集成芯片及其形成方法技术

本公开的各个实施例针对包括位于半导体衬底上面的薄膜电阻器(TFR)层的集成芯片。第一导电结构设置在TFR层的外部区域上。第一导电结构包括与垂直部分相邻的横向部分。垂直部分的高度大于横向部分的高度。覆盖结构设置在TFR层的中间区域上，并且邻接第一导电结构的垂直部分。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及集成芯片及其形成方法。

技术介绍

1、现代集成芯片使用广泛的器件来实现变化的功能。通常，集成芯片包括有源器件和无源器件。有源器件包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))，而无源器件包括电感器、电容器和电阻器。电阻器广泛用于许多应用中，诸如电阻器-电容器(rc)电路、电源驱动器、电源放大器、射频(rf)应用等。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种集成芯片，包括：薄膜电阻器(tfr)层，位于半导体衬底上面；第一导电结构，设置在所述薄膜电阻器层的外部区域上，其中，所述第一导电结构包括与垂直部分相邻的横向部分，其中，所述垂直部分的高度大于所述横向部分的高度；以及覆盖结构，设置在所述薄膜电阻器层的中间区域上，并且邻接所述第一导电结构的所述垂直部分。

2、本申请的另一些实施例提供了一种集成芯片，包括：第一介电层，位于半导体衬底上面；电阻器结构，位于所述第一介电层上面，其中，所述电阻器结构包括薄膜电阻器(tfr)层和导电结构对，其中，所述薄膜电阻器层包括在外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述覆盖结构直接接触所述垂直部分的第一侧壁。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述垂直部分的所述第一侧壁包括笔直段上方的弯曲段。

4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述横向部分的第二侧壁是弯曲的。

5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中，所述第二侧壁的高度大于所述第一侧壁的所述笔直段的高度。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

7.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一导电结构的宽度大于所述薄膜电阻器层的所述中间区域的宽度。...

【技术特征摘要】

1.一种集成芯片，包括：

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述覆盖结构直接接触所述垂直部分的第一侧壁。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述垂直部分的所述第一侧壁包括笔直段上方的弯曲段。

4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述横向部分的第二侧壁是弯曲的。

5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中，所述第二侧壁的高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊聪，徐鸿文，卢玠甫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：