温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包含暴露晶体管的导电通道的一个或多个表面；以介电界面层覆盖一个或多个表面；以阻挡层覆盖介电界面层；进行第一退火工艺，以致密化介电界面层；以第一高介电常数介电层覆盖阻挡层；在第一高介电常数...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。