半导体装置的形成方法及光阻剂组成物制造方法及图纸

提供了一种半导体装置的形成方法及光阻剂组成物。用于形成半导体装置的方法包括在基板上方形成包含有机金属化合物的光阻层。有机金属化合物包括金属芯、至少一种与金属芯键合的可水解配位基、以及至少一种与金属芯键合的光酸产生剂配位基。此方法还包括选择性地将光阻层曝光辐射下并对光阻层进行显影以在光阻层中形成图案。

【技术实现步骤摘要】

本揭露关于一种半导体装置的形成方法及光阻剂组成物。

技术介绍

1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业已经历指数式增长。ic材料及设计的技术性进步已产生数代ic，其中每一代皆具有比前一代更小且更复杂的电路。在ic进化过程中，功能密度(亦即，每晶片面积中互连元件的数目)已普遍增大，而几何形状尺寸(亦即，可使用制造工艺建立的最小部件(或线))已减小。此按比例缩小过程通常通过增加生产效率且降低相关联的成本来提供益处。这种尺寸缩小也增加了ic加工和制造的复杂性。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种用于形成半导体装置的方法。此方法包括在基板上形成包含有机金属化合物的光阻层，选择性地将光阻层曝光于辐射，以及使光阻层显影以在光阻层中形成图案。有机金属化合物包含金属芯、至少一种与金属芯键合的可水解配位基、以及至少一种与金属芯键合的光酸产生剂配位基。

2、根据本揭露的一些实施例，一种用于形成半导体结构的方法。此方法包括在基板上方沉积材料层、在材料层上方形成光阻层、将光阻层曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该金属芯包含在一极紫外波长处具有至少4cm2/mol的一吸收的一金属。

3.如权利要求2所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该金属是选自锡(Sn)、铪(Hf)、锆(Zr)、银(Ag)、镉(Cd)、铟(In)、锑(Sb)、碲(Te)、铯(Cs)、金(Au)、钡(Ba)、铊(Tl)、铋(Bi)和铈(Ce)。

4.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该金属芯包含1至18个金属离子。

5.如权利要求1所述的形成...

【技术特征摘要】

1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该金属芯包含在一极紫外波长处具有至少4cm2/mol的一吸收的一金属。

3.如权利要求2所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该金属是选自锡(sn)、铪(hf)、锆(zr)、银(ag)、镉(cd)、铟(in)、锑(sb)、碲(te)、铯(cs)、金(au)、钡(ba)、铊(tl)、铋(bi)和铈(ce)。

4.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该金属芯包含1至18个金属离子。

5.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该光酸产生剂配位基相对于该金属芯的一摩尔浓度为约0.01mol％至30mol％。

6.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含：

7.如权利要求6所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，其中该光酸产生剂包含一鎓盐(onium salt)、一硒盐(sele...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，郭彦佑，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：