本揭露提供半导体装置及其制造方法。一种例示性方法包括：形成由一隔离材料分离的多个鳍片结构；在所述多个鳍片结构及隔离材料上方沉积一高k材料，其中该高k材料包括位于多个鳍片结构之间的多个下部部分及位于所述多个鳍片结构上方的一上部部分；在该高...

一种半导体器件包括：半导体衬底、第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、介电壁和第一隔离部件。第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构设置在半导体衬底上。第一半导体结构设置在第二半导体结构和第三半导体结构之间。介电壁设置在...

一种半导体结构，包含基底、一个或多个介电层及导电结构。基底具有前侧及相对于前侧的背侧；一个或多个介电层位于基底的前侧上方。一个或多个介电层从俯视图中沿第二方向包含热感测区及将热感测区夹于中间的两虚设区，热感测区及两虚设区从俯视图中沿大致...

本技术的实施例提供一种半导体组件包含：第一半导体封装包括位于第一半导体衬底上的第一内连线结构、延伸穿过第一半导体衬底并电性连接至第一内连线结构的衬底穿孔以及直接接合至第一半导体封装的第二半导体封装；第二半导体封装包括第二半导体衬底及在第...

一种记忆体元件包含第一下拉晶体管、第一闸门晶体管、第二下拉晶体管、第二闸门晶体管、第一上拉晶体管和第二上拉晶体管。第一电源线、第一位元线和第二位元线，第一电源线包含彼此分离的第一部分和第二部分，其中在一剖面图中，第一电源线的第二部分沿着...

在实施例中，封装件包括：集成电路管芯，包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底；以及中介层，包括第二绝缘接合层、第一密封环和第二半导体衬底。第二绝缘接合层以电介质对电介质接合而直接接合至第一绝缘接合层，并且其中集成电路管芯与第一密封环重叠。集...

一种微影系统的方法，包含：其在转移光罩组至与基板的区域有关的位置时，通过框架保护光罩组的光罩。该框架有小于聚焦平面的高度，该聚焦平面和选择的粒子大小有关；引导极紫外光辐射至光罩，反射带有光罩图案的辐射至光罩层；根据图案，在光罩层底下生成...

提供了一种半导体装置的形成方法及光阻剂组成物。用于形成半导体装置的方法包括在基板上方形成包含有机金属化合物的光阻层。有机金属化合物包括金属芯、至少一种与金属芯键合的可水解配位基、以及至少一种与金属芯键合的光酸产生剂配位基。此方法还包括选...

一种半导体装置结构的形成方法与内连线结构。方法包括形成一或多个第一导电结构于第一介电层中；形成金属层于第一导电结构的每一者上；形成第一蚀刻停止层于金属层上；形成第二蚀刻停止层于第一蚀刻停止层上，其中第二蚀刻停止层为无氮层。方法亦包括形成...

用于集成电路的3D堆叠的封装器件包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的互连结构。将互连结构组织成多个器件区域，并且器件具有垂直延伸穿过第一器件区域中的互连结构的第一密封环以及垂直延伸穿过第二器件区域中的互连结构的第二密封环。互连结构也包括...

一种半导体元件及其形成方法。方法包含：在基板上形成二维材料层，其中二维材料层包含过渡金属原子和硫族原子；在二维材料层上方形成栅极结构；对二维材料层提供化学分子，使得化学分子的原子些硫族原子的部分反应，以削弱硫族原子的部分和过渡金属原子之...

本公开涉及具有图案叠加以用于辅助叠加信号和准确度的集成电路。一种集成电路，包括器件区域和叠加标记区域。器件区域包括晶体管的多个堆叠沟道、晶体管的源极/漏极区域、源极/漏极区域上的第一材料的源极/漏极接触部、以及与源极/漏极接触部接触的第...

一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括：基板；鳍片，在基板之上突出；栅极结构，在鳍片上方；源极/漏极区，在鳍片上方且在栅极结构的相对侧上；通道层，在鳍片上方且在源极/漏极区之间，其中栅极结构包覆于通道层周围；以及隔离结构，在源极/漏...

接合组件可借由下列步骤形成：在低氧环境中提供基板及半导体晶片，低氧环境具有小于17kPa的氧分压；设置半导体晶片于基板上；在低氧环境中对半导体晶片上的晶片接合垫的含铜表面执行等离子体处理制程，等离子体处理制程借由将等离子体喷射流定向至晶...

本公开涉及具有隔离结构的场效应晶体管及相关方法。一种方法包括：在衬底之上形成第一半导体沟道堆叠和第二半导体沟道堆叠；在第一堆叠和第二堆叠之上形成多个牺牲栅极；在形成多个牺牲栅极的同时，在过渡区域之上并邻近多个牺牲栅极形成条结构；在第一半...

一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路包括多个第一记忆体单元。第一记忆体单元操作性地耦接至第一位元线。记忆体电路进一步包括第一预充电电路，其连接至第一位元线的第一末端且用以在第一记忆体单元中的任一者被存取之前在第一时间周期期间使第一位元...

一种封装器件，包括顶部管芯，该顶部管芯具有在晶体管层的第一表面上的顶部互连结构，和在晶体管层的第二表面上的底部互连结构。顶部互连结构或者底部互连结构中的一个直接接合至底部管芯上。底部互连结构包括直接接触晶体管接触件的电源轨，晶体管接触件...

在实施例中，一种半导体装置的形成方法包括：在基板上方形成多个鳍片，多个鳍片包含：相邻于隔离区的第一半导体鳍片；以及嵌入隔离区中的介电鳍片；在第一半导体鳍片的第一表面、介电鳍片的第二表面、及隔离区的第三表面上方沉积硅层；在硅层上方形成氧化...

本公开提供以降低的结晶温度形成结晶性高k值介电层于半导体装置内。上述方法包括形成一通道结构于一基底上；形成一界面层于通道结构上；形成第一高k值介电层于界面层上；用掺杂物形成偶极(dipole)于第一高k值介电层内；以及形成一第二高k值介...

揭示一种半导体装置及操作半导体装置的方法。在一个态样中，该半导体装置包括一记忆体电路，该记忆体电路用以接收一时脉信号且产生一输出信号。该记忆体电路包括一定时延迟电路。该半导体装置包括包含一阴影锁存器的一可测试性设计(DFT)电路。该DF...