【技术实现步骤摘要】
本揭露的实施例实质是关于一种半导体装置与其制造方法。
技术介绍
1、在基材的两侧上具有互连元件的半导体装置的制造期间，在对基材的背侧进行工艺操作的期间，将半导体装置接合至载体晶圆。在一些情况下，在工艺操作期间，在载体晶圆的悬垂(overhang)内捕获来自光阻的残余材料和来自工艺操作的其他材料。在基材背侧进行工艺操作之后，光阻保持附着于半导体装置上。
技术实现思路
1、本揭露提供一种制造半导体装置的方法，包含：减少与载体晶圆接合的装置晶圆的厚度，其中装置晶圆包含一装置、超出此装置的载体晶圆的一部分，在平面图中称为非接合区，以及与装置重叠的载体晶圆的一部分，在平面图中称为装置区。此方法还包含：对载体晶圆的非接合区进行蚀刻工艺，其中蚀刻工艺完全在载体晶圆的装置区之外进行。
2、本揭露提供一种制造半导体装置的方法，包含：使用接合氧化物将装置晶圆接合至载体晶圆，其中装置晶圆包含装置以及围绕装置的装置晶圆的非接合区。此方法还包含：对装置晶圆进行剪切工艺，以减少在装置晶圆的非接合区中的装置...
【技术保护点】
1.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中减少该装置晶圆的该厚度包含：在该载体晶圆中形成一悬垂结构。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中对该非接合区进行该蚀刻工艺包含：从该载体晶圆中移除该悬垂结构。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中对该非接合区进行该蚀刻工艺包含：进行一电晕蚀刻工艺。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
7.一种制造一半导体装置的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种制造一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中减少该装置晶圆的该厚度包含：在该载体晶圆中形成一悬垂结构。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中对该非接合区进行该蚀刻工艺包含：从该载体晶圆中移除该悬垂结构。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中对该非接合区进行该蚀刻工艺包含：进行一电晕蚀刻工艺。
5.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦宇，徐玮泽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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