遮蔽半导体防紫外线的方法以及结构技术

本发明专利技术提供一种遮蔽半导体防紫外线的方法以及结构。晶体管包括在其半导体层上方的有色光遮蔽层。有色光遮蔽层会减少半导体层暴露于波长为约10纳米至约400纳米的辐射。有色光遮蔽层可具有白色、黑色、红色、黄色或者灰色。金属氧化膜、P型氧化物半导体或者钙钛矿可形成有色光遮蔽层。有色光遮蔽层会减少在工艺期间由于紫外线暴露可能在半导体层中产生的缺陷，提高装置的性能以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例是有关于一种遮蔽半导体防紫外线的方法以及结构。

技术介绍

1、集成电路是由大量的晶体管所组成。场效晶体管通常是由衬底构成，所述衬底上的导电栅极(gate electrode)控制源极(source electrode)以及漏极(drain electrode)之间的电流。绝缘的栅极介电层(gate dielectric layer)使栅极与源极以及漏极分离。半导体层与源极以及漏极桥接(bridge)，并且与栅极介电层接触。

技术实现思路

1、在多个实施例中，在此揭露的晶体管为包括在半导体层上方的有色光遮蔽层之晶体管。有色光遮蔽层会减少半导体层暴露于约10纳米至约400纳米波长的辐射。有色光遮蔽层具有白色、黑色、红色、黄色或灰色。

2、在多个实施例中，也有揭露的晶体管包括写入线、半导体层、源极线、位线和有色光遮蔽层。源极线以及位线与半导体层接触。有色光遮蔽层包括介电材料，并且可以作为栅极介电层。这样材料的例子包括二氧化钛(tio2)、氧化镍(nio)、三氧化二铁(fe2o3)、四氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括在半导体层上方的有色光遮蔽层，其中所述有色光遮蔽层会减少所述半导体层暴露于约10纳米至约400纳米波长的辐射；并且其中所述有色光遮蔽层具有白色、黑色、红色、黄色或灰色。

2.根据请求项1所述的晶体管，其特征在于，所述有色光遮蔽层由金属氧化膜、P型氧化物半导体或者钙钛矿所形成。

3.根据请求项1所述的晶体管，其特征在于，所述有色光遮蔽层包括二氧化钛、氧化镍、三氧化二铁、四氧化三钴、四氧化三锰、氧化铜、三氧化二锑、氧化锡、三氧化二铬、稀土氧化物、二氧化铈、三氧化二钇、三氧化二钕或包括钙、锶或铋的钙钛矿。

4.根据请求项1所述...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括在半导体层上方的有色光遮蔽层，其中所述有色光遮蔽层会减少所述半导体层暴露于约10纳米至约400纳米波长的辐射；并且其中所述有色光遮蔽层具有白色、黑色、红色、黄色或灰色。

2.根据请求项1所述的晶体管，其特征在于，所述有色光遮蔽层由金属氧化膜、p型氧化物半导体或者钙钛矿所形成。

3.根据请求项1所述的晶体管，其特征在于，所述有色光遮蔽层包括二氧化钛、氧化镍、三氧化二铁、四氧化三钴、四氧化三锰、氧化铜、三氧化二锑、氧化锡、三氧化二铬、稀土氧化物、二氧化铈、三氧化二钇、三氧化二钕或包括钙、锶或铋的钙钛矿。

4.根据请求项1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋国璋，姜慧如，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：