本技术提供一种光学模块。波导，包括肋且还包括分别位于所述肋的相对侧的第一凸起和第二凸起。此外，波导由第一半导体部分形成。光侦测器位于波导中并包括肋中的PN结。PN结的P型区延伸至第一凸起，PN结的N型区延伸至第二凸起。此外，第一凸起和第...

本发明提供了一种集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括具有第一衬底和延伸穿过第一衬底的第一通孔的第一管芯、沿着第一衬底的侧壁的第一间隙填充层、第一衬底的表面和第一间隙填充层的表面上的隔离层、隔离层上的第一接合层以及第一接合层...

本技术的各种实施例针对包括设置在半导体衬底上的电阻结构的集成芯片。介电结构设置在半导体衬底上方。电阻结构设置在介电结构内。电阻结构包括薄膜电阻(TFR)层以及设置在薄膜电阻层上的第一覆盖结构。第一孔穴设置在介电结构内且邻接第一覆盖结构的...

本技术的实施例提供一种半导体装置包括：多个单一位正反器区，包括多位正反器区；多位正反器区具有由格栅表示的二维平面布置图，格栅包括在对应的第一方向及对应的垂直的第二方向上延伸的行及第一列，多个单一位正反器区中的每一单一位正反器区表示行中对...

实施例是一种形成半导体封装结构的方法，该方法包括形成第一管芯，形成第一管芯包括在第一衬底中形成贯通孔。该方法还包括在贯通孔和第一衬底上方形成第一再分布结构，第一再分布结构电耦接到贯通孔。该方法还包括在第一再分布结构上方形成第一组管芯连接...

本发明提供一种与模拟ECO流程相结合的集成电路的设计方法。一种实例性方法包括接收初始设计以及实行自动标记过程。自动标记过程包括：实行第一自动标记过程以利用对应于第一多个工程变更命令(ECO)胞元的第一计算机辅助设计(CAD)层环绕设计的...

提供化学机械抛光装置以及用于化学机械抛光装置的固定环。化学机械抛光装置包括抛光垫；抛光头，配置以接收晶圆并将晶圆保持在抛光垫上；及固定环，配置以与抛光头接合，其中固定环形成有多个通道，通道配置以使浆料沿流动方向从固定环的外部流至固定环的...

本技术提供一种半导体封装体。所述半导体封装体包括中介模组、热界面材料(TIM)层、TIM层保护结构及封装盖。中介模组位于封装基板上。TIM层位于中介模组上。TIM层保护结构位于TIM层的侧表面及中介模组的侧表面上。封装盖位于中介模组、T...

一种半导体装置包括第一记忆体单元、第二记忆体单元、第三记忆体单元和第四记忆体单元，操作性地排列于多个列的第一者，并且分别操作性地排列于多个行的第一者、第二者、第三者和第四者。第一列操作性地对应第一对位元线和第二对位元线。第一至第四行分别...

一种半导体装置包含一基板、两个隔离介电区及一虚设栅极区。两个隔离介电区在基板之上。一虚设栅极区位于两个隔离介电区之间。虚设栅极区包括一沟槽对、一浅沟槽隔离层及一介电层。沟槽对在基板中。浅沟槽隔离层在沟槽对之间。介电层位于沟槽对、浅沟槽隔...

提供了晶圆固定器件。晶圆固定器件包括配置为支撑半导体晶圆的台板和固定器组装件。固定器组装件包括：安装构件，耦合至台板；杠杆；以及偏置构件，包括耦合至杠杆的第一端和耦合至安装构件的第二端。偏置构件配置为将杠杆偏置至相对于台板的关闭位置。当...

互连结构包括衬底、位于衬底上方的第一介电层、位于第一介电层上方的第二介电层、位于第二介电层上方的第三介电层和超通孔。第一介电层形成有第一金属沟槽。第二介电层形成有金属板和连接通孔。连接通孔互连金属板和第一金属沟槽。超通孔穿透第三介电层并...

本公开的各个实施例针对具有位于衬底上面的互连结构的集成芯片。互连结构包括设置在介电结构中的导线。导线包括主体结构。钝化结构位于互连结构上面。接合焊盘位于钝化结构上面。接合焊盘包括位于钝化结构上的上部焊盘结构以及穿过钝化结构延伸至导线的多...

本发明的实施例提供了一种电路，包括连接在第一和第二节点之间的第一电容性器件、连接在第三和第四节点之间的第二电容性器件，连接在第一节点和电压节点之间的第一开关器件，连接在第二节点和参考电压节点间的第二开关器件，连接在第三节点和电压节点之间...

一种影像感测装置，包含：包含多个像素感测器的像素感测器阵列。多个晶体管可以与影像感测装置的后段工艺区电性连接。影像感测装置还可以包含接合焊垫区，其中包含接合焊垫。介电插塞可以围绕接合焊垫的一部分，且可以完全地延伸穿过半导体装置区，以为像...

一种半导体结构包括第一半导体基材、第一互连结构、第二互连结构、含金属的直通硅穿孔以及介电质直通硅穿孔。第一互连结构位于第一半导体基材的前侧上。第二互连结构位于第一半导体基材的背侧上。含金属的直通硅穿孔穿过第一半导体基材并与第一互连结构和...

堆叠式半导体装置包括第一裸晶，及接合至第一裸晶的第二裸晶、第三裸晶及散热元件。散热元件为一体成型，且分别邻近于第二裸晶与第三裸晶的至少二边缘。

提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：半导体衬底；多个晶体管，设置在半导体衬底上，并且包括沿着第一方向纵向延伸的多个栅极结构；金属化层，设置在多个晶体管上方，金属化层包括多个金属层和多个接触通孔；介电层，位于金属化层上方；多个介...

本技术提供一种包括处理衬底的集成芯片(integrated chip，IC)；半导体层包括光栅耦合器区域和边缘耦合器区域；处理衬底和半导体层之间的绝缘层；光栅耦合器位于光栅耦合器区域，包括布置在半导体层中的多个沟槽；边缘耦合器位于半导体...

一种半导体封装件包括：封装组件，包括位于衬底的第一侧上的互连结构；金属焊盘，位于互连结构上；半导体管芯，连接至衬底的第二侧；介电材料，围绕封装组件；钝化层，在封装组件上方和介电材料上方延伸；第一缓冲层，位于钝化层上方，其中，第一缓冲层在...