存储器器件及其形成方法技术

本申请的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：多个外围晶体管，沿着衬底的第一表面形成；多个存储器单元，形成在设置在第一表面上方的多个第一金属化层中的一个或多个第一金属化层中，多个存储器单元中的每个可操作地耦合到外围晶体管的子集并且包括编程晶体管和至少第一读取晶体管；以及多个第二金属化层，设置在与第一表面相对的衬底的第二表面上方；其中，编程晶体管的第一源极/漏极端子与第一读取晶体管的第一源极/漏极端子电连接，并且第一读取晶体管的第二源极/漏极端子与形成在第二金属化层中的对应一个二金属化层中的位线电连接。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及存储器器件及其形成方法。

技术介绍

1、电子设备(诸如计算机、便携式设备、智能手机、物联网设备等)的发展促使对存储器器件的需求增加。通常，存储器器件可以是易失性存储器器件和非易失性存储器器件。易失性存储器器件可以在提供电源时储存数据，但一旦电源关闭，可能会丢失储存的数据。与易失性存储器器件不同，非易失性存储器器件即使在电源关闭后也可以保留数据，但可能比易失性存储器器件慢。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器器件，包括：多个外围晶体管，沿着衬底的第一表面形成；多个存储器单元，形成在设置在第一表面上方的多个第一金属化层中的一个或多个第一金属化层中，多个存储器单元中的每个可操作地耦合到外围晶体管的子集并且包括编程晶体管和至少第一读取晶体管；以及多个第二金属化层，设置在与第一表面相对的衬底的第二表面上方；其中，编程晶体管的第一源极/漏极端子与第一读取晶体管的第一源极/漏极端子电连接，并且第一读取晶体管的第二源极/漏极端子与形成在第二金属化层中的对应一个第二金属化层中的位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器单元中的每个可操作地用作反熔丝存储器单元，其中，所述编程晶体管的栅极电介质被配置为永久击穿。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述编程晶体管的第二源极/漏极端子是浮置的。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围晶体管的所述子集包括第一外围晶体管和第二外围晶体管，所述第一外围晶体管和所述第二外围晶体管分别可操作地耦合到所述编程晶体管的栅极端子和所述第一读取晶体管的栅极端子。

5.一种存储器器件，包括：

6.根据权利要求5所述的存储...

【技术特征摘要】

1.一种存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器单元中的每个可操作地用作反熔丝存储器单元，其中，所述编程晶体管的栅极电介质被配置为永久击穿。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述编程晶体管的第二源极/漏极端子是浮置的。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围晶体管的所述子集包括第一外围晶体管和第二外围晶体管，所述第一外围晶体管和所述第二外围晶体管分别可操作地耦合到所述编程晶体管的栅极端子和所述第一读取晶体管的栅极端子。

5.一种存储器器件，包括：

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述编程晶体管和所述第一读取晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盟昇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：