本技术实施例的一种半导体装置包括存储单元，存储单元包括第一至第三晶体管。第一晶体管具有第一栅极端子且第二晶体管具有第二栅极端子，第一及第二栅极端子分别连接至第一及第二字线。第一晶体管具有一对第一源极/漏极端子且第二晶体管具有一对第二源极...

一种半导体装置及记忆体装置，半导体装置包括沿着第一横向方向延伸的导电层；设置于导电层上方的栅极介电层；设置于栅极介电层的通道层，且通道层沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸；直接接触通道层的第一通孔结构，第一通孔结构沿第二横向方向延...

本公开实施例提供了半导体结构，半导体结构包括具有电路区域和电路区域周围的密封环区域的衬底。密封环区域包括多层互连件以形成密封环结构。并且在密封环结构上方形成再分布层。再分布层形成在密封环区域的边缘上，并且从密封环的拐角区域排除。本申请的...

半导体结构包括衬底以及位于衬底上方的电容器。电容器包括位于衬底上方的硅化物层。电容器包括位于硅化物层上方的第一介电层。电容器包括位于第一介电层上方的金属栅极结构，其中金属栅极结构的顶部部分位于衬底上方，并且金属栅极结构的底部部分延伸至衬...

方法包括：在第一再分布结构上方形成金属杆；将第一器件管芯附接至第一再分布结构，第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔；将金属杆和第一器件管芯密封在密封剂中，密封剂的第一顶面与半导体衬底的第二顶面齐平；使第二顶面凹进以暴露通孔；在通孔周...

一种存储器器件包括存储器阵列，所述存储器阵列包括多个字线，所述多个字线分别可操作地耦合到多组存储器单元。存储器器件包括可操作地耦合到存储器阵列的控制器，并且包括自适应跟踪电路。自适应跟踪电路被配置为：接收通过第一跟踪线传导的第一信号；接...

本申请公开了半导体器件中的应力衬里。公开了一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括衬底、被设置在衬底上的纳米结构沟道区域、围绕纳米结构沟道区域的栅极结构、与纳米结构沟道区域相邻设置的源极/漏极(S/D)区域、被设置在S...

本揭露关于一种光电装置及其形成方法。本揭露所描述的一些实施方式包括用于微光应用的光电装置及用于形成光电装置的技术。光电装置包括近红外光垂直腔表面发射激光装置、近红外光像素感测器及可见光像素感测器。近红外光垂直腔表面发射激光装置及近红外光...

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结...

本发明的各种实施例提供了半导体器件结构。在一个实施例中，半导体器件结构包括：介电壁，设置在衬底上方；第一金属栅极结构部分和第二金属栅极结构部分，分别设置在介电壁的任意一侧。每个第一金属栅极结构部分和第二金属栅极结构部分包括：多个半导体层...

一种用于形成多栅极器件的栅极堆叠件的示例性方法包括在沟道层上形成栅极电介质以及在栅极电介质上形成栅电极。形成栅电极包括在栅极电介质上形成功函数层和在功函数层上形成盖帽。形成盖帽包括在功函数层上形成金属氮化物层和在金属氮化物层上形成含硅层...

本发明提供用于静电放电(ESD)保护的装置、电路及方法。静电放电(ESD)保护电路包括：第一晶体管，连接于第一电压与第二电压之间；以及第一控制电路，连接于第一电压与第二电压之间且被配置成向第一晶体管供应控制信号。电路更包括：第二晶体管，...

本技术提供一种具有穿孔加强环的半导体封装，包括位在衬底上的具有集成电路管芯的集成电路封装器件、位在集成电路封装器件和衬底之间的底胶以及附接到衬底的加强环。在俯视图中，加强环环绕集成电路封装器件和底胶。加强环包括穿孔区域，其中穿孔区域包括...

本发明提供一种遮蔽半导体防紫外线的方法以及结构。晶体管包括在其半导体层上方的有色光遮蔽层。有色光遮蔽层会减少半导体层暴露于波长为约10纳米至约400纳米的辐射。有色光遮蔽层可具有白色、黑色、红色、黄色或者灰色。金属氧化膜、P型氧化物半导...

本技术的各种实施例是针对包括温度调节组件的光子器件。第一波导覆盖绝缘层。第二波导覆盖绝缘层。温度调节组件包括与第一波导的区段对齐的加热器结构及与第二波导的区段对齐的冷却器结构。加热器结构被配置为将第一波导的区段的温度升高到第一温度。冷却...

本揭露所述的影像感测器装置的像素感测器阵列可包含深沟渠隔离结构，其包含延伸至影像感测器装置的基材中的多个深沟渠隔离部分。深沟渠隔离部分的两个或多个次组合可延伸在像素感测器阵列的像素感测器的光电二极管周围，且可延伸不同的深度至基材中。不同...

本公开实施例提出一种承载结构。在一些实施例中，此方法包括在一基板之上形成一或多个装置、在一或多个装置之上形成一第一互连结构以及将第一互连结构接合到一承载结构。承载结构包括一半导体基板、一释放层以及一第一介电层，并且释放层包括一金属氮化物...

提供一种静态电压降预测方法，该方法包括以下操作：由一静态电压降(SIR)预测电路来接收一半导体装置的一平面布置布局的平面布置数据；由一机器学习模型基于该平面布置数据来产生一第一SIR结果；基于该平面布置数据与多个训练数据的一比较来产生一...

本技术实施例涉及一种半导体封装结构及光子封装。所述半导体封装结构的特征在于其包括：第一裸片，其包括：第一裸片衬底；第一互连结构；第一电介质层；及第一导电垫；及第二裸片，其包括：第二裸片衬底；第二互连结构；第二电介质层；及第二导电垫；其中...

揭露具有在栅极结构与栅极间隔物层之间的阻隔层的半导体装置及其制造方法。方法包含在基板上形成鳍式结构、在鳍式结构上形成多晶硅结构、执行氮化作业，以在多晶硅结构及鳍式结构上形成阻隔层、在阻隔层上形成栅极间隔物层、在鳍式结构形成漏极/源极区域...