半导体结构及其形成方法技术

提供了半导体结构和方法。根据本公开的半导体结构包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的高Kappa介电层、设置在高Kappa介电层上方的第一多个纳米结构、设置在第一多个纳米结构上方的中间介电层，位于中间介电层上方的第二多个纳米结构，环绕第一多个纳米结构的第一栅极结构，环绕第二多个纳米结构的第二栅极结构。高Kappa介电层包括金属氮化物、金属氧化物、碳化硅、石墨烯或金刚石。本公开的实施例还提供了形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增大了处理和制造ic的复杂性。

2、例如，随着集成电路(ic)技术向更小的技术节点发展，引入了多栅极器件，以通过增加栅极-沟道耦合、降低断态电流和降低短沟道效应(sce)来改善栅极控制。多栅极器件通常指的是具有栅极结构或其部分的器件，栅极结构设置在沟道区域的多于一侧上方。鳍式场效应晶体管(finfet)和多桥沟道(mbc)晶体管是多栅极器件的实例，它们已成为高性能和低泄漏应用的受欢迎和有前途的候选者。finfet具有由多于一侧上的栅极包裹的升高的沟道(例如，栅极包裹从衬底延伸的半导体材料的“鳍”的顶部和侧壁)。mbc晶体管具有可以部分地或完全地围绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属氮化物包括氮化铝或氮化硼。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属氧化物包括氧化钇、钇铝石榴石、氧化铝或氧化铍。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述高热导率介电层包括约0.5nm至约100nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一多个纳米结构夹在两个第一源极/漏极部件之间。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述两个第一源极/漏极部件包括掺杂有p型掺杂剂的硅锗。

7.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属氮化物包括氮化铝或氮化硼。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属氧化物包括氧化钇、钇铝石榴石、氧化铝或氧化铍。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述高热导率介电层包括约0.5nm至约100nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一多个纳米结构夹在两个第一源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：石哲齐，温伟源，杨固峰，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：