提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开实施例的半导体结构包括：衬底；第一源极/漏极部件，设置在衬底上；第一接触蚀刻停止层(CESL)，设置在第一源极/漏极部件上；第一介电层，设置在第一CESL上方；蚀刻停止层(ESL)，设置在第一CE...

本技术提供一种封装，半导体晶粒以及前侧与背侧重布线结构。背侧重布线结构包括第一重布线层和背侧连接件，自第一重布线层的远侧延伸，且包括具有朝向远离第一重布线层的方向缩减的宽度的渐缩部分。渐缩部分包括在端部的接触面。封装可藉由优化背侧重布线...

提供一种制造及蚀刻半导体装置的方法。一种用于制造半导体装置的示例性方法包含在半导体基板的密集区及隔离区中形成鳍片；进行电浆干式蚀刻工艺以移除密集区中的至少一个选定鳍片的一部分，从而在密集区中形成第一沟槽，且移除隔离区中的至少一个选定鳍片...

提供了一种小虚设栅极特征图案插入方法与应用此方法的集成电路。该方法包含以下步骤：识别一集成电路中的一第一智慧财产(IP)区块及一第二IP区块；识别该第一IP区块与该第二IP区块之间的一小边界区，其中该小边界区在一第一水平方向上具有一宽度...

提供了用于管芯结构的间隙填充电介质及其形成方法。在实施例中，器件包括：外部间隙填充电介质，具有第一热膨胀系数；第一集成电路管芯，位于外部间隙填充电介质中；第二集成电路管芯，位于外部间隙填充电介质中；内部间隙填充电介质，位于第一集成电路管...

一种或非非挥发性记忆体装置、非挥发性记忆体装置及其制造方法。非挥发性记忆体装置包括半导体基板、选择晶体管及储存装置。半导体基板具有多个鳍型结构。选择晶体管形成于半导体基板上，选择晶体管包括设置在定位于鳍型结构的第一部分上方的第一介电隔离...

本公开实施例提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成包括多个光子晶粒的第一晶圆。所述方法包括形成包括多个电子晶粒的第二晶圆。所述方法包括在第二晶圆内形成微透镜。所述方法包括在形成微透镜之后将第一晶圆接合到第二晶圆。所述方法还包括执...

一种半导体元件，包含鳍片、分离结构、虚设栅极间隔件、第一磊晶源极/漏极区域以及需设闸及材料的残留物。鳍片延伸自基材且包含第一鳍片端。分离结构将第一鳍片端与另一鳍片的相邻第一鳍片端分离。虚设栅极间隔件沿着分离结构的侧壁以及鳍片。第一磊晶源...

本揭示提供了一种冷却系统及冷却方法。此系统包括贮槽、导管、冷却器、及浓度计。贮槽用以容纳第一液体。导管耦接到贮槽并且用以从贮槽递送第一液体。冷却器覆盖导管以冷却由导管递送的第一液体。浓度计用以量测由冷却器冷却的第一液体的浓度。

一种半导体元件及其制造方法。方法包含：蚀刻栅极堆叠，以形成沟渠延伸穿过栅极堆叠，此栅极堆叠包含金属栅极电极与栅极介电质，其中形成沟渠移除部分的栅极堆叠，以将栅极堆叠分隔成第一栅极堆叠部分与第二栅极堆叠部分；将沟渠延伸穿过栅极堆叠的下方的...

提供了用于形成半导体结构的方法。方法包括：在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：使鳍结构的第一半导体层横向凹进以形成多个槽口；在槽口中形成多个内部间隔件；使内部间隔件横向凹进以在内部间隔件中形...

一种形成一接合组件的方法及其设备，设备可以通过对半导体芯片执行芯片等离子体清洁工艺来形成接合组件；产生半导体芯片的清洁侧的至少一芯片红外图像；测量至少一芯片红外图像中至少一金属区域的平均发射率；基于所测量的平均发射率执行选自接合步骤和替...

一种集成电路包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，以及第一源极、漏极结构。第一源极、漏极结构位于第一栅极结构的相对两侧。第二晶体管包含第二半导体通道层、第二栅极结构，以及第二源极、漏极结构。第二源极、...

本技术的实施例提供一种光学模块及半导体结构，包括第一波导和旁通波导。第一波导在第一方向上侧向地延伸。第一波导包括第一波导主体区段和第一波导耦合结构。横向波导在不同于第一方向的第二方向上侧向地延伸。第一介电层设置在第一波导和横向波导上方。...

提供具有铝结构的半导体装置。示例性装置包含互连结构和电性连接至互连结构的铝结构。铝结构包含第一铝层、第一铝层上方的迁移阻障层和迁移阻障层上方的第二铝层。

一种形成半导体结构的方法包括形成第一半导体沟道区域和第二半导体沟道区域，第二半导体沟道区域与第一半导体沟道区域重叠，在第一半导体沟道区域上形成第一栅极电介质，并且在第二半导体沟道区域上形成第二栅极电介质，将偶极掺杂剂引入到第一栅极电介质...

一种修整设备及修整工具，修整设备包含配置用以支持第一工件的第一平台；第一修整板；以及包含从中心轴延伸的多个臂的刀片架，其中刀片架配置用以在每个相应臂的端部支持刀片，其中刀片架可操作以绕中心轴旋转，其中刀片架配置为使用至少一刀片修剪第一工...

一种半导体装置，包含形成短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠；在短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠上方形成第一金属盖帽层，其中较长通道装置的第一金属盖帽层具有金属盖帽凹槽；在金属盖帽凹槽中形成第一介电盖帽层；移除短通道装置及较长通道装置的...

提供了变容器、半导体器件及其形成方法。在实施例中，示例性半导体器件包括：掺杂区域，位于衬底中并包含第一类型掺杂剂；多个纳米结构，直接设置在掺杂区域上方；栅极结构，围绕在多个纳米结构中的每个纳米结构周围；第一外延部件和第二外延部件，耦合至...

一种存储器器件，包括第一存储器阵列，包括第一存储器单元；第二存储器阵列，包括第二存储器单元；第三存储器阵列，包括第三存储器单元，第二存储器阵列沿着横向方向介于第一存储器阵列与第三存储器阵列之间；第一位线区段，沿着横向方向延伸并耦合到第一...