【技术实现步骤摘要】
本揭露的实施例实质是关于一种影像感测装置。
技术介绍
1、互补金氧半导体(complementary metal oxide semiconductor；cmos)影像感测器可以包含多个像素感测器。cmos影像感测器的像素感测器可以包含转移栅极晶体管，其可以包含光电二极管和转移栅极，其中光电二极管配置以将入射光的光子转换为电子的光电流，转移栅极配置以控制光电二极管和漏极区之间的光电流的流动。可以配置漏极区以接收光电流，使得光电流可以被测量和/或被转移至cmos影像感测器的其他区域。
技术实现思路
1、一种影像感测装置包含感测晶粒以及电路晶粒。电路晶粒与感测晶粒在接合界面接合，以及其中感测晶粒包含像素感测器，像素感测器包含感测区以及控制电路区。感测区包含位于感测晶粒的装置区的光电二极管。控制电路区位于装置区的下方，包含转移栅极晶体管、重置栅极晶体管、多个源极随耦晶体管、电容器以及列选择晶体管。重置栅极晶体管与转移栅极晶体管电性连接，多个源极随耦晶体管与转移栅极晶体管和重置栅极晶体管电性连接，电容器与此些源极随耦晶体管电性连接，列选择晶体管与电容器电性连接。
2、一种影像感测装置包含感测晶粒、电路晶粒及电容器。感测晶粒包含像素感测器的感测区中的光电二极管，其中像素感测器包含在像素感测器阵列中；转移栅极晶体管，包含在感测晶粒的第一控制电路区中，与光电二极管电性连接；重置栅极晶体管，包含在第一控制电路区中，与转移栅极晶体管电性连接；以及列选择晶体管，包含在第一控制电路区中。电路
3、一种影像感测装置包含感测晶粒以及电路晶粒。感测晶粒包含像素感测器。像素感测器包含感测区以及第一控制电路区。感测区包含感测晶粒的装置区中的光电二极管。第一控制电路区位于感测区下方，包含转移栅极晶体管、重置栅极晶体管、多个源极随耦晶体管以及列选择晶体管。重置栅极晶体管与转移栅极晶体管电性连接。多个源极随耦晶体管与转移栅极晶体管和重置栅极晶体管电性连接。电路晶粒与感测晶粒在接合界面接合，包含第二控制电路区。第二控制电路区包含电容器，此电容器与此些源极随耦晶体管和此列选择晶体管电性连接。
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1.一种影像感测装置，其特征在于，包含：
2.一种影像感测装置，其特征在于，包含：
3.一种影像感测装置，其特征在于，包含：
4.如权利要求1、2或3所述的影像感测装置，其特征在于，其中该电容器包含于该感测晶粒的一后段工艺区中。
5.如权利要求4所述的影像感测装置，其特征在于，其中所述多个源极随耦晶体管和该电容器与该感测晶粒的该后段工艺区中的一相同金属化层电性连接。
6.如权利要求4所述的影像感测装置，其特征在于，其中所述多个源极随耦晶体管与该感测晶粒的该后段工艺区中的一第一金属化层电性连接；
7.如权利要求1或3所述的影像感测装置，其特征在于，其中该感测晶粒还包含：
8.如权利要求7所述的影像感测装置，其特征在于，其中该感测晶粒还包含：
9.如权利要求1、2或3所述的影像感测装置，其特征在于，其中该电容器垂直地位于所述多个源极随耦晶体管的下方。
10.如权利要求1、2或3所述的影像感测装置，其特征在于，其中该感测晶粒还包含：
【技术特征摘要】
1.一种影像感测装置，其特征在于，包含：
2.一种影像感测装置，其特征在于，包含：
3.一种影像感测装置，其特征在于，包含：
4.如权利要求1、2或3所述的影像感测装置，其特征在于，其中该电容器包含于该感测晶粒的一后段工艺区中。
5.如权利要求4所述的影像感测装置，其特征在于，其中所述多个源极随耦晶体管和该电容器与该感测晶粒的该后段工艺区中的一相同金属化层电性连接。
6.如权利要求4所述的影像感测装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢丰键，郑允玮，胡维礼，李国政，吴振铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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