本技术的实施例提供一种半导体管芯封装，其包括第一集成电路管芯、与第一集成电路管芯连接的第二集成电路管芯及第一与第二导电迹线。第一集成电路管芯包括沟渠电容器、第一密封环段、与第一密封环段电性隔离的第二密封环段。第二集成电路管芯包括电源管理...

本揭露提供一种用于测试与修复内存组件的方法。内存组件包括内存阵列，其包括沿着胞元行与胞元列排列的数据胞元以及参考胞元。数据胞元经配置以储存数据，而参考胞元经配置以产生用于读取储存于数据胞元中的数据的参考电流。上述方法包括：进行行修复，以...

本发明提供一种内存宏，包括利用抑制电压来驱动字线的追踪字线驱动器。使抑制电压为低于用于驱动记忆数组中字线的电压，此电压为透过具有抑制电压而使追踪字线被驱动的量，所述抑制电压是被保持为比漏极电源电压低的电压。抑制追踪字线上的电压，其使得具...

本申请涉及存储器电路及其操作方法。存储器电路包括耦合到字线驱动器电路的控制电路。该控制电路被配置为至少响应于第一时钟信号而延迟字线信号的上升沿或下降沿。该控制电路包括：第一时钟电路，其被配置为响应于第一复位信号和时钟信号而生成第二时钟信...

本公开实施例提供了具有改进的热导率和翘曲控制的伪管芯。伪管芯包括形成在半导体衬底上方的调整层。调整层具有在约30W/mK和约100W/mK之间范围内的热导率。调整层可以包括氮化硅或碳化硅。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法和形...

本技术的实施例提供一种集成芯片包括位于基础介电层之上的半导体波导层。半导体波导层形成总线波导及位于总线波导旁边的微环形波导。加热器位于微环形波导之上。加热器包括加热器环、第一加热器接触接垫、自加热器环延伸至第一加热器接触接垫的第一加热器...

本发明实施例提供一种光掩膜承载盒用以承载光掩膜装置，光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口，光掩膜装置设置于容置空间内，且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。抽气装置设置于壳体上，以对容置空间进行...

本技术提供一种封装结构包括第一封装。第一封装具有有源区以及围绕有源区的周边区。第一封装包括第一重布线结构、第二重布线结构、管芯、包封体以及密封环结构。第二重布线结构配置于第一重布线结构上。管芯配置于有源区中，且位于第一重布线结构与第二重...

一种集成电路装置，讨论了封装装置。在一实施例中，集成电路装置包括装置层、电子集成电路结构、光学层及反射镜结构。装置层包括光学构件。电子集成电路(EIC)结构接合至装置层。光学层位于装置层的与电子集成电路结构相对的一侧上，且光学层包括边缘...

本新型提供光子装置，包括光子互连结构以及设置在光子互连结构上方的光接收结构，光子互连结构包括第一包覆层、设置在第一包覆层上方的波导、设置在波导以及第一包覆层上方的第二包覆层、设置在第一包覆层以及第二包覆层中的透明材料、设置在第二侧壁上方...

提供一种存储器单元，包括：第一主动区，为写入端通道栅极晶体管提供多个第一纳米结构；第二主动区，为写入端上拉晶体管提供多个第二纳米结构；以及第三主动区，为读取端下拉晶体管提供多个第三纳米结构。第一主动区具有第一宽度，第二主动区具有第二宽度...

本技术提供一种半导体装置、一种用于形成包括放电管理结构的半导体晶粒的技术及设备。放电管理结构可包括将金属层连接至电容器结构的电极层及位于电容器结构下方的衬底的接触结构(例如，垂直内连线触及结构或“通孔”)。接触结构具有不同的横截面积，此...

一种半导体装置及其制造的方法，制造半导体装置的方法包含：形成第一电极于基材的上方，此第一电极具有变化的密度，此密度从第一电极的底表面处的第一密度水平增加到高于第一电极的顶表面处的第一密度水平的第二密度水平，在第一电极的顶表面处的第二密度...

揭露一种半导体元件及其制造方法。此方法包含形成鳍片基底于基材上，磊晶成长源极/漏极区于鳍片基底上，形成接触开口于源极/漏极区上，形成半导体氮化物层于接触开口的侧壁上，对半导体氮化物层进行致密化工艺以形成致密化的半导体氮化物层，形成硅化物...

本技术的实施例提供一种集成电路封装件，其包括第一集成电路管芯、沿第一集成电路管芯的侧壁的绝缘层及接合到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯。第一集成电路管芯包括第一衬底、在第一衬底前侧上的第一内连线结构及在第一内连线结构上的第一接合层，第...

本技术提供一种具有渐缩热传递层的相变存储器装置，包括第一电极及第二电极的存储器装置位于第一介电层的上方。加热器层在侧向上位于第一电极与第二电极之间。热传递层位于加热器层的上方。热传递层包括位于第一电极与加热器层之间的第一渐缩区。相变层位...

一种集成电路、记忆体电路以及用于操作记忆体电路的方法。集成电路包括一或多个功能电路以及可操作地耦接至一或多个功能电路的时脉产生电路。时脉产生电路用以：接收控制信号以在第一操作模式与第二操作模式之间切换一或多个功能电路；接收分别相应于第一...

本公开涉及具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法。一种方法，包括：在衬底之上交替地堆叠第一半导体层和第二半导体层；将第一半导体层和第二半导体层图案化为鳍结构；跨鳍结构形成虚设栅极结构；在虚设栅极结构的侧壁之上沉积栅极间隔件；去除虚设栅...

本发明实施例提供一种形成集成电路封装件的方法，包括：在第一晶圆中形成多个第一半导体管芯，多个第一半导体管芯中的每个管芯包括：在第一半导体衬底的前侧之上的多个第一有源组件；对第一晶圆执行多个第一探针测试；基于多个第一探针测试，将多个第一半...

一种半导体器件包括：形成在衬底上并被组织成沿第一方向延伸的多个单元行的区域；第一单元，跨所述多个单元行中的第一单元行设置，所述第一单元沿垂直于所述第一方向的第二方向具有第一高度；以及第二单元，跨所述多个单元行中的第二单元行和第三单元行的...