半导体器件及其形成方法技术

方法包括：在第一再分布结构上方形成金属杆；将第一器件管芯附接至第一再分布结构，第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔；将金属杆和第一器件管芯密封在密封剂中，密封剂的第一顶面与半导体衬底的第二顶面齐平；使第二顶面凹进以暴露通孔；在通孔周围形成介电隔离层；在介电隔离层上方形成介电层；蚀刻介电层以在介电层中形成第一开口和第二开口；在第一开口中形成第一金属通孔并且在第二开口中形成第二金属通孔；以及在介电层上方形成第二再分布结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、集成电路的封装件变得越来越复杂，其中更多的器件管芯集成在同一封装件中以实现更多的功能。例如，诸如处理器和存储器多维数据集的多个器件管芯可以接合和集成在一起。封装件可以包括使用不同技术形成并且具有不同功能的器件管芯，从而形成系统。这可以节省制造成本并且优化器件性能。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一再分布结构；在所述第一再分布结构上方形成金属杆；将第一器件管芯附接至所述第一再分布结构，所述第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔；将所述金属杆和所述第一器件管芯密封在密封剂中，所述密封剂的第一顶面与所述半导体衬底的第二顶面齐平；使所述第二顶面凹进以暴露所述通孔；在所述通孔周围形成介电隔离层；在所述介电隔离层上方形成介电层；蚀刻所述介电层以在所述介电层中形成第一开口和第二开口；在所述第一开口中形成第一金属通孔并且在所述第二开口中形成第二金属通孔；以及在所述介电层上方形成第二再分布结构，所述第二再分布本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二金属通孔包括压缩所述介电隔离层的直接位于所述第二金属通孔的材料下方的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二金属通孔的高度大于所述第一金属通孔的高度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属杆电介于所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一器件管芯的前侧附接至并且电耦合至所述第一再分布结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述通孔电介于所述第一再分布结构和所述第二再分布结构...

【技术特征摘要】

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二金属通孔包括压缩所述介电隔离层的直接位于所述第二金属通孔的材料下方的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二金属通孔的高度大于所述第一金属通孔的高度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属杆电介于所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈韦志，王之妤，王博汉，胡毓祥，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：