晶圆堆叠制造技术

技术编号:43895384 阅读:21 留言:0更新日期:2025-01-03 13:09
本揭露揭示一种晶圆堆叠。晶圆堆叠包含第一晶圆元件、第二晶圆元件及第三晶圆元件的晶圆堆叠。第一晶圆元件包含前侧及背侧。晶圆堆叠亦包含具有前侧及背侧的第二晶圆元件,使得第二晶圆元件的前侧接合至第一晶圆元件的前侧。此外,晶圆堆叠包含具有前侧及背侧的第三晶圆元件,使得第三晶圆元件的前侧接合至第二晶圆元件的背侧。第一晶圆元件包含一或多个光电二极管形成于背侧上的复合金属网格阵列。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是关于一种晶圆堆叠


技术介绍

1、半导体装置用于诸如个人计算机、手机、数字相机及其他电子装备的各种电子应用程式中。通常通过以下步骤来制造半导体装置:在半导体基板上方按顺序沉积绝缘或介电层、导电层及半导电材料层以及使用微影技术来使各种材料层图案化以在这些材料层上形成电路元件及组件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。

2、随着半导体技术的进一步进阶,已经出现了堆叠式半导体装置,例如三维集成电路,以进一步减小半导体装置的实体大小。在堆叠式半导体装置中,在不同的半导体晶圆上制造各种电路。半导体晶圆接着可彼此叠置,以实现半导体装置的较小形状因子。


技术实现思路

1、根据一些实施例,提供了晶圆堆叠,晶圆堆叠包含具有前侧及背侧的第一晶圆元件。晶圆堆叠亦包含具有前侧及背侧的第二晶圆元件,使得第二晶圆元件的前侧接合至第一晶圆元件的前侧。此外,晶圆堆叠包含具有前侧及背侧的第三晶圆元件,使得第三晶圆元件的前侧接合至第二晶圆元件的背侧。第一晶圆元件为系统晶片,且至少一光电二极管形成于第一晶圆元件的背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆堆叠,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该第二晶圆元件包括:

3.如权利要求2所述的晶圆堆叠,其特征在于,进一步包括电接触该至少一晶体管的至少一金属-绝缘体-金属元件。

4.如权利要求3所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该至少一晶体管为一三维晶体管或一平面晶体管。

5.如权利要求4所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该第一晶圆元件进一步包括:

6.如权利要求5所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该第一晶圆元件进一步包括:

7.如权利要求5所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该第三晶圆元...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆堆叠,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该第二晶圆元件包括:

3.如权利要求2所述的晶圆堆叠,其特征在于,进一步包括电接触该至少一晶体管的至少一金属-绝缘体-金属元件。

4.如权利要求3所述的晶圆堆叠,其特征在于,其中该至少一晶体管为一三维晶体管或一平面晶体管。

5.如权利要求4所述的晶圆堆叠,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨明宪周俊豪魏嘉余李国政程仲良陈昇照
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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