一种半导体装置包括半导体鳍状物。半导体装置包括第一氧化硅层，第一氧化硅层在第一界面处接触该半导体鳍状物且包括第一浓度的氮。半导体装置包括第二氧化硅层，第二氧化硅层在第二界面处接触第一氧化硅层且包括第二浓度的氮，第二浓度大于第一浓度。而且...

一种半导体结构的制造方法，包括以一标的发射器发射一标的至一激发腔中；以一第一激光发射器发射一预脉冲激光至该激发腔中的一激发区域以照射该标的，其中该预脉冲激光具有一第一功率以加热该标的；以一第二激光发射器发射一脉冲激光至该激发腔中的该激发...

本申请提供了具有降低的R/C的接触插塞及其形成方法。一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中接触间隔物围绕接触开口；在开口中和源极/漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到接触开口中的粘附层；以及执行处理工艺，使得对接触间隔...

公开了一种光学器件及其制造方法。光学器件包括第一管芯层和第二管芯层。第一管芯层包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素结构和第二像素结构；像素间隔离结构，设置在第一衬底中，并且围绕第一像素结构和第二像素结构；以及...

提供了一种半导体器件和操作该半导体器件的方法。半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、第一电路、第二电路和第三晶体管。第二晶体管电连接至第一晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管的栅极电连接至字线。第一电路电连接在第一晶体管的漏极与第一位线...

一种用于估计产品设计的性能、功率和面积的计算机实施的方法包括：在模拟环境下放置和布线设计元件；将一个或多个模拟条件应用于设计元件；基于一个或多个模拟条件来获得第一组数据以及第一组数据之间的第一关系；基于第一关系获得预测模型；以及使用预测...

一种用于晶圆划切的方法，包括形成数据库，在晶圆上找到多个划切标记，其中多个划切标记的图案与数据库中的第一图案匹配，根据多个划切标记中的相邻两个的第一节距来测量第一晶圆的第一沟道管芯节距，以及基于多个划切标记来确定第一晶圆的切口中心。测量...

本文的实施例提出了光学器件及其制造方法。在实施例中，提供了光学器件，该光学器件包括：第一衬底，该第一衬底包括光学器件层和半导体管芯；第一波导结构，位于第一衬底上方，第一波导结构包括由包层材料围绕的第一光学组件，其中第一波导结构具有顶面，...

本发明的实施例提供了一种集成电路设计系统，包括用于对IC布局执行热分析的处理器，所述IC布局包括具有在厚度方向上一个接一个堆叠的多个导电层的再分布结构。响应于第一导电层的特性满足第一条件，所述处理器将第一建模规则应用于所述第一导电层以获...

本公开描述了具有与源极/漏极结构隔离的接触结构的半导体器件。该半导体结构包括栅极结构，位于衬底上；第一源极/漏极(S/D)结构和第二源极/漏极结构，位于所述栅极结构的相对侧上；隔离层，位于所述第二S/D结构上，第三S/D结构，与所述第二...

一种锁存器电路包括彼此可操作地耦合为回路的第一双互锁存储单元(DICE)组件、第二DICE组件、第三DICE组件和第四DICE组件。第一和第二DICE组件形成被配置为接收输入信号的第一子锁存器，第三和第四DICE组件形成被配置为接收相同...

本公开涉及通过刺激形成内部间隔物。一种方法包括形成层堆叠，该层堆叠包括多个半导体纳米结构和多个牺牲层。多个半导体纳米结构和多个牺牲层交替排列。该方法还包括使多个牺牲层横向凹陷以形成横向凹槽、沉积延伸到横向凹槽中的间隔物层、修整间隔物层以...

集成电路包括：晶体管，包括多个堆叠沟道。第一介电壁结构定位在堆叠沟道的第一横向侧上。第二介电壁结构定位在堆叠沟道的第二横向侧上。介电主结构定位在顶部沟道之上。栅电极包括在第二介电壁结构和堆叠沟道之间垂直延伸的垂直柱。栅电极包括从堆叠沟道...

示例性器件包括：前侧电源轨，设置在衬底的前侧上方；背侧电源轨，设置在衬底的背侧上方；外延源极/漏极结构，设置在前侧电源轨和背侧电源轨之间。外延源极/漏极结构通过前侧源极/漏极接触件连接至前侧电源轨。外延源极/漏极结构通过背侧源极/漏极通...

一种设计规则检查方法、电子设计系统及机器可读媒体，执行设计规则检查的方法包括对具有来自多个运算的重叠运算的多个规则或具有来自多个规则的重叠规则的多个运算中的至少一者进行群聚。方法进一步包括将群聚的多个运算中的至少一者转换为第一运算群组或...

本技术提供半导体装置包括：第一与第二鳍状物基底，位于基板上；第一与第二纳米结构层，分别位于第一与第二鳍状物基底上；第一与第二栅极结构，分别围绕第一与第二纳米结构层；第一与第二浅沟槽隔离区，位于第一与第二鳍状物基底的两侧上；第一与第二第一...

一种光子组件，包括：复合管芯，包括光子集成电路(PIC)管芯和电子集成电路(EIC)管芯，PIC管芯包括波导和其中的光子器件，并且EIC管芯包括其中的半导体器件；以及光学连接器单元，包括第一连接器侧镜面反射器和第一切换边缘耦合器，其中，...

本申请的实施例公开了一种光子组件及其形成方法，该光子组件包括：复合管芯，包括PIC管芯和EIC管芯，PIC管芯中包括波导和光子器件，并且EIC管芯中包含半导体器件；光学连接器单元，包括第一连接器侧镜反射器和第一过渡边缘耦合器，并且附接到...

一种光感测器阵列与近红外光感测器装置及其制造方法。近红外光感测器装置包括用以侦测至少在设计基准红外波长下的红外光的近红外光感测器；及至少包括嵌入于近红外光感测器的光接收表面中的嵌入光栅的表面电浆极化子结构。表面电浆极化子结构用以与在设计...

本技术的实施例涉及一种具有导电通孔的半导体装置。在含有导电组件的层上方形成电介质结构。在所述电介质结构中形成开口。所述开口暴露所述导电组件的上表面。执行在所述电介质结构上方且部分在所述开口中沉积第一导电层的第一沉积工艺。在形成于所述电介...