【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度不断提高，因此半导体产业经历了快速增长。在很大程度上，这种集成密度的提高来自于最小部件尺寸的不断缩小，这使得更多的组件可以集成到给定的区域中。
技术实现思路
1、在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含暴露晶体管的导电通道的一个或多个表面；以介电界面层覆盖一个或多个表面；以阻挡层覆盖介电界面层；进行第一退火工艺，以致密化介电界面层；以第一高介电常数介电层覆盖阻挡层；在第一高介电常数介电层上方形成一个或多个临界电压调制层；进行第二退火工艺，以调整第一高介电常数介电层的掺杂轮廓；以及以第二高介电常数介电层覆盖第一高介电常数介电层。
2、在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含暴露第一晶体管的第一导电通道的一个或多个表面；暴露第二晶体管的第二导电通道的一个或多个表面；以介电界面层普遍覆盖第一导电通道的一个或多个表面及第...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该阻挡层被配置为阻挡氧到达该介电界面层，进而保持该介电界面层的原始形成厚度。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该介电界面层具有一第一介电常数，且该阻挡层具有一第二介电常数，该第二介电常数大于该第一介电常数。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括进行一湿蚀刻工艺，以形成该介电界面层，其中该湿蚀刻工艺包含对该导电通道的该一个或多个表面应用一热化学混合物，且其中该热化学混合物包含氢氧化铵(NH4OH)、氯化氢(HCl)、硫酸...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该阻挡层被配置为阻挡氧到达该介电界面层，进而保持该介电界面层的原始形成厚度。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该介电界面层具有一第一介电常数，且该阻挡层具有一第二介电常数，该第二介电常数大于该第一介电常数。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括进行一湿蚀刻工艺，以形成该介电界面层，其中该湿蚀刻工艺包含对该导电通道的该一个或多个表面应用一热化学混合物，且其中该热化学混合物包含氢氧化铵(nh4oh)、氯化氢(hcl)、硫酸(h2so4)或过氧化氢(h2o2)的至少一者。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：李绅扬，张翔笔，赵皇麟，林斌彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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