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本发明的实施例提供了一种方法，包括形成从衬底突出的鳍，形成跨过鳍的伪栅极堆叠件，伪栅极堆叠件包括伪栅极介电层、伪栅极介电层上的伪栅电极和布置在伪栅电极的侧壁上的氧化层，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅电极，使氧化层凹进，钝化栅...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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