本文描述了在非有源区域区(例如，隔离区域)中实施栅极支撑结构(例如，栅极条)的栅极布局和/或器件及其制造方法。示例性栅极支撑结构连接至设置在非有源区域区中的至少两个栅极(例如，在一些实施例中，两个至六个)。至少两个栅极沿第一方向纵向延伸...

方法包括：在第一衬底上方形成第一剥离结构，其中，形成第一剥离结构包括：在第一衬底上方沉积第一剥离层；在第一剥离层上方沉积第一硅层；在第一硅层上方沉积第二剥离层；以及在第二剥离层上方沉积第二硅层；在第一剥离结构上方外延生长第一多层堆叠件；...

器件结构包括：第一金属互连结构，形成在第一介电材料层中；蚀刻停止介电层，位于第一介电材料层上面并且具有开口，开口沿第一水平方向具有第一宽度；以及电阻存储器单元，包括底部电极、存储器材料层和顶部电极的堆叠件。底部电极包括板部分以及位于蚀刻...

本发明提供了半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，方法包括形成与晶体管的栅极结构耦合的第一天线，第一天线包括第一金属线，形成与晶体管的源极/漏极部件耦合的第二天线，第二天线包括第二金属线，其中第一金属线和第二金属线设置在相同的金属化层...

提供了修复光刻掩模的方法。该方法包括接收具有覆盖层的光刻掩模，覆盖层包括受损区域、识别覆盖层的受损区域的位置和尺寸、基于覆盖层的受损区域的尺寸确定修复持续时间、以及在覆盖层的受损区域中形成覆盖补丁层。本公开的实施例还提供了光刻掩膜。

在实施例中，器件包括：中介层，包括：背侧再分布结构；互连管芯，位于背侧再分布结构上方，互连管芯包括衬底、从衬底突出的衬底通孔和衬底通孔周围的隔离层；第一密封剂，位于互连管芯周围，第一密封剂的表面与隔离层的表面和衬底通孔的表面基本上共面；...

本申请的实施例描述了方法，该方法包括形成从衬底突出的鳍，该鳍包括第一侧壁和与第一侧壁相对形成的第二侧壁。该方法还包括在衬底上沉积浅槽隔离(STI)材料。沉积STI材料包括沉积与第一侧壁接触的STI材料的第一部分和沉积与第二侧壁接触的ST...

本技术提供一种填隙式堆叠集成电路接口屏蔽结构的集成电路。第一集成电路(IC)芯片包括第一介电层。第二集成电路芯片在接合界面处接合至第一集成电路芯片，且包括在接合界面处直接接触第一介电层的第二介电层。第一对导电接垫分别位于第一介电层及第二...

本技术提供一种半导体装置，包括第一膜、第二膜和第三膜，每个膜包括相变材料(PCM)并且沿第一横向方向相对于彼此布置。半导体装置包括第一金属接垫、第二金属接垫、第三金属接垫及第四金属接垫。第一金属接垫和第二金属接垫分别设置在第一膜的端部之...

本技术提供一种封装结构，其包括布线衬底、半导体晶粒以及介电层。布线衬底包括晶粒结合区以及分布在晶粒结合区之间的导引图案(辅助图案或拟图案)。半导体晶粒配置在晶粒结合区上，并且与布线衬底电性连接，其中导引图案与半导体晶粒电性绝缘。介电层配...

一种半导体装置，半导体晶粒包括由介电区域分隔开的下晶粒；垂直堆叠在下晶粒和介电区域上的跨晶粒；模制结构填充介电区并环绕下晶粒和跨晶粒的侧表面；接合环，将跨晶粒连接至下晶粒，并包括：形成在跨晶粒的底表面中的上金属环；以及下金属环，形成在下...

本申请涉及具有重结晶源极/漏极的场效应晶体管及方法。一种方法包括：在衬底之上形成纳米结构堆叠；形成与纳米结构堆叠相邻的源极/漏极开口；在源极/漏极开口中形成半导体层；通过在半导体层上执行离子注入来形成非晶半导体层；以及通过对非晶半导体层...

本公开的一个实施例涉及一种器件。该器件包括沿垂直方向具有正面和背面的存储器宏。存储器宏包括在存储器宏的边缘处沿第一方向纵向延伸的边缘带区域、具有多个存储单元的存储单元区域和沿第一方向长度延伸并沿第二方向设置在边缘带区域之间的中间带区域，...

一种半导体元件包含半导体区域、栅极堆叠以及鳍片隔离区域。栅极堆叠在半导体区域上，其中栅极堆叠包含第一栅极堆叠部位以及第二栅极堆叠部位。鳍片隔离区域分离第一栅极堆叠部位以及第二栅极堆叠部位，其中鳍片隔离区域包含第一部分以及多个第二部分。第...

一种方法包括：将第二工件贴合至第一工件，对第一工件的背侧执行第一等离子蚀刻工艺以形成第一沟槽，以及在第一沟槽中形成第一背侧导电特征。第一工件包括：包括源极/漏极(S/D)特征的第一晶体管；与第一晶体管相邻且包括栅极结构的第二晶体管；二极...

本公开实施例提供了再分布结构，再分布结构包括：金属线；第一介电层，设置在金属线上方；第一蚀刻停止层(ESL)，设置在第一介电层上方；第二介电层，设置在第一ESL上方；以及导电通孔，延伸穿过第二介电层、第一ESL和第一介电层以接触金属线。...

本技术提供一种悬臂纳米机电解码器电路，包括：存储胞的二维阵列，嵌入于存储器层级介电层中且上覆于衬底上；第一存取线，电性连接至所述二维阵列内的相应行的存储胞；以及第一解码器电路，包括第一悬臂纳米机电装置，所述第一悬臂纳米机电装置上覆于存储...

利用公开的系统和工艺收集来自半导体器件制造工艺的氢氟酸废物流并且转化为冰晶石。系统和工艺能够利用来自多个不同源的氢氟酸废物流。系统和工艺利用反应物的控制输送，使得生产的冰晶石具有低杂质水平并且符合工业标准。本申请的实施例还涉及用于将废氢...

本申请的实施例公开了一种集成电路及其操作方法，该集成电路包括被配置为储存第一组数据的第一组存储器单元、被配置为储存第二组数据的第二组存储器单元、耦合到第一组存储器单元的第一组输入输出(IO)电路、耦合到第二组存储器单元的第二组IO电路、...

一种方法包括形成第一器件管芯和第二器件管芯。第一器件管芯包括第一集成电路以及位于第一器件管芯的第一表面处的第一接合焊盘。第一集成电路电连接至第一接合焊盘。第二器件管芯包括电源开关，电源开关包括第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域、电连...