本公开的一个实施例提供一种半导体装置结构的制造方法。所述方法包括移除设置在第二半导体层与第三半导体层之间的第一半导体层，以及执行氧化物回填工艺以在第二半导体层与第三半导体层之间形成无缝介电材料。氧化物回填工艺包括将第二导体层以及第三半导...

本公开涉及ECO基本单元结构、布局方法和系统。IC结构包括：在半导体衬底中沿着第一方向对准的第一到第三n阱，其中第一n阱与第二和第三n阱中的每一者分开对应的空间；第一多个有源区、栅极结构、和类金属限定(MD)段，覆盖并电连接到位于第一n...

一种存储器器件包括存储器阵列和控制器，存储器阵列包括多个字线，每个字线可操作地耦合到存储器单元的相应组，控制器可操作地连接到存储器阵列。控制器被配置为接收第一地址信号，第一地址信号指示相对于控制器以第一距离物理布置的第一字线，通过具有第...

一种用于电子设备检查的检查装置包括杆、附接到杆的一端的探头、设置于探头上的红外线影像感测器、设置于探头上的至少一个可见光源以及设置于探头上的可见光影像感测器。红外线影像感测器取得的红外线影像数据传送至杆的近端部分，以及可见光影像感测器取...

描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括：栅极介电层，设置在衬底上方；栅电极层，设置在栅极介电层上方；以及第一栅极间隔件，邻近栅极介电层设置，其中，第一栅极间隔件包括面向栅极介电层的内表面和与内表面相对的外表面，并且第一栅极间隔件包括...

一种制造半导体装置的方法和半导体装置。方法包括在半导体基板上方形成多层堆叠，此多层堆叠包含与多个通道层交替的多个牺牲层，在多层堆叠的顶表面和侧壁上方形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成第一间隔物，成长外延的源极/漏极区域其延伸穿...

本公开实施例提供了集成电路(IC)结构，IC结构包括：第一衬底，具有第一表面，第一表面具有沿第一方向的法线方向；第一IC芯片，接合至第一衬底；以及第二IC芯片，电连接至第一IC芯片。第一IC芯片和第二IC芯片密封在具有密封材料层的同一封...

根据本公开的半导体结构包括衬底；衬底贯通孔(TSV)单元，设置在衬底上方；以及TSV，延伸穿过TSV单元和衬底。TSV单元包括：保护环结构，绕着TSV单元的周边延伸，和缓冲区，由保护环结构围绕。缓冲区包括第一伪晶体管和第二伪晶体管。第一...

本发明提供半导体器件及其形成方法。本公开的方法包括在衬底上方沉积氮化铝层，处理氮化铝层以将氮化铝层的顶部部分转化为氮氧化铝层，在氮氧化铝层上沉积III‑V半导体层，以及在III‑V半导体层上方形成栅极结构。

本公开的多个实施例提供一种半导体装置结构。一实施例中，半导体装置结构包括垂直堆叠的多个半导体层、多个内部间隔物，每个内部间隔物设置在两个相邻的半导体层之间。此半导体装置结构还包括与每个内部间隔物接触的一源极/漏极部件、包围多个半导体层中...

非对称性可用于调节隧穿场效应晶体管(TFET)的电特性。示例性TFET包括设置在半导体层上方的栅极堆叠件、设置在半导体层中的源极和漏极。栅极堆叠件包括设置在栅极电介质上的栅电极。栅极堆叠件设置在源极和漏极之间。源极具有第一导电类型，漏极...

本文中揭示的一种半导体装置包括：一基板上方的一互连结构、该互连结构上方的一第一磁性层、该第一磁性层上方的一或多个导电特征、该第一磁性层及该一或多个导电特征上方的一介电层，及该介电层上方的一第二磁性层。在一些实施例中，该一或多个导电特征包...

一种半导体结构，包括基板、隔离结构、第一纳米结构的垂直堆叠、多个第一源极/漏极结构、介电层及第一栅极结构。基板包括第一台面结构与第二台面结构；隔离结构延伸于第一台面结构与第二台面结构之间；第一纳米结构的垂直堆叠直接位于第一台面结构上；多...

本发明提供一种电路以及用于振荡器的电路，所述电路包括电压限制单元、连接至电压限制单元的电压侦测单元、以及连接至电压侦测单元的电源追踪偏压单元。电压限制单元包括第一电压限制单元及第二电压限制单元。电压侦测单元包括被配置成在输入讯号中侦测第...

本公开的实施例提供了具有使用掩埋源极/漏极部件形成的背侧源极/漏极接触件以及形成在掩埋源极/漏极部件和源极/漏极区域之间的半导体盖层的半导体器件。掩埋源极/漏极部件和半导体盖层能够实现自对准背侧源极/漏极接触件和背侧隔离。半导体盖层在背...

一种存储器器件包括位于半导体衬底上的存取晶体管的二维阵列；嵌入介电材料层中并电连接到存取晶体管的电节点的金属互连结构；以及嵌入介电材料层中的电阻存储器结构的二维阵列。金属互连结构包括位于第一金属线层级并沿第一水平方向横向延伸的两个第一源...

一种半导体结构，包括一基底、延伸至基底上方的多个半导体结构、设置于基底及半导体结构上方的多层内连线以及垂直延伸穿过基底及多层内连线的一基底导通孔。半导体结构包括具有一第一金属栅极位于其上的一第一半导体结构及具有一第二金属栅极位于其上的一...

本揭示文件提供一种半导体装置及半导体电路，半导体装置包含电平转换电路及偏压产生电路。电平转换电路用以产生与第一电压域中的输入信号对应的第二电压域中的输出电压，其中电平转换电路包含至少厚氧化物晶体管及薄氧化物晶体管。偏压产生电路有效地耦接...

本申请的实施例提供了多栅极器件及其形成方法。方法包括形成第一互补场效应晶体管(CFET)和第二CFET。第一CFET包括第一下部晶体管和与第一下部晶体管重叠的第一上部晶体管。第二CFET包括第二下部晶体管和与第二下部三极管重叠的第二上部...

半导体装置包括基板上的通道区和相邻于通道区的源极/漏极(S/D)特征。半导体装置包括通在道区上方的栅极结构、在栅极结构上方的第一层间介电(ILD)层、在第一ILD层上方的蚀刻停止层、以及在蚀刻停止层上方的第二ILD层。钨S/D接点设置在...