半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种方法，包括形成从衬底突出的鳍，形成跨过鳍的伪栅极堆叠件，伪栅极堆叠件包括伪栅极介电层、伪栅极介电层上的伪栅电极和布置在伪栅电极的侧壁上的氧化层，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅电极，使氧化层凹进，钝化栅极间隔件的表面部分以在氧化层之上形成钝化层，去除钝化层、氧化层和伪栅极介电层以形成栅极沟槽，在栅极沟槽中沉积金属栅极堆叠件，并且使金属栅极堆叠件凹进。钝化层的顶部比钝化层的底部宽。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数型增长。集成电路材料和设计的技术进步产生了一代又一代集成电路，每一代集成电路都比上一代集成电路更小、更复杂。在ic演进工艺中，功能密度(即，每个芯片区域的互连器件数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减少。这种缩小规模的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种规模缩小也增加了工艺和制造集成电路的复杂性。

2、随着技术节点的缩小，一些ic设计中的一个进步是用金属栅极替换多晶硅栅极，以在减小部件尺寸的情况下提高器件性能。形成金属栅极的一个工艺被称为“替换栅极”或“后栅极”工艺，其中金属栅极“最后”制造，从而允许减少后续工艺的数量。“替换栅极”工艺通常包括形成伪栅极以为金属栅极预留空间，并且随后去除伪栅极以形成用于金属栅极间隙填充工艺的栅极沟槽。在金属栅极间隙填充工艺中，在栅极沟槽中依次沉积各种金属层，例如功函金属层和金属填充层。然而，实现这样的集成电路制造工艺存在挑战，特别是在先进本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极间隔件的顶部的钝化包括氧化工艺，并且所述栅极间隔件的所述钝化顶部为氧化物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧化工艺为氧等离子体工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述栅极间隔件的所述钝化顶部和所述栅极侧壁氧化层下方的经过氧化的所述层具有均匀的宽度。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

8.一种半导体器件，包括：

...

【技术特征摘要】

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极间隔件的顶部的钝化包括氧化工艺，并且所述栅极间隔件的所述钝化顶部为氧化物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧化工艺为氧等离子体工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述栅极间隔件的所述钝化顶部和所述栅极侧壁氧化层下方的经过氧化的所述层具有均匀的宽度。

【专利技术属性】
技术研发人员：彭裕钧，曹修豪，徐绍华，林佳仪，简垲旻，胡元正，陈书涵，李旻珈，温明璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：