【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种影像感测器装置，特别是关于一种包含黑阶校正区域的影像感测器装置。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)影像感测器(cmos image sensor，cis)装置利用感光cmos电路，以将光能转换成电能。感光cmos电路可包含形成在硅基材中的光电二极管。当光电二极管暴露至光线，电荷是在光电二极管中诱发(称为光电流)。光电二极管可耦合至切换晶体管(switching transistor)，其是用来取样光电二极管的电荷。颜色可通过放置过滤器在光敏cmos电路上来判定。
2、cis装置的像素感测器所接收的光一般是基于三原色：红色、绿色及蓝色(r、g、b)。感测每一种色光的像素感测器可通过彩色滤光片的使用来定义，其是使特定颜色的光波长穿透至光电二极管。一些像素感测器可包含近红外光(near infrared，nir)滤通器，其阻挡可见光，并使近红外光穿透至光电二极管。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，其中在该光阻挡层的一非凹陷部分中的该光阻挡层的一顶表面在该影像感测器装置中的一第一高度上，且该第一高度大于在所述多个凹陷部分的一凹陷部分中的该光阻挡层的该顶表面的一第二高度。
3.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，其中所述多个凹陷部分在该抗反射阵列中排列为一网格图案。
4.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，其中所述多个凹陷部分在该抗反射阵列中排列为一偏移图案。
5.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，其中在该光阻挡层的一非凹陷部分中的该光阻挡层的一顶表面在该影像感测器装置中的一第一高度上，且该第一高度大于在所述多个凹陷部分的一凹陷部分中的该光阻挡层的该顶表面的一第二高度。
3.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，其中所述多个凹陷部分在该抗反射阵列中排列为一网格图案。
4.如权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，其中所述多个凹陷部分在该抗反射阵列中排列为一偏移...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国政，林炳豪，郑允玮，黄柏阁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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