【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体装置制造的进步及技术工艺节点尺寸的缩小，晶体管可能受到短通道效应(short channel effect，sce)的影响，例如热载子劣化、阻挡降低及量子限制等。此外，随着晶体管的栅极长度缩小来实现更小的技术节点，源极/漏极(s/d)电子穿隧效应增加，进而增加了晶体管的截止电流(当晶体管关闭时，流过晶体管通道的电流)。硅(si)/硅锗(sige)纳米结构晶体管，例如纳米线、纳米片及栅极全环(gate-all-around，gaa)装置，是在较小技术节点中，配置以克服短通道效应的潜在候选装置。纳米结构晶体管是高效的结构，相对于其他类型的晶体管，纳米结构晶体管可以降低sce并增强载子的迁移率。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在半导体基板上方，沿着垂直于半导体基板的方向形成多个纳米结构层，且纳米结构层包括与多个通道层交替的多个牺牲层；在纳米结构层上方形成虚拟栅极结构；去除纳米结构层的部...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中去除该金属栅极结构的该部分、被该金属栅极结构环绕的所述多个通道层的所述多个部分及该平台区包括：
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中去除该金属栅极结构的该部分、被该金属栅极结构环绕的所述多个通道层的所述多个部分及该平台区包括：
7.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中去除该金属栅极结构的该部分、被该金属栅极结构环绕的所述多个通道层的所述多个部分及该平台区包括：
6.如权利要求4所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：林子敬，戴振宇，赖俊良，吴昀铮，杨舜惠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。