本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在衬底的第一侧上的第一开关、第二开关、第三开关和第四开关，其中第一开关和第二开关串联连接在第一参考电压和输出电压之间，并且其中，第三开关和第四开关串联连接在第一参考电压和第二...

本申请的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：多个外围晶体管，沿着衬底的第一表面形成；多个存储器单元，形成在设置在第一表面上方的多个第一金属化层中的一个或多个第一金属化层中，多个存储器单元中的每个可操作地耦合到外围晶体管的...

一种集成电路器件，包括具有多个堆叠的沟道的晶体管，每个堆叠的沟道在晶体管的源极/漏极区之间延伸。晶体管还包括位于最高沟道上方、并且在晶体管的源极/漏极区之间延伸的硬掩模纳米结构。栅极电介质和栅极金属围绕在沟道和硬掩模纳米结构周围。本申请...

示例性栅极堆叠件包括栅极电介质(例如，界面层上方的高k介电层)和栅电极(例如，高k介电层上方的功函层、功函层上方的盖和盖上方的块状填充层)。栅极堆叠件包裹和/或围绕设置在第二半导体层上方的第一半导体层。栅极电介质和功函层(而不是盖和/或...

半导体结构包括衬底以及延伸至半导体层中的第一外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第一外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第一掺杂区域。第一掺杂区域包括第一浓度的掺杂剂。半导体结构包括延伸至半导体层中的第二外延源极/漏极部件。半导体结构...

本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其制造方法。存储器器件包括存储器单元，存储器单元包括设置在衬底的前侧上的第一晶体管和第二晶体管，衬底具有第一区和第二区。存储器器件包括设置在衬底的背侧上的第一互连结构。第一晶体管的一个S/D端...

本公开的各个实施例针对包括位于半导体衬底上面的薄膜电阻器(TFR)层的集成芯片。第一导电结构设置在TFR层的外部区域上。第一导电结构包括与垂直部分相邻的横向部分。垂直部分的高度大于横向部分的高度。覆盖结构设置在TFR层的中间区域上，并且...

本技术提供用于背侧深沟槽隔离(BDTI)结构的沟槽，所述沟槽使用两种蚀刻形成：高纵横比蚀刻及口部蚀刻。沟槽具有较宽的上部部分(口部)及沟槽的下部部分。下部部分比上部部分更窄且具有更高纵横比。沟槽展现上部部分与下部部分之间的宽度的步进改变...

本文所述的一些实施提供半导体装置，包含：硅结构的层、在硅结构的层内的近红外光电二极管、在硅结构的层内的近红外发光二极管、及在近红外光电二极管与近红外发光二极管之间的深沟槽隔离结构。在硅结构的层内的近红外光电二极体二极管包含第一磊晶结构。...

一种半导体器件包括晶体管。晶体管包括：多个堆叠的沟道；源极/漏极区，连接至堆叠的沟道；以及栅极金属，围绕在堆叠的沟道周围。晶体管包括多个内部间隔件，每个内部间隔件横向地定位在栅极金属和源极/漏极区之间，并且包括栅极金属和漏极/源极区之间...

实施例是包括第一管芯的器件，并且衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。器件也包括位于衬底的第一表面上的有源器件。器件也包括位于衬底的第一表面上的第一互连结构。器件也包括穿过第一互连结构和衬底延伸至衬底的第二表面的衬底通孔，衬底通孔...

实施例包括器件，器件包括：第一管芯，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一管芯包括从第一管芯的第二表面暴露的多个衬底通孔(TSV)。器件也包括围绕多个TSV的保护环。器件也包括围绕保护环的伪金属化图案。器件也包括连接至第一管芯中的...

本申请的实施例公开了存储器器件及其制造方法，该存储器器件包括沿衬底的前侧表面形成的晶体管。存储器器件包括形成在第一金属化层中的第一熔丝电阻器，该第一金属化层相对于前侧表面垂直设置。存储器器件包括形成在第二金属化层中的第二熔丝电阻器，第二...

本公开实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：将具有(110)取向的第一半导体衬底接合在具有(100)取向的第二半导体衬底上；在第一半导体衬底上方形成堆叠件，堆叠件包括与多个牺牲层交错的多个沟道层；图案化堆...

本发明的实施例提供了一种电路，包括串联耦合的第一和第二晶体管，它们各自的栅极端连接至第一节点，以通过第一电容器接收第一信号；串联耦合的第三和第四晶体管，它们各自的栅极端连接至第二节点，以通过第二电容器接收与第一信号逻辑相反的第二信号；第...

本揭露提供一种具有保护环的半导体结构。半导体结构在俯视图中，可以包括集成电路晶粒和围绕集成电路晶粒的密封剂。集成电路晶粒可以包括具有电性装置的基板、位于基板上的互连结构并且电耦合至电性装置、在俯视图中互连结构的密封环环绕电性装置、以及至...

一种光电装置包括第一高吸收结构，第一高吸收结构穿透到半导体基板内。光电装置包括第二高吸收结构，第二高吸收结构穿透到半导体基板内并且相邻于第一高吸收结构。光电装置包括平台区域，平台区域包括碳层，其中平台区域直接且水平地在介于第一高吸收结构...

一种包括第一半导体衬底的集成芯片。第一半导体衬底包括掺杂区。第一光感测器和第二光感测器在第一半导体衬底中。沟渠隔离层至少部分地围绕第一光感测器和第二光感测器并在第一光感测器和第二光感测器之间延伸。沟渠隔离层具有第一对侧壁。第一半导体衬底...

本申请的实施例公开了一种存储器器件及其形成方法。存储器器件包括存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器单元。存储器单元中的至少第一存储器单元在预设情况下基于短路而永久呈现第一逻辑状态。存储器单元中的至少第二存储器单元在预设情况下基于开路而永...

一种半导体制造方法，包含：在基板上形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包含至少一个牺牲磊晶层及至少一个通道磊晶层；在磊晶堆叠中形成鳍片；在鳍片的多个通道区上形成牺牲栅极堆叠；在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成多个栅极侧壁间隔物；进行多个前处理操作以从至少...