【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例总体涉及具有隔离结构的场效应晶体管及相关方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数级增长。ic材料和设计的技术进步已经产生了一代又一代的ic，其中每一代的电路都比上一代更小且更复杂。在ic发展的过程中，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线路))却减小。这种按比例缩小的过程通常可以通过提高生产效率和降低相关成本来带来好处。这种按比例缩小也增加了处理和制造集成电路的复杂性。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成第一半导体沟道堆叠和第二半导体沟道堆叠，所述第一半导体沟道堆叠与所述第二半导体沟道堆叠相邻，过渡区域与所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠的相邻突出拐角重叠；在所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠之上形成多个牺牲栅极，所述多个牺牲栅极在第一方向上延伸并且基于沿着第二方向的第一节距沿着垂直于所述第一方向的第二方向布...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在N型扩散区域和P型扩散区域之间的边界之上形成所述条结构，所述边界包括圆角点动。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在所述衬底的第一区域与所述衬底的第二区域之间的边界之上形成所述条结构，在所述第一区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第一数量的半导体沟道，在所述第二区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第二数量的半导体沟道，所述第一数量超过所述第二数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在n型扩散区域和p型扩散区域之间的边界之上形成所述条结构，所述边界包括圆角点动。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括：在所述衬底的第一区域与所述衬底的第二区域之间的边界之上形成所述条结构，在所述第一区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第一数量的半导体沟道，在所述第二区域中，所述第一半导体沟道堆叠和所述第二半导体沟道堆叠包括第二数量的半导体沟道，所述第一数量超过所述第二数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成条结构包括形成以下条结构：该条结构部分地覆盖所述过渡区域中...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭志雄，傅士奇，陈桂顺，陈德宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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