【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于具有栅极隔离结构的半导体结构。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业已经历了指数级增长。在集成电路材料和设计方面的技术进展已经产生了一代又一代的集成电路，每一代集成电路比前一代集成电路更小、更复杂。在集成电路发展的过程中，大致上增加了功能密度(亦即，每晶片面积的互连的装置的数目)，而减小了几何尺寸(亦即，使用制造工艺可以产生的最小的组件(或线))。这种按比例缩小的过程通常经由提高生产效率和降低相关的成本来提供益处。
2、这种按比例缩小也增加了处理和制造集成电路的复杂性，为了实现这些进展，需要在集成电路处理和制造中进行类似的发展。例如，已经发展了各种方法来在形成先进的集成电路时切割(或分离)多个金属栅极结构。虽然它们通常足以为多个金属栅极结构提供隔离，但是它们并不是在所有方面都令人满意。
技术实现思路
1、本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体结构，包含：第一晶体管、第二晶体管、以及第一介电质特征。第一晶体管包含第一鳍片和...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管包含一n型晶体管，并且该第二晶体管包含一p型晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含：
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该第三晶体管和该第四晶体管中的各者都包含一n型晶体管，并且该第二介电质特征的一底表面低于该第一介电质特征的一底表面。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包含：
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该含氮的介电质填充层的一介电常数大于该不...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一晶体管包含一n型晶体管，并且该第二晶体管包含一p型晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含：
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该第三晶体管和该第四晶体管中的各者都包含一n型晶体管，并且该第二介电质特征的一底表面低于该第一介电质特征的一底表面。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴啟维，江欣哲，叶震亚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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