在实施例中，方法包括：形成光学封装件，形成光学封装件包括：在衬底上方形成光学器件；在光学器件上方形成第一互连结构；以及将第一半导体器件附接至光学器件；将第二半导体器件附接至中介层衬底；将光学封装件附接至中介层衬底；以及附接与光学封装件相...

本技术的实施例提供一种相变材料开关可包括：第一内连线级介电质；散热片，形成于第一内连线级介电质内；第二内连线级介电质，形成于散热片之上；相变材料组件，形成于第二内连线级介电质之中或之上；第一电极及第二电极，与相变材料组件进行导电性接触；...

一种存储器中计算电路包括：输入电路，配置为接收多个(N个)输入对，每个输入对包括N个指数中的第一指数和第二指数，以及N个尾数中的第一尾数和第二尾数；第一加法器电路，配置为基于N个输入对中的第一和第二指数来生成N个指数和；减法器电路，配置...

晶圆接受测试系统包括晶圆台、多个探针、控制器、图像检测装置以及定位模块。晶圆台位于晶圆接受测试腔体中。探针位于晶圆接受测试腔体中。控制器致动晶圆台和探针之间的相对运动，相对运动允许探针按压在位于晶圆台上的晶圆上的多个探针垫上，以在探针垫...

一种形成封装结构方法包括将模块接合在封装组件上方。该模块包括衬底和穿过衬底的贯通孔。该方法还包括将模块模塑在模塑料中，将电子管芯接合在模块上，以及将光子管芯接合在电子管芯上方。本申请的实施例还提供了封装结构。

实施例包括器件。器件包括：中介层；封装衬底；以及将封装衬底接合至中介层的导电连接件。导电连接件的每个具有凸侧壁。导电连接件的第一子集在顶视图中设置在封装衬底的中心中。导电连接件的第二子集在顶视图中设置在封装衬底的边缘/拐角中。导电连接件...

形成封装结构的方法包括在载体上方形成再分布线，再分布线包括通孔和位于通孔上方并且连接至通孔的金属迹线。再分布线的形成包括沉积第一金属层，在第一金属层上方沉积阻挡层，以及在阻挡层上方沉积第二金属层。该方法还包括将再分布线从载体脱粘，以及将...

公开了一种集成电路器件和操作该集成电路器件的方法。在一个方面，一种器件包括接收第一输入数据的第一位和第二输入数据的多个第二位。处理电路基于第一输入数据的第一位和第二输入数据的多个第二位中的第一位生成输出数据的第一输出位。处理电路基于第一...

本文描述的一些实施方式，提供了用于形成与半导体装置中包括与多层膜结构相邻的铜结构的技术和装置。所述技术包括使用电镀工艺以形成与多层膜结构相邻的铜结构，其中氯分子前层在电镀工艺期间涂覆多层膜结构的晶种层。在铜结构的形成过程中，可以在铜结构...

本公开涉及一种研磨设备和研磨方法，揭示了一种化学机械研磨设备以及制造和使用化学机械研磨设备的方法。在一实施方式中，提供了一种研磨设备包括涂布多肽的研磨垫；及相邻研磨垫附近的酵素喷射装置。

本申请涉及封装装置及其形成方法。一种工艺包括在第一工件和设置在其上的装置之上沉积边缘填充电介质。边缘填充电介质被图案化，使得仅边缘部分保留下来。在第一工件、装置和边缘填充电介质之上形成第二介电材料。平坦化工艺使第二介电材料与装置齐平。在...

本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极/漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极/漏极区域之上形成层间电介质(ILD)层；在所...

本申请涉及形成接合组件的方法及接合设备。接合组件可以通过以下方式形成：将具有基板侧接合结构的封装基板放置在透明板之上；使用辐射加热来加热封装基板，其中辐射热源提供辐射穿过透明板到封装基板的底表面；将具有晶粒侧接合结构的半导体晶粒附接到热...

本公开提供一种封装结构。所述封装结构包括第一芯片结构及第二芯片结构。第一芯片结构具有多个逻辑控制元件。第二芯片结构通过电介质对电介质接合及金属对金属接合而直接接合至第一芯片结构，其中第二芯片结构具有多个非易失性存储器元件。

一种半导体元件包括一基板、基板上方的第一半导体元件及基板上方的第二半导体元件。一半导体元件的第一源极/漏极磊晶结构中的每一者包括一第一磊晶层及第一磊晶层上方的一第二磊晶层，且第二磊晶层的一底表面低于第一半导体层中的一最底第一半导体层。第...

描述了半导体装置结构及其形成方法。在部分实施方式中，该结构包括位于在基板上的N型源极/漏极磊晶特征、在基板上的P型源极/漏极磊晶特征、直接设置在N型源极/漏极磊晶特征上的第一硅化物层以及直接设置在P型源/漏极磊晶特征上的第二硅化物层。第...

实施例包括用于形成集成电路封装件的方法。在晶圆上方沉积第一介电层，第一介电层与晶圆的封装区域和划线区域重叠。形成沿第一介电层延伸并且延伸穿过第一介电层的第一金属化图案。在第一金属化图案和第一介电层上方沉积第二介电层，第二介电层与封装区域...

本发明的实施例通过将TSV着陆在FEOL工艺期间形成的金属连接结构上，解决了在不损坏BEOL金属互连结构的情况下将TSV连接到BEOL金属互连结构的问题。金属连接结构是根据适用于FEOL加工的设计规则生产的。金属连接结构可以包括具有晶体...

提出了光学器件和制造这样的光学器件的方法。在实施例中，光学器件是可调整分束器，其通过：在衬底上方形成第一掺杂剂区域，第一掺杂剂区域包括第一波导和第二波导；在第一波导和第二波导上方沉积包覆材料；以及在第一波导和第二波导上面形成第二掺杂剂区...

本申请的实施例提出了光学器件及其制造方法。在实施例中，方法包括形成光学材料的第一层，将第一层图案化为阶梯图案，在阶梯状图案上沉积介电材料，以及在介电材料上方且至少部分地在阶梯图案内形成光学材料的第二层。