提供了一种向局部时钟驱动器提供多个时钟信号的存储器电路的系统和方法。时钟信号中的一个可以比另一个更快，因此，局部时钟驱动器的至少一个晶体管可以提前导通，以改善较慢时钟信号的上升沿、下降沿或两个边沿的延迟。局部时钟驱动器可以包括电连接到N...

一种半导体器件，包括：第一存储器单元，以四接触多晶硅节距(4CPP)架构形成；第二存储器单元，也以4CPP架构形成并且沿第一横向方向物理地布置在第一存储器单元旁边；第一字线，沿第一横向方向延伸并且可操作地耦接到第一存储器单元；第二字线，...

本公开涉及一种图像传感器集成芯片结构。所述图像传感器集成芯片结构包括一个或多个逻辑器件，设置在第一衬底内并耦合到所述第一衬底上的第一互连结构。多个像素支撑器件沿着第二衬底的第一侧设置并耦合到所述第二衬底上的第二互连结构。第一衬底接合到第...

一种执行最后移位乘法累加(MAC)处理的方法。处理电路可以将第一输入乘以第二输入的第一位以获得第一中间输出。处理电路可以将第三输入乘以第四输入的第一位以获得第二中间输出。处理电路可以对第一总和第二中间输出进行求和，以获得第一总和。处理电...

本技术实施例提供一种封装物。封装物包括集成电路装置、封装剂及散热结构。集成电路装置附接于基板。封装剂设置于基板之上并横向围绕集成电路装置，其中封装剂的顶表面与集成电路装置的顶表面共平面。散热结构设置于集成电路装置及封装剂之上，其中散热结...

根据一些实施例提供一种半导体装置和抛光垫的形成方法以及化学机械抛光装置。化学机械抛光装置包括抛光垫。抛光垫包括多个第一垫部分的堆叠和多个第二垫部分的堆叠。第一垫部分和第二垫部分具有不同的硬度。第一垫部分的堆叠和第二垫部分的堆叠排列有对应...

一种半导体装置，包括：多个第一通道层，垂直堆叠于基板上方；第一金属栅极结构，包绕每第一通道层；第一栅极侧壁间隔物，设置于第一金属栅极结构的多个侧壁上；多个第二通道层，垂直堆叠于基板上方；第二金属栅极结构，包绕每第二通道层；第二栅极侧壁间...

本揭露的一些实施例提供一种化学机械平坦化工具、监控缺陷系统与其方法，是有关一个化学机械平坦化工具以及平坦化基板的方法。特别而言，本揭露的一些实施例是有关一个用于在化学机械平坦化工具里的研磨步骤与清洁步骤中辨认化学机械平坦化造成的缺陷的临...

一种芯片封装结构，包含复合中介层及至少一半导体裸片。复合中介层包含至少一中介层内半导体芯片、侧向地环绕至少一中介层内半导体芯片的介电基质、位于介电基质的第一侧之上的裸片侧重分布结构以及位于该介电基质的第二侧之上基板侧重分布结构，其中至少...

本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装包括衬底以及第一、第二和第三半导体元件，设置于衬底上并且电连接至衬底。热转移强化层、导热材料层和黏着材料层分别设置于第一、第二和第三半导体元件上并连接到第一、第二和第三半导体元件。...

本发明提供一种热界面材料及其制造方法。实施例热界面材料可以包括第一构件，其包括20W/cm·K和30W/cm·K之间的第一热导率，以及第二构件，其包括30W/cm·K和40W/cm·K之间的第二热导率。第一构件和第二构件中的每一个可以包...

公开了偶极工程技术，偶极工程技术将偶极掺杂剂和/或氮掺入至栅极电介质(例如，其高k介电层)中，以实现晶体管的多阈值电压晶体管调整。偶极工程技术包括：(1)在一些晶体管(但不是其它晶体管)的栅极电介质上方形成偶极掺杂剂源层；(2)在一些晶...

一种导电通孔结构及半导体结构。导电通孔结构包括穿过内连线结构的一第一导电部、穿过基底并与第一导电部接触的一第二导电部以及一衬层。衬层位于第一导电部与内连线结构之间，且位于第二导电部与基底之间。衬层包括与基底的一表面平行延伸的一部分。

提供神经网络的系统及架构方法，包含乘积累加单元，其被配置为接收输入向量权重矩阵；将输入矩阵与输入向量权重矩阵相乘，生成输入向量部分和；接收延时隐藏向量及隐藏向量权重矩阵；以及将延时隐藏向量与隐藏向量权重矩阵相乘，生成隐藏向量部分和。累加...

本公开的实施例提供了半导体结构，该半导体结构包括：第一半导体器件，包括第一接合焊盘、围绕第一接合焊盘的第一阻挡层、和围绕第一阻挡层的第一介电层，其中，第一接合焊盘包括围绕导电材料的第一金属离子阻挡层；以及第二半导体器件，包括第二接合焊盘...

器件包括：半导体沟道的堆叠件；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极区域，邻接半导体沟道；源极/漏极接触件，位于源极/漏极区域上；以及栅极间隔件，位于源极/漏极接触件和栅极结构之间。栅极间隔件包括：第一间隔件层，与栅极结构接触；以及第二间...

本公开的实施例提供了沉积在底部结构上方的保护层，以在上部结构的制造期间保护底部结构。保护层可以在源极/漏极回蚀工艺期间防止STI损失和底部间隔件损失。保护层也可以通过也消除STI损失、鳍侧壁间隔件高度和凹进轮廓的工艺负载或不均匀性来改进...

本公开的各个实施例涉及包括多个类场板(QFP)的半导体器件，用于增强晶圆均匀性和性能。沟道层和阻挡层堆叠在衬底上，并且沟道层容纳二维载气(2DCG)。源电极、漏电极和栅电极置于沟道层和阻挡层上面，并且所述栅电极在第一方向上位于所述源电极...

本公开的各个实施例针对包括第一衬底的半导体结构，第一衬底包括第一半导体材料。第一光传感器设置在第一衬底内。第一光传感器配置为吸收第一波长范围内的电磁辐射。第二光传感器设置在第一衬底下面的吸收结构内。第二光传感器配置为吸收不同于第一波长范...

在一些实施例中，本公开涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括多个栅极结构，沿着衬底的多个像素区域内的第一侧布置。蚀刻阻挡结构布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的衬底的第一侧上。接触蚀刻停止层(CESL)布置在多个栅极结构的相邻...