本公开的各个实施例针对包括衬底上方的底部电极的集成芯片。顶部电极位于底部电极上面。覆盖结构设置在顶部电极和底部电极之间。覆盖结构包括与金属层垂直堆叠的扩散阻挡层。切换结构设置在底部电极和覆盖结构之间。切换结构包括底部电极上的介电层以及介...

本申请的实施例提出了具有单独调整的透镜的光学器件及其制造方法。在一些实施例中，光学器件包括第一衬底；位于第一衬底的第一侧上的第一透镜，第一透镜具有第一曲率半径；以及位于第一衬底的第一侧上的第二透镜，第二透镜具有与第一曲率半径不同的第二曲...

一种集成电路装置，包括半导体基板、一第一源极/漏极结构与一第二源极/漏极结构、多个半导体层、栅极结构及内侧间隔物。半导体基板具有上表面；第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于半导体基板上；多个半导体层纵向延伸于第一方向中并连接第一源...

一种位准移位器电路的中电压晶体管可包括衬底中的p阱区。此外，中电压晶体管可包括其中包括中电压晶体管的N<supgt;+</supgt;源极/漏极区的n型轻掺杂源极/漏极(NLDD)区。NLDD区中的轻掺杂使得能够减小临限电压...

本发明提供了纳米管束的制造和用于其的反应器。提供了一种形成用于极紫外光刻的护层的方法。所述方法包括在过滤膜上方形成护层膜并将所述护层膜从所述过滤膜转移到膜边界。形成护层膜包括：在反应器的第一反应区中由原位形成的金属催化剂颗粒生长出碳纳米...

本公开提供一种内连线结构，位于半导体晶粒上，包括：一下层导电层；设置在下层导电层上方的一上层导电层；以及设置在下层导电层及上层导电层之间的一垂直内连线组件(VIA)。垂直内连线组件包括：一主内连线结构及设置在主内连线结构周围并与主内连线...

一些实施例是有关于一种形成集成电路芯片的方法，包括：在衬底上方形成第一导线层级；在第一导线层级上方沉积刻蚀停止层；对刻蚀停止层进行刻蚀，以在第一导线层级上方形成开口；在刻蚀停止层上方沉积阻障层，其中阻障层延伸进入开口；在阻障层上方与开口...

提供半导体装置及其方法，依据本发明实施例的例示性方法包含在基底上方形成半导体鳍；在基底上方形成介电层，其中介电层包含沿半导体鳍的侧壁表面延伸的第一部分及设置于半导体鳍上方的第二部分，介电层的第二部分的厚度大于介电层的第一部分的厚度，在基...

一种半导体装置结构，包括具有装置区域的基底及环绕装置区域的密封环区域。半导体装置结构包括位于密封环区域上方的密封环结构，密封环结构环绕装置区域。半导体装置结构包括位于密封环结构及基底上方的接合膜，半导体装置结构包括埋入接合膜内的接合垫。...

一种半导体装置。此处所述的一些实施方式包括三维集成电路装置中的多维穿硅通孔结构。多维穿硅通孔结构包括第一宽度的第一柱状结构与第二宽度的第二柱状结构，且第二宽度大于第一宽度。第一柱状结构可包括低电容，且设置以产生电性信号于三维集成电路装置...

数据具体化平台可以执行核心云端环境和边缘云端环境之间的数据迁移处理。数据具体化平台可以识别与数据迁移处理相关联的存储在核心云端环境的数据存储库中的属性值，其中属性值将被用作机器学习模型的输入，该机器学习模型将由数据具体化平台执行。边缘云...

各个实施例包括堆叠晶体管和形成堆叠晶体管的方法。在实施例中，器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上；第一栅极结构，沿第一纳米结构的顶面和底面延伸；以及第二栅极结构，沿第二纳米结构的顶面和底面延伸。第一栅极结构设置在第...

本公开提供一种半导体封装包括第一半导体衬底、多个导电凸块、第二半导体衬底及间隔图案。第一半导体衬底包括焊盘区域以及位于所述焊盘区域内的多个第一焊盘。多个导电凸块分别设置在所述多个第一焊盘上。第二半导体衬底接合至所述第一半导体衬底并包括分...

一种半导体封装体，包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第...

本技术提供一种半导体装置封装，其包括重布线结构、多个连接结构、半导体晶粒封装以及一或多个硅穿孔封装。重布线结构包括一或多个介电层以及多个金属化层包括于一或多个介电层中。多个连接结构贴合至重布线结构的第一侧。半导体晶粒封装位于重布线结构的...

一种半导体结构包含晶体管、接触、前侧电源供应电压线以及后侧电源供应电压线。晶体管在硅层的前侧上，包含通道区域、环绕通道区域的栅极结构以及在栅极结构相对侧的多个源极/漏极区域。接触延伸越过硅层且在源极/漏极区域中的一者的后侧。由剖面观察，...

封装件包括：布线结构，包括第一波导和光子器件；电子管芯，接合至布线结构，其中，电子管芯电连接至光子器件；以及光学耦合结构，接合至邻近电子管芯的布线结构，其中，光学耦合结构包括位于衬底的第一侧中的第一透镜。本申请的实施例还涉及形成封装件的...

本申请的实施例提供了一种集成电路，该集成电路包括：衬底；以及晶体管，晶体管包括：多个沟道，垂直堆叠在衬底之上；源极/漏极区域，与沟道接触；硅化物层，与源极/漏极区域的顶表面接触，与源极/漏极区域的侧壁接触，并且延伸至低于沟道中的至少一个...

一种晶圆测试方法包括：通过机械臂将晶圆定位在第一探针装置的第一探针室中，该第一探针装置邻近传送轨道，该机械臂在操作中沿着传送轨道移动；利用第一探针装置测试晶圆；测试之后，将晶圆传送到附接至第一探针室的环境缓冲器；在环境缓冲器中冷却晶圆；...

一种半导体器件包括存储器阵列，存储器阵列包括布置在多个行和多个列上的多个晶体管。多个行分别对应于沿第一横向方向连续延伸的多个有源区，多个列分别对应于沿第二横向方向不连续延伸的多个栅极结构，第一横向方向和第二横向方向彼此垂直。多个栅极结构...