一种鳍式场效晶体管，包括：从基板延伸的第一半导体鳍片；从基板延伸的第二半导体鳍片，第二半导体鳍片平行于第一半导体鳍片延伸；从基板延伸的介电质鳍片，介电质鳍片夹设于第一半导体鳍片与第二半导体鳍片之间；围绕第一半导体鳍片、介电质鳍片与第二半...

一种记忆体装置及操作记忆体装置的方法，记忆体装置包括一第一记忆体阵列，该第一记忆体阵列包括多个第一记忆体位元。所述多个第一记忆体位元中的每一者组态为一一次性可程序化(OTP)记忆体位元。一第二记忆体阵列包括多个第二记忆体位元，所述多个第...

一种半导体封装装置及其制造方法，半导体封装装置包含第一半导体结构、第二半导体结构及非金属掺杂剂。第一半导体结构包含第一介电接合层及安置在第一介电接合层中的第一导电接合特征。第二半导体结构包含接合至第一介电接合层的第二介电接合层及安置在第...

一种示例性方法包括：在使用半导体处理装置进行的半导体制作工艺期间捕获半导体处理装置的腔室的视图的第一图像，半导体处理装置包括被配置成对以完整帘幕轮廓进行流动的液体进行分配的液体分配组件。方法包括确定第一图像的帘幕轮廓分类。帘幕轮廓分类中...

公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法包括：形成第一栅极堆叠，包括在第一半导体区域之上形成第一界面层，其中，第一界面层具有第一厚度；以及在第一界面层之上形成第一高k电介质层，其中，第一高k电介质层具有第二厚度。该方法还包括：形成第二栅极...

一种半导体装置及其制造方法，制造方法包含以下步骤：在一基板上方形成一鳍形结构，该鳍形结构包含一第一通道层、一牺牲层及一第二通道层；跨该鳍形结构形成一虚设栅极结构；使该鳍形结构凹进；在该第一通道层的相对侧上磊晶生长第一源极/漏极磊晶结构；...

提供了半导体结构及其形成方法。示例性方法包括：在形成在源极/漏极沟槽的底部部分中的底部外延源极/漏极部件上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)和层间介电(ILD)层；回蚀CESL和ILD层以暴露源极/漏极沟槽的顶部部分；实施等离子体增强原子...

一种形成半导体器件的方法包括在第一衬底上方形成第一接合焊盘，其中第一接合焊盘包括铁磁材料的层，其中每个第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场；以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至第一接合焊盘。本公开的实施例还涉及半导体器件。

一种形成半导体器件的方法包括形成CFET结构，CFET结构具有底部栅极区和顶部栅极区，底部栅极区具有围绕第一多个沟道缠绕的第一多个栅极介电层，顶部栅极区具有包绕第二多个沟道的第二多多个栅极介电层。该方法包括执行第一偶极环工艺以将第一偶极...

本文公开了用于堆叠器件结构的具有高热稳定性的器件层级互连件。示例性堆叠半导体结构包括：上部源极/漏极接触件，设置在上部外延源极/漏极上；下部源极/漏极接触件，设置在下部外延源极/漏极上；以及源极/漏极通孔，连接至上部源极/漏极接触件和下...

一种示例性封装包括光子管芯、电子管芯和封装构件。电子管芯具有设置在前侧互连结构和背侧互连结构之间的电子器件层。背侧互连结构被配置为向电子器件层传输电力。光子管芯、电子管芯和封装构件从上到下进行堆叠。电子管芯的背侧互连结构连接到封装构件，...

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括蚀刻晶圆的部分以在晶圆的划线中形成第一沟槽，其中划线位于晶圆的第一器件管芯和第二器件管芯之间。在蚀刻之后，划线中的晶圆的部分的顶面位于第一沟槽下面并且暴露于第一沟槽，并且第一沟槽位于晶...

各种实施例包括管芯结构和形成管芯结构的方法。在实施例中，半导体器件包括：下部衬底；上部集成电路管芯，以电介质对电介质接合并且以金属对金属接合而接合到所述下部衬底，所述上部集成电路管芯包括半导体材料；缓冲层，位于所述上部集成电路管芯周围，...

存储器单元包括第一、第二有源区及第一、第二栅极结构。第一栅极结构接合第一有源区而形成第一晶体管，第二栅极结构接合第二有源区而形成第二晶体管。第一、第二晶体管具有相同的导电类型。存储器单元还包括在第一晶体管的源极区上的第一外延部件、在第二...

在实施例中，封装件包括集成电路管芯和中介层，集成电路管芯包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底，中介层包括第二绝缘接合层和第二半导体衬底。第二绝缘接合层利用电介质对电介质接合直接接合至第一绝缘接合层。该封装件还包括位于中介层上方并且围绕集成...

提供了半导体结构和方法。根据本公开的半导体结构包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的高Kappa介电层、设置在高Kappa介电层上方的第一多个纳米结构、设置在第一多个纳米结构上方的中间介电层，位于中间介电层上方的第二多个纳米结构，环绕第一...

本技术实施例涉及光波导终端装置。一种光波导终端装置包括光波导，所述光波导包含：第一部分，其具有沿第一方向的第一长度、沿横向于所述第一方向的第二方向的第一宽度及沿横向于所述第一及第二方向的第三方向的第一高度；及第二部分，其具有沿所述第一方...

一种集成电路器件包括：第一和第二堆叠晶体管结构，包括位于半导体衬底中的相应第一、第二、第三和第四晶体管；第一和第二位线以及字线，位于半导体衬底的前侧或背侧之一上；以及电源线，位于前侧或背侧之另一者上。第一晶体管包括电连接到第一位线的源极...

一种半导体结构及制造半导体结构的方法。制造半导体结构的方法包括放置金属催化剂在半导体的表面上。接着，执行金属辅助化学蚀刻，包括使半导体浸泡于蚀刻剂溶液中，并使用金属催化剂催化蚀刻剂溶液与半导体之间的蚀刻化学反应，以在半导体中形成通道。在...

本揭露提供一种正反器。正反器包括：第一类型的第一组晶体管，位于第一行中；以及第二类型的第二组晶体管，位于第二行中。第二类型不同于第一类型。第一组晶体管及第二组晶体管包括第一主锁存电路及第二主锁存电路。第一主锁存电路与第二主锁存电路在第一...