【技术实现步骤摘要】
本揭露有关于化学机械抛光装置。特别是有关于用于化学机械抛光装置的固定环。
技术介绍
1、半导体或集成电路(integrated circuit,ic)装置是使用复杂的制造工艺构建的，这些工艺形成多个彼此堆迭的不同层。这些多层使用微影技术进行图案化，其中光敏光阻材料选择性地暴露在光线下。例如，微影用于限定形成在彼此之上的后端金属化层。为了确保所形成的金属化层具有良好的结构清晰度，图案化的光必须被适当地聚焦。为了正确地聚焦图案化的光，工件必须基本上是平面的以避免焦深问题。
2、化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)是一种广泛使用的工艺，利用化学力和机械力对半导体工作件进行整体平坦化。平坦化使得工作件为后续层的形成做好准备。典型的cmp工具包括覆盖有抛光垫的旋转台板。浆料分配系统配置以向抛光垫提供具有化学成分和磨料成分的抛光混合物。然后使工作件与旋转的抛光垫接触以使工作件平坦化。cmp是一种受欢迎的工艺，因为cmp可以实现整个晶圆表面的全域平坦化。cmp工艺用以抛光并去除晶圆上的材料，适...
【技术保护点】
1.一种化学机械抛光装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各该流动截面积沿该流动方向减小5％至95％。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各所述多个通道的一最大流动截面积为5至500平方毫米。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各所述多个通道的长度为0.5至50毫米。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各所述多个通道的该流动截面积连续减小。
6.一种用于化学机械抛光装置中环绕晶圆的固定环，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各该流动截面积沿该流动方向减小5％至95％。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各所述多个通道的一最大流动截面积为5至500平方毫米。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，其中各所述多个通道的长度为0.5至50毫米。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：林政锜，沈稘翔，侯德谦，张棠贵，刘啟人，黃惠琪，陈科维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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