提供半导体装置。所述半导体装置包括半导体材料、第一外延源极/漏极区域、第二外延源极/漏极区域、第一虚设栅极介电层、第二虚设栅极介电层及界面介电质。半导体材料设置在基板之上。第一外延源极/漏极区域接触半导体材料的第一端。第二外延源极/漏极...

一种形成互补场效应晶体管结构的方法包括在下部晶圆中形成下部晶体管，其中所述下部晶体管包括下部源极/漏极区，形成电连接到所述下部源极/漏极区的接触插塞，以及在所述下部晶体管上形成金属线。金属线的第一部分与下部源极/漏极区垂直对准。该方法还...

一种半导体装置，包括光学中介物、第一电子集成电路裸片、第二电子集成电路裸片及第一输入/输出装置。光学中介物用于传送及接收来自外部来源(诸如光纤)的信号。光学中介物接收信号，将信号路由至各种接附的元件，且当有需求时，将信号在光学与电子信号...

方法包括形成晶体管，这包括：形成半导体纳米结构；形成包围半导体区域的界面层；在界面层上沉积偶极膜；在偶极膜上沉积高k介电层；以及在高k介电层上沉积栅电极。晶体管的形成可以没有偶极掺杂剂驱入工艺，并且可以没有偶极膜去除工艺。本申请的实施例...

一种半导体结构，包括：导电凸块，设置在衬底和板件之间；隔离构件，设置在板件上方，并且围绕导电凸块和衬底；金属构件，设置在隔离构件和导电凸块之间；以及焊料，设置在衬底和板件之间，并且配置成将金属构件连接至衬底和板件。一种制造半导体结构的方...

存储器单元包括第一有源区域和第二有源区域以及第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构在形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管中分别接合第一有源区域和第二有源区域，并且第二栅极结构在形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管中分别接合第一有源区域和第...

实施例是一种形成半导体结构的方法，包括在第一衬底上方形成第一介电层，第一介电层中具有第一金属化图案。该方法还包括在第一介电层和第一金属化图案上方形成第二介电层。该方法还包括在第二介电层上方形成牺牲焊盘并且牺牲焊盘延伸至第二介电层中，牺牲...

一种半导体器件的静电放电(ESD)保护单元区域包括并联耦合在第一电源轨PRl和第二电源轨PR2之间的电阻器‑二极管梯和电源钳位电路。电阻器‑二极管梯还耦合在半导体器件的输入/输出(I/O)焊盘和半导体器件的核心电路之间。电阻器‑二极管梯...

可以通过以下步骤形成接合组件：在低氧环境中提供至少第一封装衬底；在低氧环境中提供至少第一半导体封装件；在低氧环境中通过将至少一个第一等离子体射流引导至接合到第一半导体封装件的第一焊料材料部分，来对第一半导体封装件执行第一等离子体封装件处...

本揭示文件提供一种推拉式低压差(LDO)稳压器电路及电压输出方法。将推拉式LDO稳压器的瞬时输出电压与第一参考电压进行比较，并基于第一参考电压与瞬时输出电压的比较，提供第一输出。将推拉式LDO稳压器的瞬时输出电压与第二参考电压进行比较，...

一种形成半导体结构的方法包括在衬底的第一区域上方形成第一纳米结构；在衬底的第二区域上方形成第二纳米结构；在第一纳米结构周围形成第一栅极结构；用隔离区域替换第二纳米结构；以及形成延伸穿过隔离区域并延伸到衬底中的贯通孔。本公开的实施例还涉及...

根据本申请的实施例，提供了形成接合组件的方法，可以通过如下方法形成接合组件：在低氧环境中提供包括至少第一封装衬底和第二封装衬底的晶圆；在所具有的氧分压低于17kPa的低氧环境中在第一封装衬底上实施第一衬底处理工艺的同时，在低氧环境中在第...

一种半导体器件，包括：第一纳米结构，位于衬底上方；第二纳米结构，位于衬底上方，其中，第一纳米结构通过位于第一纳米结构与第二纳米结构之间的隔离结构与第二纳米结构横向分隔开；第一栅极结构，位于每个第一纳米结构周围并且位于每个第二纳米结构周围...

本揭示内容提供一种晶圆制造系统及用于制造晶圆的方法，用于制造晶圆的方法包含：在第一气压下根据第一控制参数在第一批晶圆中的每一晶圆上形成第一氧化层；当接收对应第二批晶圆的处理要求时：侦测处理管中的第二气压；判断第二气压与第一气压之间的气压...

本技术包括一种集成电路封装。所述集成电路封装包括第一管芯、第二管芯、第一包封体、第三管芯以及第二包封体。所述第二管芯具有较所述第一管芯大的侧向范围，所述第一管芯通过第一组连接件接合至所述第二管芯。所述第一包封体在侧向上环绕所述第一管芯，...

本技术提供一种集成管芯包括衬底以及沿着衬底的晶体管装置。多个导电内连位于晶体管装置之上。第一凸块下金属(UBM)层位于导电内连之上。第一金属凸块直接位于第一UBM层的正上方。金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器阵列位于晶体管装置之上及第一...

提供一种半导体装置及其形成方法，包括在一顶部晶粒中形成多个第一接合特征以及包括多个第一图样的一第一对准标记，并在一底部晶圆中形成多个第二接合特征以及包括多个第二图样的一第二对准标记。方法亦包括决定一第一基准点以及一第二基准点，并利用第一...

本发明提供一种包括用于脉冲幅度调制(PAM)的光调制器装置(OMD)的光学模块，其中OMD包括多个调制器区段。第一调制器区段与第二调制器区段沿环状波导彼此间隔开。此外，第二调制器区段的长度是第一调制器区段的长度的两倍。因此，第二调制器区...

本公开涉及一种晶体管与其形成方法。形成多栅极装置所用的例示性方法包括形成栅极介电层，形成功函数层于栅极介电层上；形成盖于功函数层上，以及形成栅极层于盖上。形成盖的步骤包括形成第一盖层的第一部分于功函数层上；在进行氧控制处理之后，形成第一...

一种压电垫监测装置以及半导体工艺工具的操作方法，平坦化工具配置以监测和分析抛光垫在抛光垫的使用寿命期间的状态。压电垫监测装置可以安装在平坦化工具的抛光头上设置半导体晶圆的位置。压电垫监测装置可以被压抵在抛光垫上。当压电垫监测装置压抵在抛...