一种半导体组件，包括第一栅极、配置在第一栅极之上的第二栅极、第一接触导体、第二接触导体、配置在第一栅极与第二栅极之间的第三接触导体、第一半导体层，以及第二半导体层。第一半导体层配置在第一栅极与第三接触导体之间。第一半导体层包括...

本技术提供一种半导体装置以及半导体封装，和用于形成半导体装置的方法。半导体装置的多层结构包括金属环结构和沿着金属环结构的内部侧壁的介电侧壁结构。互连线结构(例如，硅通孔互连线结构)沿着金属环结构的中心内轴。保护层位于互连线结构和介电侧壁...