本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一鳍和栅电极。第一鳍沿第一方向延伸。栅电极具有沿不同于第一方向的第二方向延伸的侧壁。栅电极的侧壁限定了在俯视视角下与第一鳍相邻的凹痕。

本申请的实施例提供了一种半导体器件结构。通过在半导体管芯或复合管芯上形成放电引导点(LPoD)结构来提供对静电放电(ESD)事件的保护。LPoD结构可以包括ESD路径金属结构上的上突出部分、中间金属材料部分、高度大于未提供ESD保护的正...

提出了光学器件和制造方法，其中利用多层级连接件来向光学器件发送光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，多层级连接单元从光学器件的外部接收光信号，其中，光信号最初位于多个层中。然后，多层级连接单元将光信号布线至单个层的光学组件中。本申...

本公开涉及图像传感器中的外延结构。公开了一种具有图像传感器的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、具有像素结构的像素区域、与像素区域相邻的具有隔离结构的隔离区域、以及与隔离区域相邻的具有焊盘结构的接触焊盘区域。像素结构包括外延...

提供一种晶圆切割方法包括：用掺杂物植入基底，以在基底内形成一植入层，并且植入层位于基底的上表面与下表面之间的中间高度处。以一激光光束照射于植入层上，并且照射至基底的侧壁上。在照射激光光束后，对基底进行加热，使得基底切割于植入层处，并切割...

本公开涉及半导体器件的导电特征及其形成方法。一种方法包括：在第一电介质层之上形成导电层；在所述导电层中蚀刻出凹部，其中，所述凹部暴露所述第一电介质层的顶表面；在所述凹部内的导电层的暴露侧壁上选择性地沉积帽盖层；在所述帽盖层上沉积内衬；在...

本公开涉及图像传感器。根据本公开的半导体器件包括：半导体层；多个金属隔离特征，设置在半导体层中，其中，一些金属隔离特征延伸穿过衬底以提供相邻光电探测器之间的完全隔离，并且一些金属隔离特征部分地延伸穿过半导体层以提供相邻光电探测器之间的部...

描述半导体装置结构的形成方法。在一些实施例中，此方法包含形成栅极电极；在栅极电极上方形成遮罩结构；将遮罩结构图案化，以形成开口；以及通过施加具有第一脉冲方案的第一电源功率及第一偏压电源对栅极电极进行第一蚀刻制程。第一偏压电源具有第一频率...

本公开涉及具有覆盖标记的光刻掩模及相关方法。一种方法，包括：生成与要在掩模中形成的实际掩模覆盖标记相关联的设计掩模覆盖标记；基于设计掩模覆盖标记在掩模中形成实际掩模覆盖标记，实际掩模覆盖标记包括多个覆盖图案；形成与实际掩模覆盖标记相邻的...

本揭示提供半导体装置及其形成方法。方法包括在基板上形成多个结构；在结构之间形成一层；执行第一蚀刻工艺，以使层凹陷至具有锯齿状轮廓的表面；可选地在表面上形成一个或多个薄膜，其中此一个薄膜或多个薄膜保留锯齿状轮廓；在基板上沉积材料；选择性地...

本公开提供一种半导体晶圆处理工具，包括导电夹持环和多个抓取顶针，其中半导体晶圆处理工具配置成在打开配置和关闭配置之间变化，在打开配置时的抓取顶针的顶表面分隔于导电夹持环的上表面上方以承接半导体晶圆，在关闭配置时的抓取顶针的顶表面没有分隔...

半导体装置包括感测元件及滤波器。感测元件包括感测电极，且滤波器覆盖感测电极。滤波器包括第一功函数层及第二功函数层。第一功函数层设置于感测电极上方。第二功函数层设置于第一功函数层上方。第二功函数层的功函数值大于第一功函数层的功函数值，且第...

一种集成电路设计实现系统、验证方法及计算机程序产品。集成电路设计实现系统包含合成工具，用以：接收每个第一元件的行为描述；基于多个第一元件的行为描述产生多个第一网络连线表；接收多个第二元件的连接信息，连接信息包含多个第一元件及多个第二元件...

一种半导体装置，包括基板，基板包括形成于基板上的FinFET区，其中FinFET区包括一或多个鳍片。半导体装置进一步包括形成于基板上并设置邻近一或多个鳍片旁边的一或多个装置隔离结构。此外，半导体装置包括形成于一或多个鳍片的一部分上的增强层。

一种混合还原物理气相沉积法及物理气相沉积设备，方法包含将晶圆定位在物理气相沉积设备的静电吸盘上，且晶圆包含暴露出导电特征的开口。设定晶圆的温度为室温。通过物理气相沉积设备在开口处沉积钨薄膜，且钨薄膜包含位于从开口暴露的导电特征的上表面上...

公开了一种存储器中计算系统、存储器中计算电路以及该存储器中计算系统和电路的操作方法。在一个方面，一种器件包括计算电路、存储器阵列和控制器。控制器可以确定到计算电路的一个或多个输入数据位或者从存储器阵列提供的一个或多个存储器位都处于第一逻...

存储器器件包括具有彼此耦合的晶体管和电阻器的存储器单元，其中存储器单元位于第一侧上，并且晶体管还包括设置在衬底的第一区域中的多个第一子晶体管。存储器器件包括设置在衬底的第二区域中的多个第二子晶体管。存储器器件还包括设置在第二侧上的第一互...

半导体器件包括：存储器单元，随机呈现第一逻辑状态或第二逻辑状态并且形成在衬底的第一侧上；以及第一位线和第二位线，形成在衬底的与第一侧相对的第二侧上。存储器单元包括：编程晶体管，具有第一源极/漏极端子和第二源极/漏极端子；第一读取晶体管，...

器件包括：衬底；半导体沟道堆叠件，位于衬底上；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极区域，邻接半导体沟道；以及混合结构，位于源极/漏极区域和衬底之间。混合结构包括：第一半导体层，位于源极/漏极区域下方；以及隔离区域，从第一半导体层的上表面...

一种半导体结构，包括第一电路区，所述第一电路区具有沿第一方向纵向延伸的第一鳍有源区域，每个第一鳍有源区域包括第一沟道区域；第二电路区，具有沿所述第一方向纵向延伸的第二鳍有源区域，每个所述第二鳍有源区域包括第二沟道区域；栅极连接件区，所述...