一种存储器阵列，包括沿着一方向延伸的连续有源区。存储器阵列包括第一位单元，第一位单元包括限定在连续有源区上的第一编程器件和第一读取器件的对。存储器阵列包括耦接到第一编程器件的栅极的第一编程字线。存储器阵列包括耦接到第一读取器件的对的栅极...

封装件包括：第一封装组件；第二封装组件，通过第一多个焊料连接件接合至第一封装组件；以及第一多个间隔连接件，从第一封装组件延伸至第二封装组件。第一多个间隔连接件的间隔连接件的直径大于第一多个焊料连接件的焊料连接件的高度，并且第一多个间隔连...

集成电路包括具有半导体层的衬底。集成电路包括晶体管。晶体管包括位于半导体层之上的堆叠沟道、与沟道接触的第一源极/漏极区域以及与沟道接触的第二源极/漏极区域。背侧源极/漏极接触件定位在第一源极/漏极区域正下方的衬底中，并且电耦合至第一源极...

本公开提供了电子熔丝器件的实施例。根据本公开的电子熔丝器件包括第一位单元和第二位单元，第一位单元包括沿着第一方向延伸的第一多个有源区域，第二位单元包括沿着第一方向延伸的第二多个有源区域。第一多个有源区域中的每个沿着第一方向与第二多个有源...

本文公开了用于前至前堆叠芯片/管芯的互连结构及其制造方法。示例性集成电路上系统(SoIC)包括第一管芯，第一管芯例如通过将第一管芯的第一前侧多层互连件的第一最顶部金属化层接合至第二管芯的第二前侧多层互连件的第二最顶部金属化层而与第二管芯...

本公开实施例提供了集成电路(IC)结构，IC结构包括：半导体衬底，具有前侧和背侧；浅沟槽隔离(STI)结构，形成在半导体衬底中并且限定有源区域，其中，STI结构包括STI底面，其中，半导体衬底包括衬底底面，并且其中，STI底面和衬底底面...

一种存储器电路包括阵列和多个电压控制电路，阵列包括跨过多个列布置的多个存储器单元，多个电压控制电路中的每个可操作地耦接到多个列中的对应列的存储器单元。多个电压控制电路中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分被配置为在电源电压耦接到对应列...

本公开提供了一种集成电路(IC)结构及其制造方法，该IC结构包括：半导体衬底，具有静态随机存取存储器(SRAM)区、输入/输出及外围(IOP)区域以及跨越SRAM区和IOP区之间的边缘区；浅沟槽隔离(STI)结构，形成在半导体衬底上并限...

形成半导体器件的方法包括接收工件，该工件包括设置在工件前侧上的器件层，在器件层上方形成前侧互连结构，在前侧互连结构上方附接衬底，以及从工件的背侧蚀刻以形成第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽部分地延伸到载体衬底中的距离距离小于第二沟槽。该方法还...

本公开的实施例提供了用于形成背侧栅极接触件的方法及其制造的半导体。半导体器件包括形成在衬底的背侧上的信号输出端(诸如源极/漏极接触件)和信号输入端(诸如栅极接触件)。背侧栅极接触件和背侧源极/漏极接触件以自对准方式形成。本申请的实施例还...

本公开涉及用于减少冷凝缺陷的热离子植入。本公开涉及去除蚀刻图案化层可能产生的残余气体和/或冷凝缺陷的方法。一个示例性方法包括在工件上形成图案化堆栈。该方法还包括在图案化堆栈上执行光刻工艺和蚀刻工艺后，执行热离子植入工艺，以在工件中形成植...

一种方法包括将第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶接合至基板，其中间隙设置在第一半导体裸晶的第一侧壁以及第二半导体裸晶的第二侧壁之间；执行等离子体处理以利用第一掺杂剂掺杂第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶中的每一个的顶部表面以及侧壁，其中第一...

一种电容器结构的制造方法包含：在基板上方形成电容器的底部电极；在底部电极上方沉积电容器的隔离介电层；及在隔离介电层上方形成电容器的顶部电极。沉积隔离介电层包括：将基板加热至预定温度范围；在预定温度范围内沉积隔离介电层的第一子层；冷却基板...

本技术实施例公开一种执行层压工艺的设备。所述设备包括工艺腔包括上腔室、下腔室，以及所述上腔室与所述下腔室之间的内部空间。所述下腔室可操作以支撑衬底，且所述上腔室可操作以承载将被层压在所述衬底上的工艺薄膜。所述设备还包括配置于所述工艺腔的...

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括位于基板上的通道区和与通道区相邻的源/漏极部件；位于源/漏极部件上方的硅化物部件、在硅化物部件上方的第一金属材料的第一金属层；位于第一金属层上方的第二金属材料的第二金属层，第一和第二金属层包括水平...

本公开提出一种半导体装置。特别关于场效晶体管(FET)。基板包括多个鳍状突出部分，其中多个源/漏极区形成在基板的鳍状突出部分上。源/漏极区横向相邻且电性耦合纳米结构通道。介电材料部分填充鳍状突出部分之间的多个间隙且部分耦接至源/漏极区。...

提供用于化学机械研磨(CMP)的方法及用于形成半导体装置的互连结构的方法。方法包括以下步骤：利用CMP浆料在介电结构的表面上执行CMP，以移除形成在该介电结构中且具有由该表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。在一些实例中，该CMP浆料包...

一种半导体装置的制造方法及形成半导体装置的方法，半导体装置的制造方法包括形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包括至少一牺牲磊晶层及至少一通道磊晶层。在磊晶堆叠中形成鳍片。执行调谐操作以在操作期间防止牺牲磊晶层的宽度扩展超出通道磊晶层的宽度以形成隔离特...

提供了一种次氯酸制备系统、其操作方法和半导体制造厂。次氯酸制备系统包括：次氯酸制备设备，包含：第一入口，其中从位在半导体制造厂中的洁净室所收集的硫酸通过第一入口而进入次氯酸制备设备；第二入口，其中次氯酸钠溶液通过第二入口而进入次氯酸制备...

本申请公开了半导体器件的外延结构及其制造方法。本公开提供一种半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：在衬底之上形成堆叠；通过图案化堆叠和衬底来形成鳍形结构；使鳍形结构凹陷以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中沉积电介...