【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种记忆体电路及用于操作一记忆体电路的方法。
技术介绍
1、半导体集成电路产业已产生广泛的多种数字装置以解决多个不同区域中的问题。诸如记忆体巨集的这些数字装置中的一些经配置用于储存数据。长位元线(bit line，bl)/反相位元线(bit line bar，blb)金属布线的高寄生电阻率及电容增大bl预充电时间，此情形可导致低的操作频率。
技术实现思路
1、本揭示内容的一些实施例包含一种记忆体电路，包含：第一记忆体单元，其中第一记忆体单元操作性地耦接至第一位元线；第一预充电电路，其连接至第一位元线的第一末端且用以在第一记忆体单元中的任一者被存取之前在第一时间周期期间使第一位元线充电至电源电压；第二预充电电路，其连接至第一位元线的第二末端且亦用以在第一时间周期期间使第一位元线充电至电源电压；其中第二预充电电路仅在第一时间周期的一开始时在第二时间周期期间启动，而第一预充电电路在整个第一时间周期期间启动。
2、本揭示内容的一些实施例包含一种记忆体电路，包含：包括第一...
【技术保护点】
1.一种记忆体电路，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，进一步包含一延迟电路，该延迟电路用以使一第一控制信号延迟为一第二控制信号，其中该第二预充电电路基于该第一控制信号及该第二控制信号而启动。
3.如权利要求2所述的记忆体电路，其特征在于，其中该第二预充电电路包含串联耦接至彼此的一第一晶体管及一第二晶体管，且经耦接的该第一晶体管及该第二晶体管进一步耦接于该电源电压与该第一位元线之间，且其中该第一晶体管及该第二晶体管分别由该第一控制信号及该第二控制信号栅控。
4.如权利要求2所述的记忆体电路，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种记忆体电路，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的记忆体电路，其特征在于，进一步包含一延迟电路，该延迟电路用以使一第一控制信号延迟为一第二控制信号，其中该第二预充电电路基于该第一控制信号及该第二控制信号而启动。
3.如权利要求2所述的记忆体电路，其特征在于，其中该第二预充电电路包含串联耦接至彼此的一第一晶体管及一第二晶体管，且经耦接的该第一晶体管及该第二晶体管进一步耦接于该电源电压与该第一位元线之间，且其中该第一晶体管及该第二晶体管分别由该第一控制信号及该第二控制信号栅控。
4.如权利要求2所述的记忆体电路，其特征在于，进一步包含一控制电路，其用以基于多个经解码地址位元的一部分来产生该第一控制信号。
5.如权利要求4所述的记...
【专利技术属性】
技术研发人员：滨田昌也，原拓実，薮内诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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