本申请公开了图像传感器结构。提供了一种图像传感器结构及其形成方法。根据本公开的图像传感器结构包括：半导体衬底，该半导体衬底包括光电二极管；转移栅晶体管，设置在半导体衬底之上并具有第一沟道面积；第一电介质层，设置在半导体衬底之上；半导体层...

存储器电路包括第一存储器单元、第一缓冲器、第一逻辑电路和第一切换电路。第一存储器单元可配置为相应于接收到主休眠信号而预充电。第一缓冲器可配置为接收主休眠信号，产生延迟的主休眠信号，并将延迟的主休眠信号提供给第二存储器单元。第一逻辑电路可...

一种封装结构，包括中介层、控制单元、多个运算单元、信号传输层以及光电材料。控制单元接合到中介层，运算单元设置于控制单元周围并连接至控制单元。信号传输层形成于控制单元和运算单元中，光电材料形成于控制单元与运算单元内，且光电材料与信号传输层...

本文介绍了光学装置及其制造方法。在一实施例中，提供一种装置，其包括陷波滤波器、邻近陷波滤波器定位的光信号检测器、以及邻近陷波滤波器定位的反射镜。

公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍结构，以及栅极结构。栅极结构包括：设置在鳍结构上的高k栅极氧化物层、设置在高k栅极氧化物层上的扩散阻挡层、和设置在扩散阻挡层上的金属层。半导体器件还包括设置在扩...

一种封装结构，包含具有存储器单元以及多工器的单元芯片结构。此封装结构包含通过介电对介电接合以及金属对金属接合直接结合至单元芯片结构的中间芯片结构，且此封装结构具有感测放大器以及驱动元件。中间芯片结构不具有存储器单元。此封装结构包含接合至...

一种封装体结构，包括具有前侧表面及背侧表面的基底，以及形成于基底的前侧表面上的一电子装置。封装体结构包括形成于基底的背侧表面下方并与之直接接触的介电层，以及形成于介电层内的一第一光学装置。封装体结构也包括形成在第一光学装置下方或上方的一...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。本公开的实施例涉及在栅极结构中形成隔离结构以防止通过源极/漏极区域(EPI)、晶体管和硅衬底的电流泄漏。可以在替换栅极顺序之前或之后在栅极结构中形成隔离结构。

本公开涉及具有跟踪字线的存储器器件、其操作方法及其制造方法。一种存储器器件包括：存储器单元的第一阵列；跟踪单元的第二阵列，所述第二阵列被配置为模拟所述第一阵列；第一字线，耦合到所述第一阵列的对应一行中的对应的存储器单元并且耦合到所述跟踪...

本公开涉及后段制程电阻器结构。本公开描述了具有电介质层、沟槽、金属层、半导体层和绝缘层的电阻器结构。电介质层设置在衬底上形成的电组件上方。沟槽设置在电介质层中，并且通过电介质层的电介质区域彼此分离。金属层设置在每个沟槽的底表面和侧表面上...

一种半导体装置，包括第一导电部件形成于基板之上；第二导电部件形成于基板之上，且第二导电部件的顶表面的最高点高于第一导电部件的顶表面的最高点；第一保形介电层位于第一导电部件和第二导电部件之上；保形氧化物层位于第一保形介电层上方，保形氧化物...

本公开涉及形成具有低寄生电容的隔离区域。一种方法，包括：形成栅极堆叠，以及蚀刻栅极堆叠以形成穿透栅极堆叠的沟槽。栅极堆叠下方的电介质隔离区域暴露于沟槽，并且栅极堆叠的第一部分和第二部分被沟槽隔开。该方法包括：执行第一沉积工艺以形成延伸到...

一种集成电路包括具有一第一基板材料的一第一基板，且上述第一基板包括一第一电路。一第二基板具有和上述第一基板材料不同的一第二基板材料，且上述第二基板包括一第二电路。一导电内连线电性连接上述第一电路和上述第二电路。本公开还涉及一种射频电路。

描述了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底、设置在衬底之上的源极/漏极特征、设置在源极/漏极特征之上的栅极间隔件、以及设置在衬底之上的第一隔离沟槽结构。第一隔离沟槽包括：上部，与栅极间隔件相邻；中部，设置在上部的下方并且...

一种电浆蚀刻系统及用于电浆蚀刻系统的边缘组件。边缘组件包含：聚焦环，环绕安装于电浆蚀刻系统内的安装平台的边缘部分。聚焦环包含：下台阶部分，邻近安装平台的边缘部分，从聚焦环的底部表面垂直延伸至下台阶顶部表面；上台阶部分，远离安装平台的边缘...

一种半导体封装体，包括基板、重分布结构、第一光子布线结构、光学中介层裸晶、第二光子布线结构、光学引擎裸晶以及模制结构，重分布结构形成于基板上，第一光子布线结构设置在重分布结构上，光学中介层裸晶设置在第一光子布线结构上，第二光子布线结构设...

一种互补性金属氧化物半导体影像感测器，包含单位像素阵列，单位像素阵列包含光电二极管阵列、彩色滤光阵列、微透镜阵列及横向分离相邻彩色滤光器的栅格隔离结构。栅格隔离结构包含第一低n栅格、第二低n栅格及金属栅格，第一低n栅格比第二低n栅格窄。...

一种半导体结构，包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括处理衬底、掩埋绝缘层、和顶部半导体层；第一深沟槽隔离结构，垂直地延伸穿过顶部半导体层和掩埋绝缘层，并且包括：第一内部绝缘衬垫，在平面图中横向地围绕位于第一器件区中的顶部半导体层的第...

提供了用以形成至源极/漏极部件的低接触电阻接触件的方法。本公开的方法包括：接收包括暴露出n型源极/漏极部件的表面和p型源极/漏极部件的表面的开口的工件；选择性地在p型源极/漏极部件的表面上沉积第一硅化物层，而n型源极/漏极部件的表面基本...

根据本公开的半导体器件包括存储器阵列和互连结构，存储器阵列具有排列成行的多个存储器单元，互连结构设置在存储器单元上方，并具有耦合到排列在行中的每个存储器单元的位线。位线具有耦合到存储器单元的第一部分的第一区段和耦合到存储器单元的第二部分...