提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括：接收包括金属部件、金属部件上方的第一钝化结构和延伸穿过第一钝化结构并且暴露金属部件的第一开口的结构。示例性方法也包括：在第一开口中形成导电层；在导电层上方形成第二钝化结构；实施第一蚀刻工艺以...

本发明提供一种实施例提供了用于包括具有合并区的沟渠电容结构的集成电路装置的技术和装置。填充合并区的材料不同于沟渠电容结构的电极层中所包括的材料。此外，填充合并区的材料包括热膨胀系数和弹性模量，其与沟渠电容结构的架构相结合，相对于另一具有...

一种半导体装置以及影像感测器装置，半导体装置包含多个介电质层以及深沟槽电容器结构，深沟槽电容器结构可包括在介于相对的多个导电性电极层之间具有绝缘体层的金属‑绝缘体‑金属结构。深沟槽电容器结构可延伸穿过在半导体装置中的多个介电质层。导电性...

本技术提供一种半导体结构，包含第一垂直晶体管，其包含第一垂直半导体棒以及第一栅极介电质及第一栅极电极，环绕第一垂直半导体棒。第一垂直晶体管还包含第一源极/漏极区，位于第一垂直半导体棒的顶表面上方，以及第二源极/漏极区，接触第一垂直半导体...

提供集成半导体装置。集成半导体装置包括第一半导体结构，具有第一集成电路；第二半导体结构，堆叠于第一半导体结构上并具有第二集成电路。第二半导体结构具有第一表面面向第一半导体结构，与第二表面远离第一半导体结构。集成半导体装置亦包括散热结构，...

本公开的实施例提供一种用于半导体工艺的低温泵。低温泵包括本体、一个或多个捕捉板模块以及冷头。本体具有凸缘以及开口，凸缘配置以耦接到工艺腔室，开口界定于本体的第一端，一个或多个捕捉板模块设置于本体中，冷头热耦合到一个或多个捕捉板模块。本体...

本技术提供一种半导体结构，包括至少一个局部硅互连(LSI)桥，经模制化合物中介层框架横向包围；以及多个单元通孔集合，在模制化合物中介层框架中沿着第一水平方向和沿着第二水平方向重复。从多个单元通孔集合中选择的第一单元通孔集合，包括：贯穿中...

在一个实施例中，一种半导体装置包括第一集成电路管芯，其中第一集成电路管芯包括由半导体材料形成的基底和穿透基底的导电通孔；第二集成电路管芯与第一集成电路管芯横向地相邻设置；第一间隙填充层，设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯之间，其中...

本技术的一些实施例涉及一种集成电路组件，包括：第一芯片；以及第二芯片，在接合界面处接合至第一芯片；其中第一芯片及第二芯片分别包括直接接触的第一介电层与第二介电层；第一芯片还包括凹陷至第一介电层中且位于多个行及多个列中的多个导电接垫；其中...

本技术的一些实施方式提供一种半导体器件及半导体管芯封装。堆叠半导体管芯封装可以包括位于下半导体管芯封装上方的上半导体管芯封装。堆叠半导体管芯封装包括位于下半导体管芯封装的半导体管芯的覆盖区内的一排或多排垫结构。一排或多排垫结构可用于将上...

本技术的实施例提供一种制造探针卡的系统，其包括包含储液池和开口的贮槽、包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的导电图案结构以及耦合到所述导电图案结构的所述第二侧的定向结构。通过所述开口可进入所述储液池，所述导电图案结构在所述贮槽的所述储液...

本公开的各种实施例涉及一种集成电路，包括结合到第二集成电路芯片的第一集成电路芯片。第一芯片集成电路包括第一接合结构。第一接合结构包括第一多个导电接合垫和设置在第一多个导电接合垫中的相邻导电接合垫之间的第一多个屏蔽结构。第二集成电路芯片包...

提供一种形成堆叠晶体管的方法。一种代表性方法可包括对第一虚设纳米结构、第二虚设纳米结构和半导体纳米结构进行图案化。半导体纳米结构可设置于第一虚设纳米结构与第二虚设纳米结构之间。第一虚设纳米结构可包含第一半导体材料而第二虚设纳米结构可包含...

本技术提供一种集成电路包括第一有源区、第二有源区、第一熔丝及虚设熔丝。第一有源区在第一方向上延伸且位于第一阶层上。第二有源区在第一方向上延伸，位于第一阶层上且在与第一方向不同的第二方向上与第一有源区隔开。第一熔丝在第一方向上延伸，位于第...

一种形成堆叠晶体管的方法，包含：利用在基板下方沉积至低锗百分比的硅锗层。基板用于形成场效晶体管结构。在形成场效晶体管结构之后，硅锗层经氧化以将锗驱送至硅锗层的集中子层。集中子层用作移除硅锗层的氧化部分的停止层。

半导体器件包括第一半导体组件以及位于第一半导体组件上的复合接合层。复合接合层包括介电应力缓冲层和介电平坦化层，其中，介电应力缓冲层的硬度大于介电平坦化层的硬度。半导体器件还包括通过复合接合层和第二半导体组件上的绝缘接合层之间的绝缘体至绝...

提出了光学器件及其制造方法，其中反射镜结构与光学中介层一起使用。在实施例中，方法图案化衬底以形成具有侧壁的凹槽，在侧壁上形成反射镜涂层，沉积并且图案化材料以形成与反射镜涂层相邻的第一波导，并且在第一波导上方接合光学中介层。

在蚀刻下面的鳍结构以形成源极/漏极凹槽之前，在半导体器件的伪栅极结构的侧壁间隔件上形成侧壁保护层。侧壁保护层能够精确控制源极/漏极凹槽的轮廓，从而最小化或防止蚀刻至源极/漏极凹槽附近的残留伪栅极材料中。在形成源极/漏极凹槽之后，可以在半...

半导体器件的金属层可以包括在半导体器件的互连结构中的极低介电常数(ELK)介电层中。金属层可以与延伸穿过半导体器件的接合区域中的碳化硅(SiC)层的接合通孔耦合。相对于使用诸如氮化硅和/或硅玻璃的其它介电材料，ELK介电层和/或碳化硅层...

一种集成电路(IC)器件，具有其中实现多个存储器单元的存储器区。每个存储器单元沿着第一水平方向具有第一尺寸。IC器件包括沿着第一水平方向毗邻存储器单元区的边缘区。边缘区沿着第一水平方向具有第二尺寸。第二尺寸小于或者等于第一尺寸的约4倍。...