提供了一种半导体元件。该半导体元件包含一或多个导体结构和保护环。保护环包含第一部位和比第一部位高的第二部位。一或多个导体结构被保护环的第一部位横向包围。一或多个导体结构被保护环的第二部位横向包围。在保护环的一或多个第一区域，保护环的第一...

本公开涉及一种半导体装置。所述半导体装置包括主动区，从基底突出且设置在隔离结构的多个部分之间。所述半导体装置包括栅极堆叠，设置在所述主动区的通道区上。所述半导体装置包括源极/漏极部件，在所述主动区的源极/漏极区上方，其中所述源极/漏极部...

提供一种半导体结构，包含主动区域以及导体栅极。导体栅极覆盖于主动区域，其中导体栅极包含塞以及衬垫。塞具有上表面，上表面具有W型轮廓并定义了最低点。衬垫覆盖于上表面，其中衬垫沿着具有栅极界面区域的栅极界面接触塞，其中塞在上表面的最低点的水...

本揭露提供一种金属互连。金属互连包含金属插塞以及盖体。金属插塞具有一上表面，上表面具有一接缝。盖体至少部分地填充该接缝。其中该盖体的一下表面低于该金属插塞的该上表面。

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括具有多个芯片区域的衬底。在一些实施例中，半导体器件还包括介于多个芯片区域之间的多条划线。在一些实例中，半导体器件还包括分布在多条划线内的第一多个对准标记区域。在一些实施例中，半导体器件还包括分布在...

一种半导体结构，包含在基材中的光电二极管、在光电二极管上的高吸收结构、至少部分地包围高吸收结构的多个纳米级结构的阵列。纳米级结构的阵列大致以固定的间隔分开。在像素阵列的光电二极管上的纳米级结构的阵列改善短波长光线的量子效率，例如绿光及蓝...

一种半导体装置包括配置成再分布半导体晶粒的多个连接器的再分布层，其中再分布层包括嵌于介电材料中的多个导电衬垫。再分布层包括第一导电衬垫、第二导电衬垫和至少一个导线，第一导电衬垫包括第一边界尺寸，第二导电衬垫包括第二边界尺寸，导线垂直于第...

本申请公开了具有灰度级补偿的检查系统及方法。一种方法，包括：通过扫描掩模生成第一图像；在生成第一图像之后，在光刻操作中曝光掩模；在曝光之后，通过扫描掩模生成第二图像；通过对第二图像执行灰度级图局部补偿来生成经补偿的第三图像，灰度级图局部...

一种包括记忆体阵列的记忆体装置，其中记忆体阵列包括多个一次性可程序化记忆体单元。多个一次性可程序化记忆体单元中的各者包括选择晶体管、二极管和导体熔丝。二极管和导体熔丝串联，且选择晶体管耦合至二极管和导体熔丝之间的共同节点。

本文揭示了集成电路，包含基板，基板具有由介电隔离区分隔的第一主动区及第二主动区。第一鳍存在于第一主动区中，第一鳍包含垂直于介电隔离区的较长的第一部分及平行于介电隔离区的较短的第二部分。第二鳍存在于第二主动区中，第二鳍包含垂直于介电隔离区...

公开光学装置与其制造方法，其贴合光学装置与其他装置如激光晶粒的步骤，早于接合光学装置与激光晶粒至其他装置的步骤。光学装置与激光晶粒分隔的距离不大于约10微米。

一种光学装置，包括基板材料以及从基板材料的第一侧延伸至基板材料的第二侧的光纤开口，其中在基板材料的第一侧的光纤开口从基板材料的第二侧水平地或垂直地偏移。

描述了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底之上的第一半导体材料以及设置在第一半导体材料上的电介质层。电介质层包括掺杂剂。该结构还包括设置在电介质层上的第二半导体材料、与第二半导体材料接触的第一半导体层、以及与第一半导体层...

本公开涉及具有带底部电介质的外延源极/漏极区域的半导体器件。本公开的实施例提供了包括图案化或降低的底部电介质层的全环绕栅极FET器件。底部电介质层防止随后形成的外延源极/漏极区域体积损失，并且在沟道区域中诱发压缩应力以防止应力损失和沟道...

本申请提供了用于减少纳米片损失的掩模的选择性沉积。一种方法，包括：形成突出鳍，形成包括第一电介质层以及在第一电介质层之上的第二电介质层的复合电介质层。第一电介质层包括位于突出鳍的顶表面上的第一顶部部分和位于突出鳍的侧壁上的侧壁部分。第二...

本技术实施例涉及一种封装结构，其包括：封装衬底；封装模块，位于封装衬底上；热界面材料(TIM)层，位于封装模块上；以及封装盖，位于热界面散热层上。所述封装盖包括：封装盖脚部分，贴合至封装衬底；以及封装盖板部分，位于所述封装盖脚部分上并包...

本公开提供一种半导体装置，包括含有纳米结构装置的第一电路区域及与第一电路区域偏移的第二电路区域。纳米结构装置具设置在多个第一半导体层中的多个纳米结构的垂直堆叠，及包裹环绕垂直堆叠的多个纳米结构的栅极结构。第二电路区域包括电性连接至纳米结...

一种半导体装置，包含第一纳米结构的堆叠物、第一栅极结构、多个第二纳米结构的堆叠物、第二栅极结构以及第一隔离结构。第一纳米结构各包含第一宽度的通道区；第一栅极结构位于第一纳米结构的堆叠物上，并围绕第一纳米结构的每一个，第一栅极结构的第一末...

本申请涉及具有多波长光源的检测系统及方法。一种方法包括：在多波长光源的光路中定位衬底；通过将衬底的第一区域暴露于由多波长光源选择的具有第一波段的第一光来产生第一检测结果；以及通过将衬底的第二区域暴露于由多波长光源选择的具有第二波段的第二...

本技术公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括排列成多行以及多列的一组外部连接器，其包括多个接收连接器以及多个发射连接器，对应地被配置以向半导体装置输入信息以及从半导体装置输出信息。接收连接器包括多个第一连续接收连接器的一第一接收连接...