提供了一种使用备用单元的集成电路的制造方法。此方法包括：接收输入设计；产生设计布局，其中此设计布局包括多个功能单元和多个备用单元，此些备用单元中的每个备用单元包括多个引脚；产生多个弹性引脚扩展以连接至此些备用单元的引脚，其中此些弹性引脚...

本申请公开了用于自下而上外延的选择性底部种子层形成。一种方法包括：蚀刻栅极堆叠旁的半导体区域以形成凹部；在凹部的底部形成电介质层；在凹部的底部选择性地形成第一半导体层；以及在第一半导体层上外延生长第二半导体层。第一半导体层的底表面与电介...

本揭示内容提供一种制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括提供从基板延伸的第一鳍。在一些实施方式中，方法还包括在第一鳍上形成第一栅极堆叠。在一些示例中，方法还包括沿着第一鳍的表面及第一栅极堆叠下方形成...

提供半导体装置。在一个示例中，半导体装置包括：基板、沿第一方向延伸的第一电路区及第二电路区，以及沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构。栅极结构还包括：分别位于第一及第二电路区中的两栅极电极部分，以及位于该两栅极电极部分之间并使...

本发明实施例可藉由以下方法来形成半导体装置结构：形成层堆叠，层堆叠包括连续底部电极材料层、连续介电层及连续介电金属氧化物层；藉由将氧原子并入至连续介电金属氧化物层的顶表面部分中来增大连续介电金属氧化物层的顶表面部分中的氧对金属比率；在连...

本揭示文件提供一种电路布局图产生方法、只读记忆体集成电路及其制造方法，电路布局图产生方法用以产生集成电路布局图，电路布局图产生方法包含以下步骤：将或非型只读记忆体位元单元列划分为由多个隔离特征分隔的多个N位元群组，其中多个N位元群组中的...

一种半导体元件包含栅极结构、多个源极/漏极区域、介电层以及栅极接触。多个源极/漏极区域于栅极结构的相对侧上。介电层于栅极结构上方。栅极接触于介电层中，其中栅极接触于栅极结构上方并电性耦合至栅极结构，其中远离栅极结构的栅极接触的上部具有第...

本技术提供光学装置包含:凹面基底，凹面基底包含:支撑材料；第一遮罩材料，不同于支撑材料；及凹面，形成于支撑材料中；接合层，接合至第一遮罩材料；电子集成电路装置，相邻于接合层；以及光学中介层，接合至电子集成电路装置。

一种晶圆边缘修整设备，包括：晶圆卡盘、水射流轨道、水射流喷头、以及边缘移除模块。晶圆卡盘具有顶表面以支撑晶圆。水射流轨道在晶圆卡盘上方延伸。水射流喷头耦合到水射流轨道，水射流喷头配置以设置在晶圆上方，水射流喷头配置以产生朝向晶圆卡盘的顶...

本申请公开了具有鳍结构的半导体器件及其形成方法。本文描述了形成半导体器件的方法，其中，沟道区域包括含锗层、以及在含锗层上的晶体硅层。栅极结构在第一表面和第二表面之上，第二表面与第一表面相对。在一些实施方式中，晶体硅层可以减轻处理期间的损坏。

提供了处理金属栅极的方法、制造半导体装置的方法、及蚀刻金属的方法，诸如用于处理金属栅极的方法。一种用于蚀刻金属的方法包含在金属上方形成硬遮罩，其中硬遮罩包含界定开口的侧壁；以及进行包含将氮化碳膜沉积于侧壁上及蚀刻金属的循环的电浆蚀刻工艺。

形成互补场效应晶体管(CFET)器件的方法包括：形成垂直堆叠在鳍上方的多个沟道区域；在多个沟道区域的第一子集和多个沟道区域的第二子集之间形成隔离结构；在多个沟道区域和隔离结构周围形成栅极介电材料；在栅极介电材料周围形成功函材料；在功函材...

提供了半导体结构及制造方法。方法包含在半导体结构上形成第一介电层。半导体结构包含基板及基板上的多层内连结构。多层内连结构包含多个金属化层。第一介电层形成于最顶部金属化层上。方法进一步包含形成基板穿孔开口，基板穿孔开口穿过第一介电层及多个...

制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的方法包括：形成图案化金属层；将介电材料设置在图案化金属层上；蚀刻一或多个深沟槽以穿过介电材料到图案化金属层；在介电材料上且在介电材料中所形成的一或多个深沟槽里面沉积MIM多层；以及制造至少一个...

一种化学机械研磨方法。本揭露的一些实施方式说明一种从多层研磨垫移除可消耗的(例如，牺牲的)研磨垫层的方法。此方法包括测量多层研磨垫的顶研磨垫层的厚度轮廓，并比较厚度轮廓与阈值。此方法响应于厚度轮廓高于阈值，清洗多层研磨垫的顶研磨垫层，并...

本技术提供一种半导体封装，包括具有第一基底及位于第一基底上的第一接触接垫的第一半导体元件、位于第一基底上且延伸至第一基底中的第一热传导特征、位于第一基底之上的第二半导体元件、位于第一半导体元件之上且位于第二半导体元件旁的第一热传导桥及位...

一种半导体装置包括一第一介电层。一第二介电层设置于第一介电层上方。第二介电层及第一介电层具有不同的材料组成。一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构埋入第二介电层内。一第三介电层设置于第二介电层上方。第三介电层及第二介电层具有不同的材料组成。...

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括以下步骤。在衬底上方形成介电层。在介电层上方形成2D材料层。在2D材料层上方形成粘合层。源极/漏极形成在粘合层的相对侧上。在粘合层上方形成第一高k栅极介电层，其中粘...

本公开涉及一种半导体装置与其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成悬空的纳米结构的第一堆叠于第一区中，形成悬空的纳米结构的第二堆叠于第二区中，以及悬空的纳米结构的第三堆叠于第三区中；沉积第一功函数层以包覆第一区、第二区、与第三区中的纳米...

根据本申请的实施例提供了电阻器及其形成方法。根据本发明实施例提供了一种器件结构包括：衬底；第一金属间介电(IMD)层，位于衬底上方；电阻器，包括位于第一IMD层上方的第一电阻器层、位于第一电阻器层上方的第二电阻器层、以及位于第二电阻器层...