本揭露揭示一种晶圆堆叠。晶圆堆叠包含第一晶圆元件、第二晶圆元件及第三晶圆元件的晶圆堆叠。第一晶圆元件包含前侧及背侧。晶圆堆叠亦包含具有前侧及背侧的第二晶圆元件，使得第二晶圆元件的前侧接合至第一晶圆元件的前侧。此外，晶圆堆叠包含具有前侧及...

一种半导体装置，包含多个像素感测器的阵列以及深沟槽隔离结构。这些像素感测器的阵列包含光电二极管，其由至少一个隔离结构实体分区，其中至光电二极管的入射光由至少一个隔离结构相分离开。深沟槽隔离结构，至少部分地围绕阵列的这些像素感测器。像素内...

本揭露提供一种半导体装置及其制造方法。在通过金属栅极结构来取代半导体装置的多晶硅虚拟栅极结构的替换栅极工艺后，可以通过接续式扩散边缘上金属(continuous metal on diffusion edge，CMODE)在半导体装置中...

一种半导体装置，包含：至少一个像素感测器以及光学阻挡区域。光学阻挡区域邻近于所述至少一个像素感测器并包含：基板、介电质层、和金属层。介电质层在基板上方。金属层在介电质层上方，包括纳米级栅格并且被配置以将光反射远离所述至少一个像素感测器。...

本文描述了EUV掩模及其制造方法。示例性方法包括接收具有多层结构、设置在多层结构上方的覆盖层、设置在覆盖层上方的图案化吸收剂层以及设置在图案化吸收剂层上方的图案化硬掩模的EUV掩模。方法还包括通过实施第一蚀刻工艺以部分去除图案化硬掩模以...

一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包括：多个第一记忆体单元，其各自具有耦接至一第一节点的一第一端子及耦接至多个第一位元线中的一对应第一位元线的一第二端子；多个第二记忆体单元，其各自具有耦接至一第二节点的一第一端子及耦接至多个第二位元...

本技术提供一种集成芯片，包括半导体衬底。半导体衬底包括具有第一掺杂类型的第一区域、具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二区域以及具有第二掺杂类型的第三区域。光电探测器位于半导体衬底中。光电探测器至少部分地由第一区域与第二区域形成。第...

一种半导体装置及半导体结构，半导体装置包含第一保护层及重布层。第一保护层位于基板上方，且含有内嵌的金属‑绝缘体‑金属电容器。重布层形成在第一保护层之上，重布层包含第一重布层结构和第二重布层结构，第一重布层结构通过介电质填充开口与第二重布...

一种多层半导体封装组件、应力调节装置及其制造方法，应力调节装置包括半导体基板、形成在半导体基板的第一侧上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的第二绝缘层、形成在半导体基板的第二侧上方的第三绝缘层、形成在第三绝缘层上方的第四绝缘层，以及形...

一种光酸产生剂、光阻剂组成物及微影术方法，光酸产生剂包含一光活性阳离子及一阴离子。该光活性阳离子包含一部分及一或多个EUV吸收原子。该部分包含鎓盐、硒盐、鏻盐、碘盐或锍盐。该一或多个EUV吸收原子附接至该部分。该阴离子附接至该光活性阳离子。

在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置，包括：位于半导体鳍片之上的源极/漏极区；位于半导体鳍片之上且邻近源极/漏极区的栅极结构，栅极结构包括栅极间隔层，栅极间隔层具有第一粗糙度；位于源极/漏极区之上的多个第介电层；第一接触插塞，电...

一种影像感测器装置包含像素感测器阵列及黑阶校正(BLC)区域。黑阶校正区域包含在基材中的感测区域及在感测区域上的光阻挡层。抗反射阵列是形成在光阻挡层中。抗反射阵列包含孔洞、沟渠及/或其他结构特征，以使光阻挡层包含两个或更多区域，其中光阻...

本技术的各种实施例是关于一种集成电路装置，包括均在第一方向上延伸的第一类型主动区半导体结构与第二类型主动区半导体结构二者。第二类型主动区半导体结构与第一类型主动区半导体结构进行堆栈。所述集成电路装置也包括位于所述两个主动区半导体结构上方...

一种集成电路、半导体装置及操作半导体装置的方法。集成电路包括连接至位元线及互补位元线的感测放大器；用以储存数据信号并回应于字元线信号在位元线及互补位元线中的至少一者上选择性地输出数据信号的第一记忆体单元；连接于用以接收第一外部电压的第一...

一种封装结构。所述封装结构包括半导体芯片、介电结构、保护层及重分布结构。介电结构与半导体芯片横向间隔，其中介电结构具有第一介电常数。保护层围绕半导体芯片与介电结构，其中保护层具有第二介电常数，且第二介电常数低于第一介电常数。重分布结构在...

本技术实施例涉及互连结构。互连结构包括被邻接介电质包围并设置在衬底上的第一金属线和第二金属线。第一介电层设置在第一金属线上，具有贯孔延伸穿过第一介电层并上覆于第一金属线的第一接点区。第二介电层设置在第一介电层、第一金属线和第二金属线上，...

本技术实施例的各种实施例提供光学装置偏振旋转器和模态转换器。本技术实施例的光学装置包括偏振旋转器和模态转换器。偏振旋转器包括具有第一端和第二端的直波导段、从第二端延续的第一加宽波导段、从第一加宽波导段延续的第一渐缩波导段、设置在第一加宽...

本技术实施例的各种实施例涉及一种半导体封装件包括：第一晶体管、第一导通孔、第二导通孔、第三导通孔、第一内连线结构以及第二内连线结构外部连接件。第一导通孔及第二导通孔从第一衬底的前侧延伸到背侧。第三导通孔从第一晶体管延伸到第一衬底的背侧。...

本技术的实施例提供一种半导体装置包括：第一接合层；基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷的化合物的第一层，在第一接合层和第一集成电路之间，其中第一集成电路与第一集成电路管芯相关联；第二接合层，与第一接合层接合；以及基于硅氮烷的化合物或基于硅氮烷...

本技术提供一些实施例涉及IC装置。IC装置包括包含多个画素方块的第一芯片，多个画素方块分别包括第一多个导电垫中的一个，多个画素方块排列在第一方向延伸的行中和在垂直于第一方向的第二方向延伸的列中；在接合接口处接合到第一芯片的第二芯片，其中...