在一些实施例中，提供一种紧急反应的方法及系统及非暂时性机器可读媒体。方法包含基于侦测到异常状况的感测器来标识事故情况。查询一个或多个生命安全系统以获得生命安全系统数据。查询一个或多个数据库，以获得现场信息，该数据库包括设备信息、化学品信...

一种半导体结构包括：第一晶体管，包含从基板突出的第一鳍片和设置在第一鳍片上方的第一栅极结构；第二晶体管，包含从基板突出并经由第一隔离特征与第一鳍片分隔的第二鳍片、和设置在第二鳍片上方的第二栅极结构；以及第一介电质特征其与第一和第二栅极结...

本技术的各种实施例是针对包括与第二晶片堆迭的第一晶片的图像感测器。第一晶片包括第一基底及设置在第一基底中的光侦测器。第一电晶体设置在第一基底上且与光侦测器相邻。多个第二电晶体设置在堆迭的第一晶片与第二晶片之内或之上。多个第二电晶体包括第...

存储器单元包括第一有源区和第二有源区以及第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构接合第一和第二有源区，分别形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。第二栅极结构接合第一和第二有源区，分别形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。存储器单元还包括电耦...

提供了半导体结构。半导体结构包括：功能单元区域，包括n型功能晶体管和p型功能晶体管。半导体结构也包括：第一电源传输单元区域，包括第一切割部件和位于第一切割部件中的第一接触轨。半导体结构也包括：第一电源轨，电连接至p型功能晶体管的源极端子...

提供了一种装置。装置包括具有进口的晶圆存储器件，气体通过该进口流入晶圆存储器件的晶圆存储室。气体的第一部分通过晶圆存储器件的出口离开晶圆存储器件的晶圆存储室。气体的第二部分通过晶圆存储器件的一个或多个间断离开晶圆存储器件的晶圆存储室，到...

集成电路(IC)结构包括底部层级IC管芯以及一个或多个顶部层级IC管芯。一个或多个顶部层级IC管芯的第一侧接合至底部IC管芯。支撑衬底耦合至一个或多个顶部层级IC管芯的第二侧。多个导电衬底通孔(TSV)每个垂直延伸穿过支撑衬底。金属盖结...

本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路器件及其制造方法。在一些实施例中，IC器件包括设置在第一平面中的第一导电层中的第一导线、设置在第二平面中的第二导电层中的第二导线以及连接第一导线和第二导线的导体，导体包括导电壁，导电壁设置在基本上...

本文公开了中段制程(MOL)互连件和用于形成MOL互连件的对应技术。示例性MOL互连结构包括设置在绝缘层中的无阻挡源极/漏极接触件、无阻挡源极/漏极通孔和无阻挡栅极通孔。无阻挡源极/漏极设置在外延源极/漏极上，并且无阻挡源极/漏极接触件...

半导体器件封装件通过提供热模块来提供半导体管芯的热考虑。包括设置在衬底上的IC管芯的衬底定位在热模块的上板和下板之间。热管连接上板和下板。热模块允许从下板以及上板的散热路径。在一些实施方式中，液体冷却板定位在衬底和热模块的上板之间。根据...

本公开的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括：金属线，位于第一衬底上方；第二衬底，位于金属线上方；以及贯通孔，穿过第二衬底并且落在金属线上。贯通孔包括具有至少85％的(111)晶体取向的铜填充物。贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶...

本公开的一个方面涉及一种集成电路(IC)封装结构，包括：底部电路结构，具有位于第一衬底上的第一半导体器件、位于第一半导体器件上方的第一互连结构和位于第一互连结构上方的第一接合结构；以及顶部电路结构，具有位于第二衬底上的第二半导体器件、位...

一种半导体装置与其制造方法，制造半导体装置的方法包含：减少与载体晶圆接合的装置晶圆的厚度；其中装置晶圆包含装置、超出装置的载体晶圆的一部分，在平面图中，称为非接合区，以及与装置重叠的载体晶圆的一部分，在平面图中，称为装置区。此方法还包含...

一种检测护膜的方法包括：确认是否要检查第一护膜的内部粒子；及回应于第一护膜的检查：在基板上形成遮罩层；通过移动光罩组件形成散焦光路；通过散焦光来曝光遮罩层，且散焦光具有与第一护膜隔开距离的焦平面；拍摄基板的图像；通过分析图像确定是否超过...

本文公开了组合物和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括以下操作。在衬底上形成保护层，其中所述保护层由包含具有聚合物主链和端基的聚合物的组合物形成。所述聚合物主链通过使包含第一单体的单体组合物聚合而形成，并且所述第一单体各自...

本申请涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包含暴露晶体管的导电通道的一个或多个表面；以介电界面层覆盖一个或多个表面；以阻挡层覆盖介电界面层；进行第一退火工艺，以致密化介电界面层；以第一高介电常数介电层覆盖阻挡层；在第一高介电...

本申请公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法，包括：基于半导体区域的第一部分来形成源极/漏极区域；基于半导体区域的第二部分来形成界面层；在界面层上形成偶极子膜；在偶极子膜上沉积高k电介质层；以及在高k电介质层上沉积功函数层。

提供了半导体结构及其形成方法。示例性半导体结构包括位于衬底上方的接触焊盘，位于接触焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层，位于UBM层上方并且经由UBM层电耦接至接触焊盘的金属柱，以及位于金属柱上的焊料帽。金属柱包括铜，并且铜的(111)晶...

提供了对半导体封装件进行电测试的方法。根据本公开的形成半导体结构的方法包括形成积层结构，该积层结构包括嵌入多个介电层中的多个金属层，形成嵌入有无源器件的芯结构，对积层结构执行第一电测试，对所述芯结构执行第二电测试，以及在执行所述第一电测...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括设置在两个相邻的沟道区域之间的凹部中的源极/漏极(S/D)特征，其中S/D特征包括共形地沉积在凹部的暴露表面上的外延层。该结构还包括共形地设置在S/D特征上...