多层半导体封装组件、应力调节装置及其制造方法制造方法及图纸

一种多层半导体封装组件、应力调节装置及其制造方法，应力调节装置包括半导体基板、形成在半导体基板的第一侧上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的第二绝缘层、形成在半导体基板的第二侧上方的第三绝缘层、形成在第三绝缘层上方的第四绝缘层，以及形成在第四绝缘层上方的第五绝缘层，用于并入多堆叠封装组件中，以减少封装组件内主动元件上的应力、应变和/或翘曲。

【技术实现步骤摘要】

本揭露关于一种多层半导体封装组件、应力调节装置及应力调节装置的制造方法。

技术介绍

1、半导体元件用于各种电子应用，例如个人计算机、单元手机、数字相机和其他电子设备。半导体元件是通过相继地在基底上沉积绝缘或材料的介电层、导电层和半导体层来制造的，而图案化各种材料层使用微影在其上形成电路构件和组件。随着半导体行业追求更高的元件密度、更高的效能和更低的成本而进入纳米技术工艺节点，在制造和设计问题上的挑战因而发展了三维设计，其包含，例如，金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-silicon field effect transistors，mos-fet)、场效晶体管(field effecttransistors，fet)、鳍式场效晶体管(fin field effect transistor，finfet)、环绕式栅极(gate-all-around，gaa)装置(纳米线/纳米片)、gaa装置配置为互补式场效晶体管(complementary field effect transistor，cfet)装置以及多桥通道场效晶体管(multi-br本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应力调节装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的应力调节装置，其特征在于，其中：

3.一种制造一应力调节装置的方法，其特征在于，包含：

4.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

5.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

6.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

7.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

8.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

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【技术特征摘要】

1.一种应力调节装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的应力调节装置，其特征在于，其中：

3.一种制造一应力调节装置的方法，其特征在于，包含：

4.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

5.如权利要求3所述的制造该应力调节装置的方法，其特征在于，还包含：

6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹传正，杨松鑫，张任远，蒋振劼，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：