提供了一种半导体装置。一种例示性的半导体装置包含一隔离层，位于一半导体材料上方；多个源极/漏极区，位于该隔离层上方；以及一隔离结构，位于该半导体材料的一沟槽中。

方法包括：形成伪组件，包括：在衬底中形成衬底通孔(TSV)；在TSV上方形成热结构，其中，热结构包括介电层中的金属线；在热结构上方形成接合层；以及在接合层内形成接合焊盘；将伪组件接合至封装组件；以及将半导体管芯接合至封装组件。本申请的实...

本申请涉及薄膜、薄膜‑光掩模结构以及形成半导体器件的方法。提供了一种薄膜，该薄膜包括薄膜膜，该薄膜膜具有提升的对氢等离子体的稳定性。该薄膜膜包括多个碳纳米管的网络。多个碳纳米管中的至少一个碳纳米管被多层保护涂层围绕，该多层保护涂层包括应...

本技术实施例提供一种封装结构，其中封装结构包括第一重布线路结构、半导体装置、半导体电桥管芯及第一绝缘包封体。第一重布线路结构具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。半导体装置设置在第一重布线路结构的第一侧之上。半导体电桥管芯设置在第一重布线路...

EUV光刻掩模包括：衬底；图案化吸收层，包括第一材料和第二材料。在一些实施例中，第一材料是第二行过渡金属，并且第二材料是第一行过渡金属或第二行过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减小了不期望的掩模3D效应。本申请的实施例还涉及EUV掩模及其...

本技术提供一种半导体装置。半导体装置包括：存储单元的阵列，位于基底之上，其中存储单元中的每一者包括存取晶体管的相应实例及存储器结构的相应实例，存储器结构的相应实例被配置成存储数据位元且电性连接至存取晶体管的相应实例的源极结构；以及存储器...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和电容器结构。电容器结构设置在衬底上。电容器结构包括第一电极和多个第二电极。多个第二电极中的至少一个嵌入第一电极内。

提供晶片封装结构。晶片封装结构包括布线基板。晶片封装结构包括晶片封装，位于布线基板上并电性连接至布线基板。晶片封装结构包括第一抗翘曲结构接合至布线基板。第一抗翘曲结构的组成为半导体材料，且第一抗翘曲结构与晶片封装及布线基板的布线结构电性...

一种半导体装置，包括基板、前端模块电路以及晶圆级晶片尺寸封装电路，前端模块电路位于基板之上并配置为提供射频通讯，晶圆级晶片尺寸封装电路位于前端模块电路之上并与前端模块电路连接，晶圆级晶片尺寸封装电路配置为提供用于射频通讯的被动元件。本公...

本公开的实施例提供一种真空尖头及取放工具。其可在不使晶粒变形的情况下执行集成电路晶粒的附接和分离。在一实施例中，提供一种用于运送集成电路晶粒的真空尖头。所述真空尖头包括具有顶面和底面的主体，以及形成在顶面中并进入主体的多个凹槽，其中凹槽...

本技术实施例的一种集成芯片包括位于半导体衬底中且沿衬底的顶表面在侧向上间隔开的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。栅极介电层位于衬底之上且在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在侧向上延伸。栅极介电层的沿栅极介电层的第一侧壁的厚度小于...

揭露一种记忆体元件。记忆体元件包含记忆体单元，记忆体单元包含晶体管以及复数对串联耦合至晶体管的电阻器。每一对电阻器都包含第一电阻器以及第二电阻器。晶体管沿着基材的主要表面延伸。至少电阻器的第一对形成于多个金属层中的第一者。多个电阻器层中...

提供装置包含：光子集成电路；激光晶粒，包括焊垫；以及第一光纤，包含：第一光纤的第一端，熔接至光子集成电路的表面，其中在第一光纤的第一端与光子集成电路的表面之间存在第一熔融接合；及第一光纤的第二端，熔接至焊垫，其中在第一光纤的第二端与焊垫...

本技术的各种实施例是关于一种集成电路，包括：基底；阱，形成于基底的一部分之上；堆叠结构，形成于阱的第一部分之上；经掺杂的外延结构，形成于阱的与堆叠结构相邻的第二部分之上且位于由阱的第一部分的上表面界定的平面下方；以及源极/漏极区，形成于...

本公开实施例提供了半导体器件及其制造方法。根据一个实施例的方法包括：形成从衬底突出的多个鳍；在鳍上方形成第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；以及在鳍上方沉积覆盖结构。覆盖结构的第一部分在第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间延伸。方法也...

描述了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括设置在有源器件区中的衬底上方的第一栅极结构、设置在无源器件区中的衬底上方的绝缘材料、设置在无源器件区中的绝缘材料上方的电阻器结构、电连接到电阻器结构的第一导电接触件、设置在电阻器结构...

本公开实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：在半导体衬底上形成沟道层和牺牲层的外延堆叠件；图案化外延堆叠件以在第一区域中形成第一鳍形结构并且在第二区域中形成第二鳍形结构；蚀刻第一鳍形结构以形成第一源极/漏...

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括基底以及设置在所述基底上的多个栅极结构。多层互连，设置在所述基底以及所述栅极结构上方。基底通孔，垂直延伸穿过所述基底以及所述多层互连。在一个实施例中，所述基底通孔在剖面图中具有第一侧壁，其中所述第...

本揭示内容是关于一种半导体装置。一种在浅沟槽隔离区上方的非主动栅极结构，此浅沟槽隔离区相邻于包括鳍式晶体管的半导体装置的至少一个鳍片结构。非主动栅极结构包括至少一个支撑结构，此支撑结构自栅极沿一个方向延伸，此方向与非主动栅极结构的主体延...

本申请涉及一种集成电路驱动器及集成电路，集成电路驱动器包括与第二类型晶体管的叠接布置串联耦合的第一类型晶体管的叠接布置，第二类型晶体管不同于第一类型晶体管。每一叠接布置包括：有源区域，在第一方向上延伸；栅极结构，垂直于第一方向延伸且在与...